【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体制造领域，尤其涉及一种晶边处理设备及晶圆的处理方法。
技术介绍
1、在半导体结构的制备过程中，通常需要经历再晶圆上先沉积材料层，然后执行对材料层进行光刻、刻蚀等工艺操作，以获得所需的图案结构。在实际操作中，在上述工艺执行的过程中，很容易在晶圆的边缘区域处产生缺陷源，为防止缺陷源对最终形成的器件产生不利的影响，在半导体结构的制备过程中，通常需要执行将位于晶圆边缘的材料层去除的工艺操作，即晶边刻蚀的操作。
2、然而，在执行晶边刻蚀的工艺操作过程中，仍存在许多问题亟待改善。其中一个问题便是在对晶圆边缘进行湿法刻蚀的过程中，处理液会产生溅射，导致污染晶圆表面，亟需一种办法解决处理液溅射的问题。
技术实现思路
1、本公开实施例提供了一种晶边处理设备，所述处理设备包括：
2、基台，所述基台包括用于放置待处理晶圆的第一表面；
3、喷液装置，所述喷液装置位于所述待处理晶圆的上方，且所述喷液装置用于向所述待处理晶圆的边缘区域提供处理液；
4、吸液装置，所述吸液装置至少包括吸液组件，所述吸液组件位于所述喷液装置和所述待处理晶圆的一侧，且与所述待处理晶圆之间具有预设距离，所述吸液装置用于吸收多余的处理液。
5、在一些实施例中，所述喷液装置至少包括喷嘴和第一连接管，所述吸液装置位于所述待处理晶圆邻近所述喷嘴的一侧，所述喷嘴的形状包括圆形、椭圆形、弧形、多边形、多个小孔组成网状中的至少一种或其组合。
6、在一些实施例中，
7、在一些实施例中，所述凹进区域的形状包括扇形、半圆形、三角形、多边形、不规则形状中的至少一种或其组合。
8、在一些实施例中，所述凹进区域的形状包括扇形，所述扇形的半径与所述待处理晶圆的半径相同或者不同；当扇形的半径与所述待处理晶圆的半径相同时，所述扇形的径向尺寸与所述待处理晶圆的半径的比值范围在2/9至1/3之间。
9、在一些实施例中，所述吸液装置还包括动力组件，所述动力组件与所述吸液组件连接，且所述动力组件通过调节动力值来控制所述吸液装置的吸液能力。
10、在一些实施例中，所述喷液装置提供处理液的速度为s1，所述吸液装置吸收多余处理液的速度为s2，s1≥s2。
11、在一些实施例中，所述预设距离包括平行于所述第一表面的第一预设距离和垂直于所述第一表面的第二预设距离，所述第一预设距离为待处理晶圆的端部与邻近所述待处理晶圆的部分吸液组件的端部之间的距离，所述第二预设距离包括所述待处理晶圆的表面与部分吸液组件的表面之间的距离。
12、在一些实施例中，所述第一预设距离的范围在0-5cm之间，所述第二预设距离的范围在0-5cm之间。
13、本公开实施例还提供了一种晶圆的处理方法，所述处理方法基于上述任一实施例提供的所述处理设备，所述处理方法包括：
14、提供待处理晶圆，所述待处理晶圆包括边缘区域，所述边缘区域上设置有待处理材料层；
15、将待处理晶圆置于机台上；
16、喷液装置用于向所述待处理晶圆的边缘区域提供处理液，以将所述待处理材料层去除；吸液装置包括吸液组件，所述吸液组件将未与所述待处理材料层反应的多余处理液吸收。
17、在一些实施例中，所述处理设备还包括流量调节组件，向所述待处理晶圆的边缘区域提供处理液，包括：
18、根据待处理材料层确定所述处理液的需求情况，流量调节组件用于根据处理液的需求情况调节所述处理液的流量和速度。
19、本公开实施例所提供的晶边处理设备及晶圆的处理方法，其中，所述晶边处理设备包括：基台，所述基台包括用于放置待处理晶圆的第一表面；喷液装置，所述喷液装置位于所述待处理晶圆的上方，且所述喷液装置用于向所述待处理晶圆的边缘区域提供处理液；吸液装置，所述吸液装置至少包括吸液组件，所述吸液组件位于所述喷液装置和所述待处理晶圆的一侧，且与所述待处理晶圆之间具有预设距离，所述吸液装置用于吸收多余的处理液。如此，在本公开实施例中，在待处理晶圆的上方、吸液装置和待处理晶圆的一侧位置处，分别设置了喷液装置和吸液装置，使得在晶边处理的过程中，位于晶圆上方的喷液装置可用于向待处理晶圆提供处理液，以使位于待处理晶圆的边缘区域的材料层可与处理液接触并反应，以实现带有缺陷源的材料层被去除的目的。同时，在该过程中，位于喷液装置和待处理晶圆一侧的吸液装置可将多余的处理液吸收掉，以防止多余的处理液溅射到位于中间区域的晶圆表面，从而可有效防止处理液对晶圆的中间区域产生腐蚀导致的缺陷产生的现象，以提高最终获得的半导体结构的生产良率及产品性能。
20、本公开的一个或多个实施例的细节在下面的附图和描述中提出。本公开的其它特征和优点将从说明书、附图变得明显。
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1.一种晶边处理设备，其特征在于，所述处理设备包括：
2.根据权利要求1所述的处理设备，其特征在于，所述喷液装置至少包括喷嘴和第一连接管，所述吸液装置位于所述待处理晶圆邻近所述喷嘴的一侧，所述喷嘴的形状包括圆形、椭圆形、弧形、多边形、多个小孔组成网状中的至少一种或其组合。
3.根据权利要求1所述的处理设备，其特征在于，所述吸液组件包括吸嘴和第二连接管，所述吸嘴包括凹进区域，所述凹进区域设置在所述吸嘴邻近所述喷液装置的一侧。
4.根据权利要求3所述的处理设备，其特征在于，所述凹进区域的形状包括扇形、半圆形、三角形、多边形、不规则形状中的至少一种或其组合。
5.根据权利要求3所述的处理设备，其特征在于，所述凹进区域的形状包括扇形，所述扇形的半径与所述待处理晶圆的半径相同或者不同；当扇形的半径与所述待处理晶圆的半径相同时，所述扇形的径向尺寸与所述待处理晶圆的半径的比值范围在2/9至1/3之间。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的处理设备，其特征在于，所述吸液装置还包括动力组件，所述动力组件与所述吸液组件连接，且所述动力组件通
7.根据权利要求6所述的处理设备，其特征在于，所述喷液装置提供处理液的速度为S1，所述吸液装置吸收多余处理液的速度为S2，S1≥S2。
8.根据权利要求1所述的处理设备，其特征在于，所述预设距离包括平行于所述第一表面的第一预设距离和垂直于所述第一表面的第二预设距离，所述第一预设距离为待处理晶圆的端部与邻近所述待处理晶圆的部分吸液组件的端部之间的距离，所述第二预设距离包括所述待处理晶圆的表面与部分吸液组件的表面之间的距离。
9.根据权利要求8所述的处理设备，其特征在于，所述第一预设距离的范围在0-5cm之间，所述第二预设距离的范围在0-5cm之间。
10.一种晶圆的处理方法，所述处理方法基于权利要求1-9中任一项所述的处理设备，其特征在于，所述处理方法包括：
11.根据权利要求10所述的处理方法，其特征在于，所述处理设备还包括流量调节组件，向所述待处理晶圆的边缘区域提供处理液，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种晶边处理设备，其特征在于，所述处理设备包括：
2.根据权利要求1所述的处理设备，其特征在于，所述喷液装置至少包括喷嘴和第一连接管，所述吸液装置位于所述待处理晶圆邻近所述喷嘴的一侧，所述喷嘴的形状包括圆形、椭圆形、弧形、多边形、多个小孔组成网状中的至少一种或其组合。
3.根据权利要求1所述的处理设备，其特征在于，所述吸液组件包括吸嘴和第二连接管，所述吸嘴包括凹进区域，所述凹进区域设置在所述吸嘴邻近所述喷液装置的一侧。
4.根据权利要求3所述的处理设备，其特征在于，所述凹进区域的形状包括扇形、半圆形、三角形、多边形、不规则形状中的至少一种或其组合。
5.根据权利要求3所述的处理设备，其特征在于，所述凹进区域的形状包括扇形，所述扇形的半径与所述待处理晶圆的半径相同或者不同；当扇形的半径与所述待处理晶圆的半径相同时，所述扇形的径向尺寸与所述待处理晶圆的半径的比值范围在2/9至1/3之间。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的处理设备，其特征在于，所述吸液装置还包括动力组件，...
【专利技术属性】
技术研发人员：夏凯睿，谢冬，高标，刘俊哲，
申请(专利权)人：湖北江城实验室，
类型：发明
国别省市：
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