一种半导体结构以及形成方法技术

本公开提供了一种半导体结构和形成方法，其中，半导体结构，包括：衬底、互连结构、多个第一接触插塞和导电插塞；其中，导电插塞，贯穿衬底，并通过多个第一接触插塞，连接至互连结构；其中，多个第一接触插塞中的一部分呈同心环状排布。这样，能够避免导电插塞的形成过程对互连结构和金属层间电介质造成破坏。另外，呈同心环状排布的第一接触插塞，能够避免第一接触插塞和导电插塞发生变形。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及半导体领域，尤其涉及一种半导体结构以及形成方法。

技术介绍

1、穿透硅通孔(through silicon via，tsv)技术能够提高数据传输效率、降低功耗、实现小型化和高密度集成。然而，制造过程中存在填孔技术、热管理和应力问题以及电气隔离等挑战，并且，可能导致互连结构失效，如凸起、填充空洞和开裂分层等，需要在制造和应用过程中解决。

技术实现思路

1、有鉴于此，本公开实施例提供了一种半导体结构以及形成方法，以防止穿透硅通孔造成互连结构失效。

2、本公开的技术方案是这样实现的：

3、本公开实施例提供一种半导体结构，包括：衬底、互连结构、多个第一接触插塞和导电插塞；其中，所述导电插塞，贯穿所述衬底，并通过多个所述第一接触插塞，连接至所述互连结构；其中，多个所述第一接触插塞中的一部分呈同心环状排布。

4、上述方案中，多个所述第一接触插塞中的另一部分呈放射状排布。

5、上述方案中，每个所述接触插塞包括：第一区段、第二区段和第三区段；其中，所述第一区段，分别连本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底、互连结构、多个第一接触插塞和导电插塞；其中，

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，多个所述第一接触插塞中的另一部分呈放射状排布。

3.根据权利要求1或2所述的半导体结构，其特征在于，每个所述接触插塞包括：第一区段、第二区段和第三区段；其中，

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一接触插塞的硬度大于所述互连结构。

5.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，还包括：第一隔离结构；其中，

6.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，还包括：第二隔离结构...

【技术特征摘要】

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底、互连结构、多个第一接触插塞和导电插塞；其中，

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，多个所述第一接触插塞中的另一部分呈放射状排布。

3.根据权利要求1或2所述的半导体结构，其特征在于，每个所述接触插塞包括：第一区段、第二区段和第三区段；其中，

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一接触插塞的硬度大于所述互连结构。

5.根据权利要求3所述的半导体结构，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：何思，高标，万逸娴，程甜甜，
申请(专利权)人：湖北江城实验室，
类型：发明
国别省市：