一种晶圆的切割方法技术

本发明专利技术提供一种晶圆的切割方法，包括：提供一待切割晶圆，所述待切割晶圆具有相对设置的混合键合表面和背面，以及连接所述混合键合表面和背面的侧壁，待切割晶圆包括多个待混合键合芯片以及位于相邻待混合键合芯片之间的切割道；将待切割晶圆的混合键合表面朝向所述载盘设置，且混合键合表面的至少大部分与载盘之间未接触，并对背面执行贴膜工艺；从混合键合表面沿切割道对待切割晶圆执行激光开槽工艺，以在混合键合表面形成网格状的槽孔；在槽孔中执行激光隐形切割工艺，以得到单个的待混合键合芯片。本发明专利技术通过步骤S2，即非接触贴膜可有效规避临时键合工艺或背面贴膜工艺，降低成本同时避免了残胶的污染。成本同时避免了残胶的污染。成本同时避免了残胶的污染。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆的切割方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种晶圆的切割方法。

技术介绍

[0002]随着半导体技术进入后摩尔时代，为满足高集成度和高性能的需求，芯片结构向着三维方向发展。其中，通过键合技术实现“异质混合”是“超摩尔定律”的重要技术之一，混合键合工艺能够将不同工艺节点制程的芯片进行高密度的互连，实现更小尺寸、更高性能和更低功耗的系统级集成。
[0003]在半导体晶圆制造领域，在混合键合前的晶圆切割过程中，晶圆的混合键合表面朝下且整个混合键合表面接触设备平台，这会使得晶圆的混合键合表面上的图层被设备平台划伤，因此，需要对晶圆混合键合表面的图层附加载体来保护。而常用的载体有临时键合载体晶圆或BG膜，这两种方法均能有效保护晶圆的混合键合表面的图层，其中，临时键合载体晶圆能有效去除，满足后续工艺(例如混合键合工艺)标准，且溶剂清洗后晶圆的混合键合表面的洁净度优于BG膜，但是，临时载体晶圆与晶圆的混合键合表面之间所需的键合胶以及清洁用的溶剂的成本极高，极大提高了生产成本。若采用BG膜，撕膜后会有少量残胶难以清洗去除，不满足后续工艺(例如混合键合工艺)标准。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种晶圆的切割方法，在混合键合前的晶圆切割过程中，无需在晶圆的非键合表面上形成临时键合载体晶圆或BG膜，以实现在混合键合前无载体的切割工艺，满足混合键合工艺标准，还降低生产成本。
[0005]为了解决上述问题，本专利技术提供一种晶圆的切割方法，包括以下步骤：
>[0006]步骤S1：提供一待切割晶圆，所述待切割晶圆具有相对设置的混合键合表面和背面，以及连接所述混合键合表面和背面的侧壁，所述待切割晶圆包括多个待混合键合芯片以及位于相邻所述待混合键合芯片之间的切割道；
[0007]步骤S2：将所述待切割晶圆的混合键合表面朝向所述载盘设置，且所述混合键合表面的至少大部分与所述载盘之间未接触，并对所述背面执行贴膜工艺；
[0008]步骤S3：从所述混合键合表面沿所述切割道对所述待切割晶圆执行激光开槽工艺，以在混合键合表面形成网格状的槽孔；
[0009]步骤S4：在所述槽孔中执行激光隐形切割工艺，以得到单个的待混合键合芯片。
[0010]可选的，步骤S2包括：
[0011]将所述待切割晶圆置于第一载盘上，所述混合键合表面朝向所述第一载盘设置,且所述混合键合表面的至少大部分与所述第一载盘之间未接触；
[0012]对所述背面执行贴膜工艺，其中，所述第一载盘为环状载盘，且所述第一载盘的内环直径小于所述待切割晶圆的直径，且较所述待切割晶圆的直径小1mm～10mm。
[0013]进一步的，所述第一载盘的内环直径较所述待切割晶圆的直径小1mm～5mm。
[0014]进一步的，步骤S1和步骤S2之间还包括：
[0015]从所述混合键合表面侧对所述待切割晶圆的边缘执行裁剪工艺，以在所述待切割晶圆的边缘形成环形的凹槽。
[0016]进一步的，所述凹槽的径向长度为1mm～10mm。
[0017]可选的，所述第一载盘为环状载盘，且所述第一载盘的轴向截面为L型。
[0018]进一步的，所述第一载盘包括第一部分和第二部分，所述第二部分堆叠在所述第一部分的一个表面上，且所述第一部分和第二部分均为环状，所述第二部分的内环直径较所述第一部分的内环直径大，所述第二部分的内环直径还较所述待切割晶圆的直径大。
[0019]进一步的，步骤S2包括：
[0020]将所述待切割晶圆置于第一载盘上，所述混合键合表面置于所述第一部分朝向所述第二部分的表面上，且限位在所述第二部分的内侧；以及
[0021]对所述背面执行贴膜工艺，使得所述背面上贴覆有UV膜，并将所述UV膜通过绷膜环绷紧。
[0022]进一步的，步骤S1和步骤S2之间还包括：
[0023]从所述混合键合表面侧对所述待切割晶圆的边缘执行裁剪工艺，以在所述待切割晶圆的边缘形成环形的凹槽。
[0024]可选的，步骤S2包括：
[0025]采用夹钳将所述待切割晶圆非接触的限位在第二载盘上方，所述第二载盘为气浮平台；
[0026]对所述背面执行贴膜工艺。
[0027]可选的，所述待切割晶圆的厚度大于500um。
[0028]与现有技术相比，本专利技术的有益效果如下：
[0029]本专利技术提供一种晶圆的切割方法，包括以下步骤：步骤S1：提供一待切割晶圆，所述待切割晶圆具有相对设置的混合键合表面和背面，以及连接所述混合键合表面和背面的侧壁，所述待切割晶圆包括多个待混合键合芯片以及位于相邻所述待混合键合芯片之间的切割道；步骤S2：将所述混合键合表面朝向所述载盘设置，且所述混合键合表面的至少大部分与所述载盘之间未接触，并对所述背面执行贴膜工艺；步骤S3：从所述混合键合表面沿所述切割道对所述待切割晶圆执行激光开槽工艺，以在混合键合表面形成网格状的槽孔；步骤S4：在所述槽孔中执行激光隐形切割工艺，以得到单个的待混合键合芯片。本专利技术通过将所述待切割晶圆的混合键合表面朝向所述载盘设置，且所述混合键合表面的至少大部分与所述载盘之间未接触，并对所述背面执行贴膜工艺(步骤S2)，即非接触贴膜可有效规避临时键合工艺或背面贴膜工艺，降低成本同时避免了残胶的污染。
附图说明
[0030]图1为本专利技术一实施例的一种晶圆的切割方法的流程示意图；
[0031]图2a
‑
2f为本专利技术实施例一的一种晶圆的切割方法的各步骤中的结构示意图。
[0032]图3为本专利技术实施例二的步骤S2中所对应的结构示意图。
[0033]附图标记说明：
[0034]10
‑
待切割晶圆；10a
‑
混合键合表面；10b
‑
背面；10c
‑
侧壁；11
‑
衬底；12
‑
混合键合
结构；13
‑
凹槽；14
‑
待混合键合芯片；
[0035]20
‑
第一载盘；21
‑
第一部分；22
‑
第二部分；
[0036]31
‑
UV膜；32
‑
绷膜环；
[0037]41
‑
第二载盘；42
‑
夹钳。
具体实施方式
[0038]以下将对本专利技术的一种晶圆的切割方法作进一步的详细描述。下面将参照附图对本专利技术进行更详细的描述，其中表示了本专利技术的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本专利技术而仍然实现本专利技术的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本专利技术的限制。
[0039]为了清楚，不描述实际实施例的全部特征。在下列描述中，不详细描述公知的功能和结构，因为它们会使本专利技术由于不必要的细节而混乱。应当本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆的切割方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：提供一待切割晶圆，所述待切割晶圆具有相对设置的混合键合表面和背面，以及连接所述混合键合表面和背面的侧壁，所述待切割晶圆包括多个待混合键合芯片以及位于相邻所述待混合键合芯片之间的切割道；步骤S2：将所述待切割晶圆的混合键合表面朝向所述载盘设置，且所述混合键合表面的至少大部分与所述载盘之间未接触，并对所述背面执行贴膜工艺；步骤S3：从所述混合键合表面沿所述切割道对所述待切割晶圆执行激光开槽工艺，以在混合键合表面形成网格状的槽孔；步骤S4：在所述槽孔中执行激光隐形切割工艺，以得到单个的待混合键合芯片。2.如权利要求1所述的晶圆的切割方法，其特征在于，步骤S2包括：将所述待切割晶圆置于第一载盘上，所述混合键合表面朝向所述第一载盘设置且所述混合键合表面的至少大部分与所述第一载盘之间未接触；对所述背面执行贴膜工艺，其中，所述第一载盘为环状载盘，且所述第一载盘的内环直径小于所述待切割晶圆的直径，且较所述待切割晶圆的直径小1mm～10mm。3.如权利要求2所述的晶圆的切割方法，其特征在于，所述第一载盘的内环直径较所述待切割晶圆的直径小1mm～5mm。4.如权利要求2所述的晶圆的切割方法，其特征在于，步骤S1和步骤S2之间还包括：从所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘天建，田应超，李琳瑜，曹瑞霞，胡海威，孙远，
申请(专利权)人：湖北江城实验室，
类型：发明
国别省市：