本发明公开了一种选通管材料、选通管单元及其制备方法，属于微纳米电子技术领域。所述选通管材料为包括In、Te及M的化合物，其中，M为掺杂元素，且为C、Si、N、As、Sc、Ti、Ga、Hf及Y中的至少一种。所述选通管材料的化学通式为In

本发明提供一种基于导电丝电极的相变存储器及其制备方法，通过在底电极层施加正电压脉冲，顶电极层接地，使相变材料在晶态与非晶态之间实现相变过程，进而对器件的阻态进行调节。在施加脉冲后，活性电极中金属阳离子会被氧化，在介质层半导体材料中的缺陷...

本发明公开了一种求解优化问题的Hopfield网络硬件电路及操作方法，该电路包括突触模块、退火模块、神经元模块和激活函数模块；突触模块包括偏置单元和电子突触器件阵列的权重单元，偏置单元输出固定偏置电流信号，阵列以电导的形式编码为权重信息...

本发明公开了一种PQ

本发明提供了一种日盲型紫外光电探测器及其制备方法，该日盲型紫外光电探测器，包括：导电基底，其上开设有沟道；In掺杂的Ga2O3纳米柱阵列，其位于沟道上。本发明的日盲型紫外光电探测器，导电基底为自带沟道的导电基底，因而在导电基底的沟道两侧...

本发明公开了一种LNCAF电极材料、燃料电池及其制备方法，所述制备方法包括：将满足摩尔比为Li:Ni:Co:Al:F＝1:0.8:0.15:0.05:0.2或1:0.8:0.15:0.05:0.1的原料Co3O4、Al2O3、LiOH

本发明属于材料科学技术领域及电催化技术领域，具体涉及一种三相界面结构钴铁基催化剂及其制备方法和应用，本发明通过一步湿化学法得到的三相界面催化剂CoFe/CoFeO

本发明公开了一种不规则放电仿生神经元电路及其放电仿生方法，属于类脑仿生技术领域；包括：易失性忆阻器M1、电容C1、电阻R1和反馈模块；其中，易失性忆阻器M1的阈值电压和保持电压具有随机性，且易失性忆阻器M1的所有保持电压中存在小于V

本发明提供了一种NiFeZn LDHs/NF及其制备方法和应用，属于电解水制氢技术领域。本发明提供了一种NiFeZn LDHs/NF的制备方法，本发明采用水浴法在泡沫镍(NF)电极上原位生长NiFeZn LDHs，Zn的加入改变了Ni与...

本发明提供了一种超临界流体处理氧化铌选通管的方法，包括以下步骤：将氧化铌选通管置于反应腔体内，向所述反应腔体内加入水；向所述反应腔体内通入超临界二氧化碳流体，控制反应腔体内的压力为2800～3200psi、温度为380～424K，反应时...

本公开实施例提供一种键合补偿方法及装置、芯片再布线方法、键合结构。所述补偿方法包括：提供至少一个底部芯片，所述底部芯片上键合有多个顶部芯片；获取各个所述顶部芯片的实际键合位置相对于所述底部芯片的偏移量和各个所述顶部芯片上的待形成再布线层...

本公开提供一种芯片系统，所述芯片系统包括：第一基板；位于所述第一基板上阵列排布的多个第一功能芯片；以及位于所述第一功能芯片表面上的多个第二功能芯片；其中，所述第一功能芯片与所述第二功能芯片具有不同类型的功能；每个所述第二功能芯片在所述第...

本公开实施例提供一种芯片系统，所述芯片系统包括：第一晶圆，所述第一晶圆中具有阵列排布的多个第一功能芯片；第二晶圆，所述第二晶圆位于所述第一晶圆上方；所述第二晶圆中具有阵列排布的多个第二功能芯片；其中，所述第一功能芯片与所述第二功能芯片具...

本发明属于微电子器件技术领域，公开了一种提高铪基铁电器件性能的退火方法，铪基铁电器件包括铪基铁电功能层、第一电极和第二电极；记第一电极和第二电极中，相对较不易氧化的电极为惰性电极，另一者为对电极；退火过程中，通过控制退火炉的加热排灯，仅...

本发明提供了一种忆阻器的状态检测及其读写装置，属于忆阻器的应用技术领域；本发明的装置包括：模拟模块、数字模块、忆阻器模块以及检测电路；通过分析比较忆阻器的几类窗函数模型，使其能在电气特性方面和阻变存储单元的阻变转变特性相一致；并对状态检...

本发明提供一种感受稀疏性的神经网络运行系统及方法，包括：通过在神经网络突触区增加一行电子突触器件作为稀疏性感受区，且控制增加的电子突触器件的电导值一致，使得稀疏性感受区将输入信号对应的电压按比例转化为对应的电流，以在神经网络运行过程中感...

本申请属于太阳能电池技术领域，提供了一种Cu

本发明提供了一种鳍式浮栅存储器件，包括：衬底；隔离层，其位于衬底一侧面；鳍片，其位于隔离层远离衬底一侧面；隧穿介质层，其包覆于鳍片外周；浮栅，其包覆于隧穿介质层外周；栅氧化层，其包覆于浮栅外周；控制栅，其包覆于栅氧化层外周；其中，隧穿介...

本发明提供了一种以双氧水为反应物的超临界流体处理氧化铌选通管的方法，包括以下步骤：将氧化铌选通管置于反应腔体内，向反应腔体内加入水和双氧水；向反应腔体内通入超临界二氧化碳流体，控制反应腔体内的压力为2800～3200psi、温度为110...

本申请实施例提供一种键合补偿方法及装置、芯片再布线方法、键合结构。所述补偿方法包括：提供至少一个晶圆，所述晶圆上键合有多个芯片；根据所述晶圆上各个所述芯片的实际键合位置和预定键合位置，确定各个所述芯片的目标位置；其中，各个所述芯片的所述...