一种晶圆的清洁方法及清洁系统技术方案

本发明专利技术属于半导体制造技术领域，更具体地，涉及一种晶圆的清洁方法及清洁系统。通过在待清洁晶圆低速旋转的同时，从待清洗晶圆的中心向边缘依时序分多次喷洒清洁介质，在惯性作用下将副产物逐步移出晶圆边缘，达到晶圆清洁的目的，尤其适用于经过芯片切割工艺后待键合的晶圆表面副产物的清洁。合的晶圆表面副产物的清洁。合的晶圆表面副产物的清洁。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆的清洁方法及清洁系统


[0001]本专利技术属于半导体制造
，更具体地，涉及一种晶圆的清洁方法及清洁系统。

技术介绍

[0002]随着半导体技术进入后摩尔时代，为满足高集成度和高性能的需求，芯片结构向着三维方向发展。其中，通过键合技术实现“异质混合”是“超摩尔定律”的重要技术之一，混合键合工艺能够将不同工艺节点制程的芯片进行高密度的互连，实现更小尺寸、更高性能和更低能耗的系统级集成。
[0003]现有的混合键合方式通常有晶圆与晶圆的键合（W2W）、芯片与芯片的键合（C2C）和芯片与晶圆的键合（C2W），其中针对C2C和C2W混合键合工艺，将wafer bonder到frame之后会进行激光切割（laser grooving）和等离子切割（plasma dicing）的芯片（Die）切割，在切割完之后，会有激光保护液和等离子切割留下的颗粒状副产物需要去除，由于晶圆是通过承载膜比如UV膜贴在绷膜环上的，经过等离子体切割之后的UV 膜上的芯片（die）无法通过传统高速旋转（spin）的方式进行清洗和干燥，降低转速必然影响清洗和干本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆清洁方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）在待清洁晶圆低速旋转的同时，从所述待清洗晶圆的中心向边缘依时序分多次喷洒清洗介质，定义从中心向边缘完成一次喷洒过程为一个喷洒周期，重复若干个喷洒周期，使所述待清洁晶圆表面的副产物从晶圆边缘移出；（2）在待清洁晶圆低速旋转的同时，从所述待清洗晶圆的中心向边缘依时序分多次喷洒清洁干燥介质，定义从中心向边缘完成一次喷洒过程为一个喷洒周期，重复若干个喷洒周期，以干燥所述待清洁晶圆表面。2.如权利要求1所述的晶圆清洁方法，其特征在于，所述待清洁晶圆为经过切割工艺切割后的晶圆。3.如权利要求2所述的晶圆清洁方法，其特征在于，所述待清洁晶圆低速旋转，其旋转速度小于或等于100 rad/min。4.如权利要求2所述的晶圆清洁方法，其特征在于，所述清洗介质为一种或多种，所述清洗介质为多种时，所述多种清洗介质为按顺序进行周期性喷洒或在同一个周期内进行交替喷洒；所述清洁干燥介质为一种或多种，所述清洁干燥介质为多种时，所述多种清洁干燥介质为按顺序进行周期性喷洒或在同一个周期内进行交替喷洒。5.如权利要求4所述的晶圆清洁方法，其特征在于，所述切割工艺为激光切割和等离子切割；所述清洗介质包含水和EKC溶液；所述清洁干燥介质包含IPA和氮气；所述清洗介质的喷洒方式为：先进行水的多个周期喷洒，然后进行EKC溶液的多个周期喷洒，再进行水的多个周期喷洒；所述清洁干燥介质的喷洒方式为：在同一个喷洒周期内将氮气和IPA按时序分多次进行交替喷洒，完成一个喷洒周期后，再重复多个喷洒周期。6.如权利要求1所述的晶圆清洁方法，其特征在于，从所述待清洗晶圆的中心向边缘依时序分多次喷洒清洗介质或清洁干燥介质时，通过下述方法中一种或多种提高清洁效果：（I）提高一个喷洒周期内的喷洒次数；（II）提高单次喷洒的流量；（III...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘天建，宋林杰，曹瑞霞，谢冬，
申请(专利权)人：湖北江城实验室，
类型：发明
国别省市：