晶圆切割方法技术

本发明专利技术提供了一种晶圆切割方法，包括：提供器件晶圆；采用第一激光切割工艺沿所述器件晶圆的正面向下开槽，以在所述器件晶圆的正面形成第一凹槽；去除形成所述第一凹槽时的残留物；将所述器件晶圆的正面和一载片进行临时键合；以及，采用等离子体切割工艺沿所述器件晶圆的背面向下开槽，以在所述器件晶圆的背面形成第二凹槽，所述第一凹槽与所述第二凹槽连通构成切割道。本发明专利技术改善了器件晶圆切割工艺，提高设备适用性及缩小器件晶圆切割道。提高设备适用性及缩小器件晶圆切割道。提高设备适用性及缩小器件晶圆切割道。

【技术实现步骤摘要】
晶圆切割方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种晶圆切割方法。

技术介绍

[0002]目前对晶圆切割方式主要包括：刀轮切割方式、激光切割方式和等离子体切割方式。其中刀轮切割方式破坏性大，容易导致晶圆中的介质层碎裂产生蹦口或分层，影响芯片性能，且刀轮形成的切割道的横向宽度较大，不利于芯片微缩，且无法应用于表面要求很高的混合键合界面；激光切割方式形成的切割道的横向宽度较小，但是会导致材料的热重熔现象，即使在晶圆的表面盖上保护胶，熔渣作为颗粒物也会堆积在槽口周围；等离子体切割方式应用面较窄，不过刻蚀剂的选择难度较大。
[0003]在现有技术中需要在切割之前在晶圆的背面粘贴一层固定晶粒的膜，然后进行晶圆的切割，此膜也就是切割膜，一般会采用UV膜或蓝膜等，例如采用UV膜，在激光照射UV膜之后，UV膜的粘性迅速下降，晶粒容易取下。但是在切割时利用这种UV膜需要采用绷膜环去承接，而工艺设备和传统的半导体前段晶圆载体设备不兼容；并且UV膜耐温较低，温度一般不能超过100摄氏度，在强酸强碱等特殊溶剂下清洗状况较差，温度过高或特殊溶剂的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆切割方法，其特征在于，包括：提供器件晶圆；采用第一激光切割工艺沿所述器件晶圆的正面向下开槽，以在所述器件晶圆的正面形成第一凹槽；去除形成所述第一凹槽时的残留物；将所述器件晶圆的正面和一载片进行临时键合；以及，采用等离子体切割工艺沿所述器件晶圆的背面向下开槽，以在所述器件晶圆的背面形成第二凹槽，所述第一凹槽与所述第二凹槽连通构成切割道。2.如权利要求1所述的晶圆切割方法，其特征在于，所述器件晶圆包括衬底及形成于所述衬底上的混合键合层，所述混合键合层的表面为所述器件晶圆的正面，采用所述第一激光切割工艺沿所述器件晶圆的正面向下开槽，以在所述混合键合层中形成贯穿的所述第一凹槽。3.如权利要求2所述的晶圆切割方法，其特征在于，所述第一凹槽的横向宽度为0.1um～120um，所述第一凹槽的垂向深度为1um～20um。4.如权利要求1所述的晶圆切割方法，其特征在于，采用湿法刻蚀工艺、研磨工艺或干法刻蚀工艺去除形成所述第一凹槽时的残留物。5.如权利要求1所述的晶圆切割方法，其特征在于，将所述器件晶圆的正面和所述载片进行临时键合的步骤包括：在所述器件晶圆的正面及所述载片的表面涂布临时键合胶；通过所述临时键合胶将所述器件晶圆及所述载片进行临时键合。...

【专利技术属性】
技术研发人员：李琳瑜，张景慧，
申请(专利权)人：湖北江城实验室，
类型：发明
国别省市：