一种超临界流体处理氧化铌选通管的方法技术

本发明专利技术提供了一种超临界流体处理氧化铌选通管的方法，包括以下步骤：将氧化铌选通管置于反应腔体内，向所述反应腔体内加入水；向所述反应腔体内通入超临界二氧化碳流体，控制反应腔体内的压力为2800～3200psi、温度为380～424K，反应时间为1～2h。本发明专利技术的超临界流体处理氧化铌选通管的方法，采用超临界二氧化碳流体技术，以水为反应物，对已制备好的掺钛氧化铌选通管进行处理，成功降低了器件的OFF态电流，大幅提高了选通比，为器件的进一步集成和运用提供了有力支撑。和运用提供了有力支撑。和运用提供了有力支撑。

【技术实现步骤摘要】
一种超临界流体处理氧化铌选通管的方法


[0001]本专利技术涉及氧化铌选通管处理
，尤其涉及一种超临界流体处理氧化铌选通管的方法。

技术介绍

[0002]近年来，随着人工智能、云计算等新兴科学技术的不断发展，对于信息存储能力的需求日益提高。为了提高存储器的密度，器件的尺寸不断微缩，3D高密度存储器技术逐渐成为研究热点。存储器以十字交叉阵列的方式堆叠可实现理论上最高的集成密度，因此它成为大规模存储集成的首选方案。然而，十字交叉阵列结构中存在的串扰电流问题将严重影响器件的性能，并可能造成信息误读。存储单元串联一个选通管的结构(one
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selector one
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resistor,1S1R)被认为是解决该问题的最有潜力的方法之一。因此，发展性能优异的选通管至关重要，而基于金属
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绝缘体转变(Metal Insulator Transition,MIT)效应的选通管又因为具有材料组分简单、易于制备等特性被广泛关注。
[0003]MIT是指外部条件对能带结构或费米能级的影响，导致物体在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种超临界流体处理氧化铌选通管的方法，其特征在于，包括以下步骤：将氧化铌选通管置于反应腔体内，向所述反应腔体内加入水；向所述反应腔体内通入超临界二氧化碳流体，控制反应腔体内的压力为2800～3200psi、温度为380～424K，反应时间为1～2h。2.如权利要求1所述的超临界流体处理氧化铌选通管的方法，其特征在于，水的加入量为700μL～1.2mL。3.如权利要求1所述的超临界流体处理氧化铌选通管的方法，其特征在于，向所述反应腔体内通入超临界二氧化碳流体，控制反应腔体内的压力为3000psi、温...

【专利技术属性】
技术研发人员：马国坤，何哲，陈大磊，王浩，
申请(专利权)人：湖北江城实验室，
类型：发明
国别省市：