本发明公开了一种用于低温固体氧化物燃料电池的LSCF

本发明属于存储器技术领域，更具体地，涉及一种免电激活的NiFe2O4阻变存储器及其制备方法。本发明提供的一种免电激活的NiFe2O4阻变存储器，包括自下而上设置的下电极层、阻变层和顶电极层；其中：下电极层为SrRuO3薄膜层；阻变层为N...

本发明提供了一种三维电感器及电子装置，所述三维电感器包括：基板，所述基板具有相对的第一面及第二面；线圈，由若干第一导线和若干第二导线依次连接而成，所述第一导线贯穿所述基板，所述第二导线沿所述第一面及所述第二面延伸；磁芯，设于所述基板内且...

本发明公开了一种用于特征选择的忆阻器遗传算法的加速器及其操作方法，加速器包括第一控制模块、忆阻器阵列模块、第二控制模块和处理器模块；第一控制模块将处理器模块发送的数据转换为模拟量后输入至忆阻器阵列模块中，并在解更新阶段更新忆阻器阵列模块...

本发明属于微电子器件技术领域，具体公开了一种门控离子通道仿神经突触忆阻器及其门控调节方法，该忆阻器自上而下包括上电极、阻变功能层和下电极，阻变功能层中的氧空位浓度先减少再增多，氧空位浓度的最小值出现在阻变功能层的中部区域；并且，在阻变功...

本发明属于微电子器件技术领域，公开了一种利用硬电极在低温退火条件下提高铁电器件性能方法，该方法针对的铁电器件自上而下包括上电极、铁电材料功能层、下电极和衬底，其中上电极所采用电极材料的硬度大于下电极所采用的电极材料的硬度；通过将该铁电器...

本申请属于太阳能电池技术领域，提供了一种无机钙钛矿纳米线薄膜的制备方法。首先将碘化铅溶解并在恒温条件下搅拌均匀得到碘化铅前驱液；在碘化铅前驱液中加入沉淀剂，得到淡黄色絮状物，并对淡黄色絮状物离心处理得到淡黄色胶体状物质，淡黄色胶体状物质...

本发明涉及一种基于掺杂锂化过渡金属氧化物的燃料电池，其包含紧密相连的阴极层、电解质层、阳极层；阴极层所采用的材料为掺杂锂化过渡金属氧化物；和/或，电解质层所采用的材料为掺杂锂化过渡金属氧化物；和/或，阳极层所采用的材料为掺杂锂化过渡金属...

本发明提供双层电解质结构的组装燃料电池及其制备方法，镧镨共掺杂氧化铈进行模压得到半电池坯片；将锶掺杂的铁酸镧的电解质溶液刷涂到半电池坯片的电解质一端，得到双层结构的半电池坯片；将含有双层结构的半电池坯片与阴极坯片在夹具内组装得到电池坯片...

本发明提供了一种基于锂镍氧化物材料的选通管及其制作方法，该选通管包括底层电极；中间层材料，位于所属底电极一侧表面；顶层电极，位于所述选通管材料层远离所述底层电极一侧表面。其中，所述底层电极的材料为泡沫镍(Ni form)、泡沫铜、金属镍...

本发明公开了Ni金属与MnO2离子交换制备电极材料的方法及其制备的电极材料和应用，属于电池技术领域。本发明方法具体如下：(1)将MnO2粉末与镍盐水溶液按一定比例混合，倒入聚四氟乙烯内衬中；(2)将步骤(1)所述聚四氟乙烯内衬放入衬有特...

本发明属于太阳能电池技术领域，公开了一种2D/3D钙钛矿太阳能电池及其制备方法，在2D钙钛矿层表面加盖载玻片使PEAI溶液与3D钙钛矿表面充分接触，使用PEAI作为2D钙钛矿阻挡层，在3D钙钛矿薄膜的顶部原位生长2D覆盖层，改进2D层的...

本发明公开了一种基于相变原理的太赫兹波调制器及其制备方法，其中，该太赫兹波调制器包括由下而上依次设置的衬底层、碲化锗相变材料层和覆盖层；衬底层和覆盖层均采用对太赫兹波透明的材料制成；碲化锗相变材料层，其上施加有纳秒级别的瞬时能量，用于根...

本发明公开了一种基于非易失存储器的前向梯度回归加速器及操作方法，该前向梯度回归加速器包括控制模块、存内处理模块和运算模块；控制模块，包括DRAM存储器，用于保存运算数据，并向存内处理模块和运算模块传输相应指令和数据；存内处理模块，包括非...

本发明公开了一种基于查找表的忆阻器电导调控方法及其应用。其中，该电导调控方法包括如下步骤：当需要调控忆阻器电导至目标电导区间时，从预先制作的查找表中查找与目标电导区间相匹配的脉冲序列信息，查找表存储有至少两个电导态与相对应脉冲的对应关系...

本发明公开了一种忆阻器的稳定电导获取方法、调控方法及应用。其中，该稳定电导获取方法包括如下步骤：向处于稳定低阻态的忆阻器的上下电极之间连续施加20～50个等幅值等脉宽的reset脉冲，并在施加的第10个reset脉冲起的每个reset脉...

本发明提供一种三维相变存储器及其制备方法，包括多个相变存储器单元；相变存储器单元由下到上依次包括：底电极层、选通材料层、缓冲层、存储材料层以及顶电极层；选通材料层和存储材料层为同质材料，均为X元素和Te元素的化合物；其中，X元素为In、...

本发明提供一种相变存储器的电热分析方法及系统，包括：将相变存储器的相变层等比例划分为相同体积的多个子区域；确定所述掺杂材料的掺杂比例，并按照掺杂比例计算掺杂材料所占的子区域数量；根据所计算的子区域数量随机选取相应数量的子区域填充掺杂材料...

本发明属于天线技术领域，公开了一种基于缺陷地的多频宽带化PIFA天线，包括由上向下依次排列的辐射单元、介质层、接地平面，以及短路壁和同轴馈线；短路壁一端与辐射单元连接，另一端穿过介质层和接地平面连接；同轴馈线一端与辐射单元连接，另一端穿...

本发明提供一种相变薄膜、薄膜制备方法及相变存储器，相变薄膜的化学组成符合化学通式(TiTe2)