本发明公开了一种基于忆阻器的自适应仿生神经元电路及利用该电路实现仿生神经元自适应模拟地方法，激励脉冲和电容C1形成第一充电回路；易失性忆阻器M1、恒定电压源V1以及电容C1构成第一反向充电回路；易失性忆阻器M1、恒定电压源V1以及电容C...

本发明公开了一种脉宽可调的脉冲电压发生装置，包括：开关控制电路，用于产生控制信号；时钟产生电路，用于产生50MHZ时钟信号；可调脉宽产生集成电路，包括PLL锁相环、第一触发器、第二触发器、行触发器阵列、选择器和异或门，PLL锁相环用于将...

本发明公开了一种实现负权重的矩阵乘和运算的crossbar器件制备方法，包括：制备半导体器件，半导体器件包括crossbar阵列的多个单点器件，各单点器件均包括依次层叠设置的两个分立式的背栅电极、栅介质层、两个间隔的浮栅电极、隧穿层和二...

本发明提供一种MoTe2浮栅晶体管、ADC电路、DCA电路及方法，基于二碲化钼的浮栅晶体管具备非易失特性，其中浮栅可以存储电阻信息，当信息写入后即便不加栅压也能保留信息，因此具有低功耗的特性。本发明所使用的二碲化钼属于二维材料，有望取代...

本公开实施例公开了一种晶圆的切割方法和激光切割装置。所述切割方法包括：提供待切割晶圆；其中，所述待切割晶圆包括多个管芯以及位于相邻的两个管芯之间的切割道；所述切割道包括沿所述切割道延伸方向并列设置的至少两个子区域；所述至少两个子区域内的...

本发明公开了一种基于miRNA检测的二维材料半导体传感器制备方法，包括：制备半导体器件，半导体器件包括8个单点器件构成的crossbar阵列；制备PDMS通道，然后将PDMS通道转移热压至半导体器件的沟道区域上，其中，PDMS通道包括c...

本发明提供了一种晶圆切割方法，提供一晶圆键合结构，所述晶圆键合结构包括依次堆叠的至少两个晶圆，每个所述晶圆包括衬底、形成于所述衬底上的介质层以及形成于所述介质层中的切割道焊盘；在所述晶圆键合结构的最顶部的晶圆的介质层上形成第一氧化层；沿...

本发明属于半导体制造技术领域，公开了一种晶圆清洗方法及装置，该方法包括：S1、将经过激光开槽和等离子切割后的待清洗晶圆置于真空腔室中，向真空腔室中通入氮气或惰性气体以清理待清洗晶圆表面的颗粒物；S2、保持真空腔室的真空环境，向其中通入水...

本发明属于半导体制造技术领域，更具体地，涉及一种晶圆的清洁方法及清洁系统。通过在待清洁晶圆低速旋转的同时，从待清洗晶圆的中心向边缘依时序分多次喷洒清洁介质，在惯性作用下将副产物逐步移出晶圆边缘，达到晶圆清洁的目的，尤其适用于经过芯片切割...

本发明属于半导体存储器件技术领域，具体公开了一种具有突触特性的掺杂型铁酸铋忆阻器及其制备方法，该忆阻器依次包括衬底、底电极、功能层和顶电极；所述功能层为掺杂铁酸铋薄膜，所述掺杂铁酸铋薄膜的材料为A位单掺杂、B位单掺杂或A位与B位共掺杂的...

本发明属于半导体信息存储技术领域，更具体地，涉及具有多值特性的SrFeO

本发明公开了一种基于忆阻器的图像特征选择方法及模块、神经网络模型，其方法包括：获取包含多张图像的数据集，每张图像包含M个特征，每个特征的特征值为0或1；统计数据集中图像第i个特征的特征值为1的图像数量N

本发明公开了一种具有多层纳米片结构的镍钴氢氧化物及其制备方法和应用。本发明具有多层纳米片结构的镍钴氢氧化物是以金属镍盐、金属钴盐、六亚甲基四胺、葡萄糖通过一步水热法制备而成。将本发明制备的具有多层纳米片结构的镍钴氢氧化物作为电极活性材料...

本发明公开了一种OTS选通管的操作方法，属于微纳米电子技术领域，包括：在OTS选通管两端施加脉冲，提取每次施加脉冲后OTS选通管的阈值电压V

一种晶圆平坦化工序中作为连接件的双面吸附装置，包括具有一定厚度的吸附本体，具有上下两个端面。吸附本体的上端面作为吸附抛光头的上吸附区，下端面作为吸附晶圆的下吸附区；内部设有气流通道。上吸附区开设有多组同心圆凹槽，圆凹槽均与气流通道连通；...

本发明提供了一种晶圆的切割方法，采用第一激光切割工艺沿所述保护液的表面向下开槽，形成从所述保护液的表面延伸至所述介质层内的第一凹槽，所述第一凹槽的边缘上方形成有熔渣；采用第二激光切割工艺沿所述第一凹槽的底面向下开槽，形成连通所述第一凹槽...

本发明公开了一种调控二维铁磁/反铁磁异质结交换偏置的方法及装置，属于自旋电子学技术领域。异质结的下层为二维铁磁材料，下层为二维反铁磁材料，方法包括：在二维铁磁/反铁磁异质结样品正面设置单层石墨烯纳米粉；使激光器发出的激光聚焦于所述单层石...

本发明公开了一种MnO2电极材料及其制备方法和应用，属于储能材料技术领域。本发明MnO2电极材料的制备方法，包括以下几个步骤：(1)将聚乙二醇滴入高锰酸钾水溶液中搅拌均匀；(2)将配制好的溶液放入高压反应釜中进行水热反应；(3)对反应后...

本发明公开了一种Mo金属掺杂MnO2电极材料及其制备方法和应用，属于电极材料制备技术领域。本发明是以乙炔黑、高锰酸钾、浓硫酸、钼酸钠为原材料，首先将原材料配制成混合反应液、其次进行水热反应、抽滤、干燥，从而使高锰酸钾加热分解形成Mo金属...

本发明公开了一种将金属电极转移至二维材料上的方法，其包括：获取待转移结构，所述待转移结构包括衬底、形成于衬底上的过渡层以及形成于过渡层上的金属电极图案；对所述过渡层进行湿法刻蚀，去除未被金属电极图案覆盖的所述过渡层；通过有机柔性材料将待...