本公开实施例提供了一种晶边处理设备及晶圆的处理方法，其中，晶边处理设备包括：基台，基台包括用于放置待处理晶圆的第一表面；喷液装置，喷液装置位于待处理晶圆的上方，且喷液装置用于向待处理晶圆的边缘区域提供处理液；吸液装置，吸液装置至少包括吸...

本公开涉及纳米材料技术领域，提供了一种二维氧化铁纳米片及其制备方法。其中，二维氧化铁纳米片的制备方法包括：首先，将云母片放置于管式炉的下游区域；然后，将氧化铁粉末和六水合氯化铁晶体混合均匀，放置于管式炉的加热区域；最后，对管式炉进行加热...

公开了一种半导体结构中孔结构尺寸的量测方法，其中，半导体结构包括衬底，孔结构从衬底的上表面延伸至内部；量测方法包括：执行模塑溶液注入工艺，使模塑溶液完全填充孔结构并覆盖衬底的上表面；使模塑溶液固化以形成模塑结构，模塑结构包括位于孔结构内...

公开了一种半导体结构及其制造方法，该制造方法包括：提供衬底，在衬底上形成第一图案化掩膜层，以第一图案化掩膜层为掩膜刻蚀衬底，以形成第一沟槽，衬底未被刻蚀的区域构成凸起结构；在衬底上形成第二图案化掩膜层，第二图案化掩膜层至少覆盖凸起结构的...

本公开实施例提供一种半导体器件及其制备方法，其中，半导体器件包括：基底；第一电极层，位于基底上；第一电极层包括多个间隔分布的第一凸起结构；第一凸起结构的横截面积自顶面至底面逐渐增大；功能层，覆盖第一电极层和基底；第二电极层，位于功能层上...

本申请属于加法器技术领域，提供了一种有限域加法器电路及集成电路，采用高频小信号作为激励，利用忆阻低通滤波器实现信号相位的调制，通过级联即可实现各个忆阻器的阻值映射到相位上的加法。由于相位本身的周期性，基于相位的加法可自然实现有限域的循环...

本发明公开了一种分组前向梯度回归的存算系统的计算方法。其中，该分组前向梯度回归的存算系统包括变量分组模块，非易失性存储器模块和迭代模块；变量分组模块用于对变量数据进行分组、正交化和数据映射运算；非易失性存储器模块用于存储变量数据，并用于...

本发明公开了一种基于神经元膜高低电位采样的脉冲电路，提出膜电位高低位同步采样，在高低膜电位出现的时刻分别在对应端口输出一个指示脉冲；根据两个膜电位检测信号发放时间及相对位置综合判断神经元激活状态并发放脉冲。由于神经元阈值激活电压和保持电...

本发明属于光探测器技术领域，具体为一种微光谱仪的光谱重构优化方法。本发明基于只包含具有不同光响应波长的光探测器阵列的微光谱仪，采用机器学习算法对未知光谱曲线进行重构。机器学习算法重构光谱的过程是：先建立器件的光响应电流与光谱特征值组成的...

本发明公开了一种非金属B掺杂β相MnO2电极材料的制备方法和应用，属于水系锌离子电池储能技术领域。本发明具体制作步骤如下：(1)室温下，按配比将水溶性锰盐和强氧化性化合物倒入烧杯中，加入去离子水搅拌均匀；(2)根据掺杂的摩尔比，称量少量...

本发明提供了一种三维电感器的制备方法，包括：提供衬底，第一面上形成有环形沟槽；形成锆钛酸铅薄膜覆盖环形沟槽的内壁，以形成三维电感器的磁芯；形成若干通孔至少部分环绕环形沟槽，通孔的深度大于或等于环形沟槽的深度，并在通孔内形成第一导线；在第...

本发明属于半导体光探测器技术领域，具体为一种基于带隙递变半导体薄膜的颜色感知器件及其制备方法。本发明颜色感知器件包括两个分立器件，输出两个信号；器件1使用带隙递变半导体薄膜作为光敏层，输出信号与光信号的光子能量和光通量有关；器件2使用较...

本发明公开一种基于SOI结构的雪崩光电二极管器件及其制备方法。该基于SOI结构的雪崩光电二极管器件包括：SOI衬底，其包括背衬底、埋氧化层和顶层硅；在顶层硅中形成有P

本公开实施例提供一种封装结构及其形成方法、电子设备。所述形成方法，包括：提供第一晶圆，具有相对的第一面和第二面；在所述第一晶圆中形成第一导电盲孔结构，从所述第一面显露；在所述第一面键合包括第二晶圆在内的至少一个晶圆，所述第二晶圆具有朝向...

本发明公开了一种基于二维材料浮栅晶体管的存算一体神经网络构建方法，浮栅晶体管具有非易失性，可以实现信息的长效、低功耗存储；采用crossbar阵列构建神经网络结构，实现矩阵乘和运算；神经网络层与层之间引入模拟电路，同时作为连接层、激活函...

本发明公开了一种基于过渡金属硫属化物和有机聚合物的忆阻器及其制备方法，属于半导体存储相关技术领域。本发明所述忆阻器自下而上依次包括底电极、忆阻功能层及顶电极，忆阻功能层位于所述顶电极及所述底电极之间。本发明所述忆阻器采用如下方法制备而成...

本发明公开一种雪崩光电二极管器件及其制备方法。该雪崩光电二极管器件包括：硅衬底；在硅衬底中形成有倒分布的深P阱，在其上方形成有P

发明公开了一种基于共价有机框架薄膜的忆阻器，其结构从下至上为：衬底、导电底电极、共价有机框架薄膜、有机聚合物薄膜和导电顶电极。忆阻器制备包括以下步骤：在0

本发明公开了一种拓扑相变材料忆阻器件的极性切换方法，其中，该忆阻器件包括由纯相SrFeO

本发明公开了一种神经突触仿生器件及其仿生控制方法，属于微电子器件技术领域，包括由下至上依次分布的下电极、阻变层、阻挡层和上电极；其中，阻变层为具有能级缺陷的阻变层，能够自发的捕获和释放载流子，且无需预先进行forming操作产生软击穿即...