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湖北江城实验室专利技术
湖北江城实验室共有117项专利
一种导电聚合物包覆的磷化镍纳米线及其制备方法和应用技术
本发明公开了一种导电聚合物包覆的磷化镍纳米线及其制备方法和应用,属于超级电容器电极材料的技术领域。本发明的制备方法是以去离子水、单质磷、金属镍盐、十六烷基三甲基溴化铵为原材料通过一步水热法制备前驱体材料,再对前驱体材料在冰水混合物环境氛...
一种多功能忆阻器及其调控方法技术
本发明公开了一种多功能忆阻器及其调控方法,其调控方法包括:在底电极上形成原始薄膜,所述原始薄膜为包括含In和Se的化合物薄膜;通过氧等离子体工艺对所述原始薄膜进行处理,将原始薄膜表层氧化为氧化层,形成阻变层,所述阻变层包括氧化层和剩余的...
一种循环神经网络权重矩阵向忆阻阵列的映射方法技术
本发明公开了一种循环神经网络权重矩阵向忆阻阵列的映射方法,包括:获取目标循环神经网络隐藏层中的所有权重矩阵;将各权重矩阵按行排列成一个3行矩阵阵列,且矩阵阵列中的每一列元素矩阵位于同一门控单元;根据网络隐藏层的前向传播函数对矩阵阵列中的...
三维空间全光多逻辑功能器件及全光多逻辑运算方法技术
本发明公开了一种三维空间全光多逻辑功能器件及全光多逻辑运算方法,其器件包括第一光输入装置、第二光输入装置、光输出装置以及逻辑运算装置,其中,逻辑运算装置包括分别沿三个不同的方向排布的多片全光逻辑功能薄膜,且每个方向包括至少两片平行相对的...
一种空心碳纳米球复合催化剂及其制备方法和应用技术
本发明提供了一种空心碳纳米球复合催化剂及其制备方法和应用,该复合催化剂的制备方法,包括以下步骤:制备碳空心球;将Pt前驱物、乙酰丙酮金属化合物,加入至醇溶剂中,然后再加入碳空心球混合均匀后,得到混合粉末;将混合粉末置于管式炉中在还原气体...
一种耐高温水系锌离子电池电解液及其制备方法和应用技术
本发明公开了一种耐高温水系锌离子电池电解液及其制备方法和应用,属于电化学技术领域。本发明的耐高温水系锌离子电池电解液,包括A组分、B组分、C组分、D组分和水溶性锌盐;A组分为腈类溶剂;B组分为亚砜类溶剂和/或酰胺类溶剂;C组分为溶剂水;...
键合系统和键合方法技术方案
本公开实施例公开了一种键合系统和键合方法。所述键合系统包括:键合组件,包括:用于拾取第一待键合管芯的键合头,以及贯穿所述键合头的第一光通路;其中,所述第一光通路的第一端位于所述键合头拾取所述第一待键合管芯的拾取面;第一对准组件,用于在所...
键合系统和键合补偿方法技术方案
本公开实施例公开了一种键合系统和键合补偿方法。所述键合补偿方法包括:确定拾取的第一管芯的当前位置与第一目标位置之间的第一偏差值;确定晶圆上的第二管芯的当前位置与第二目标位置之间的第二偏差值;根据所述第一偏差值和所述第二偏差值,移动所述晶...
键合系统和键合方法技术方案
本公开实施例公开了一种键合系统和键合方法。键合系统包括:键合组件,包括:键合头以及贯穿键合头的第一光通路;第一对准组件,用于在键合头位于第一位置时,确定拾取面相较于水平面的偏移量;键合组件,还用于根据偏移量,驱动键合头移动至平行于水平面...
键合系统和键合方法技术方案
本公开实施例公开了一种键合系统和键合方法。所述键合系统包括:键合组件、晶圆承载台、第一对准组件和第二对准组件;晶圆承载台,用于根据第一对准组件确定的第一偏差值和第二对准组件确定的第二偏差值,驱动承载的晶圆移动,以使第二管芯对准第一管芯;...
一种晶圆的切割方法技术
本发明提供了一种晶圆的切割方法,包括:提供一晶圆,所述晶圆包括衬底和形成于所述衬底上的介质层,所述介质层内形成有切割道,所述切割道内形成有用于晶圆可接收度测试的金属焊盘;去除所述切割道内的金属焊盘;在所述介质层上形成混合键合层;沿所述切...
芯片堆叠结构的连接方法技术
本发明提供了一种芯片堆叠结构的连接方法,包括:提供一基板;将至少两个芯片堆叠结构固定在所述基板上,相邻的两个芯片堆叠结构之间具有间隙,每个芯片堆叠结构包括堆叠设置的多层芯片,每层芯片包括衬底、形成于所述衬底上焊盘以及覆盖所述衬底和所述焊...
一种晶圆的切割方法技术
本发明提供一种晶圆的切割方法,包括:提供一待切割晶圆,所述待切割晶圆具有相对设置的混合键合表面和背面,以及连接所述混合键合表面和背面的侧壁,待切割晶圆包括多个待混合键合芯片以及位于相邻待混合键合芯片之间的切割道;将待切割晶圆的混合键合表...
键合表面的金属氧化物的清洁方法技术
本发明提供一种键合表面的金属氧化物的清洁方法,通过在等离子体活化腔室中执行活化工艺的同时还执行了还原工艺,没有增加额外的等离子体反应腔室及工艺步骤,从而没有增加工艺所需设备及成本;等离子体活化腔室中激发氢气和氮气的混合气体成为等离子体,...
晶圆切割方法技术
本发明提供了一种晶圆切割方法,包括:提供器件晶圆;采用第一激光切割工艺沿所述器件晶圆的正面向下开槽,以在所述器件晶圆的正面形成第一凹槽;去除形成所述第一凹槽时的残留物;将所述器件晶圆的正面和一载片进行临时键合;以及,采用等离子体切割工艺...
一种基于1S1R的逻辑运算单元及运算方法技术
本发明提供了一种基于1S1R的逻辑运算单元及运算方法,属于存储器存内计算技术领域;现有技术中存内计算单元结构复杂和运行稳定性不足;本发明提供了一种基于1S1R的逻辑运算单元,从下至上依次包括底电极层、选通管层、阻变存储器层和顶电极层,其...
晶圆清洗机构制造技术
本发明提供了一种晶圆清洗机构,用于对晶圆进行清洗,所述晶圆的表面贴附有承载膜,包括:绷膜环、清洗槽及清洗支架;其中,所述清洗支架用于固定所述绷膜环,所述清洗槽位于所述绷膜环下方,所述承载膜贴附于所述绷膜环上,所述晶圆位于所述绷膜环的内环...
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