本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种自对准金属硅化物的制造方法，包含以下步骤：提供一基板，在该基板上形成阱区；在形成有阱区的基板上生长第一介电层；再形成一层多晶硅以形成多晶硅栅极结构；在阱中植入离子形成轻掺杂区；形成侧间隙壁，而后形成...

本实用新型公开了一种快速热退火机台，属于半导体加工技术领域。所述快速热退火机台，包括用于放置晶片盒的平台，所述平台为方形，所述平台上设置有用于检测所述晶片盒是否放置平稳的晶片盒传感器，所述晶片盒传感器包括第一至第三晶片盒传感器，所述第一...

本实用新型公开了一种手持式光罩夹，包括绝缘手柄和贯穿并从绝缘手柄一端延伸而出弯折互相形成张口状的导电夹臂ａ和导电夹臂ｂ，两导电夹臂在绝缘手柄内并串联一指定阻值的电阻，并从绝缘手柄的另一端伸出与接地端相连，其特征在于：所述电阻为阻值可调电...

本发明提出了一种二段式太阳能电池的制造方法，包括：制造基板；在基板上形成掩膜层，并在所述掩膜层表面制成开口；在掩膜层下方植入杂质，且位于所述开口处的杂质浓度高于位于非开口处的杂质浓度；进行杂质活化；在表面形成反射防止膜并形成电极。本发明...

本发明提出了一种形成改善的浅绝缘沟槽结构的方法，包括以下步骤：步骤１，将具有浅沟槽绝缘结构的半导体器件送入炉管，该半导体器件表面具有硅材料，向炉管内通入氧化用气体进行氧化，在半导体器件表面生成氧化膜；步骤２，在炉管中通入含氮气体以清洗炉...

本发明揭示一种半导体制程。首先，提供一基底，基底上已形成一堆叠结构及位于堆叠结构上的罩幕层。然后，形成氧化物层在罩幕层及至少部份堆叠结构的表面。接着，在堆叠结构的侧壁形成第一间隙壁。之后，在第一间隙壁的侧壁形成第二间隙壁。继而，进行第一...

本发明提供了一种改善浅沟槽绝缘结构的方法，包括以下步骤：提供一种半导体衬底，衬底上具有浅沟槽结构，包括浅沟槽结构表面的衬底表面覆盖有一层阻挡层，该阻挡层的材料为氮化物，浅沟槽结构的表面的阻挡层的厚度小于衬底表面其他位置的阻挡层厚度；在半...

本发明涉及一种改善金属层间介电层平坦度的方法，包括如下步骤：步骤１，提供一衬底，在该衬底上形成所需的结构，形成晶片结构；步骤２，在该衬底上沉积一层金属层；步骤３，在该金属层上沉积一层用于隔离另一金属层的介电层；步骤４，在该晶片结构除边缘...

本发明提出了一种辅助分配系统和辅助分配方法，辅助分配系统包括以下部分：存储模块，用以存储用于产品生产的信息；处理模块，用以从存储部接收所需产品信息，计算产品在未来数天内的步骤，分配产品和发出通知；输入输出模块，用于输入终端的指令到辅助分...

本发明提供了一种改善的氮氧化硅去除的方法，包括以下步骤：步骤１，提供一半导体衬底；步骤２，在半导体衬底上设置浅沟槽隔离结构，区分半导体衬底中的有源区；步骤３，在半导体衬底上沉积介电层并去除部分介电层，使介电层仅位于有源区上方；步骤４，沉...

本发明提出了一种用于互连的气隙结构，包括：依次排列的蚀刻终止层、填充层和第二覆盖层，填充层为相互不连通的多个通孔和沟槽结构，通孔和沟槽结构中填充有填充物，上述填充层之间具有气隙部。本发明的有益效果在于气体的介电常数较佳，远小于我们通常用...

本发明涉及一种离子植入机和离子植入方法，该离子植入机主要包含并排在一起的多个的离子源、并排在一起的多个分析磁场单元、并排在一起的多个孔、具有汇聚离子束作用的磁场、以及萃取电压源。上述多个离子源各自产生离子束，所产生的多个离子束在萃取电压...

本发明涉及一种基于半导体测试数据的数据处理方法，首先从数据库中将已存储在数据库中的数据传递给被处理系统，然后在该被处理系统中中将所述数据与半导体测试数据进行比较，比较两个数据中的至少一个待比较值，如果有待比较值异常，则进入数据矫正阶段，...

本发明提供了一种实时监测反应室漏气的方法，该方法使用全波长光谱仪来实时监测反应室漏气的状况。使用全波长光谱仪后，如反应室有漏气，全波长光谱仪就能侦测到３８７ｎｍ波长的ＣＮ光谱（ＣＮ是漏入反应室的Ｎ２和反应室中Ｃ的反应生成物）。通过对反应...

本发明提出了一种去除残留缺陷的方法，包括：步骤１，提供一半导体结构，该半导体结构中具有已填充有金属的接触窗；步骤２，在上述半导体结构上再次沉积金属层；步骤３，对沉积的金属层进行化学机械研磨处理。本发明的有益效果在于在化学机械研磨前，重新...

本发明提出了一种制造高操作电压ＭＯＳ中的双扩散漏极的方法，包括以下步骤：步骤１，在半导体衬底上依次形成栅氧化物层和掺杂的多晶体层；步骤２，在上述栅氧化物层和掺杂的多晶体层上沉积掺杂氧化物层；步骤３，蚀刻除去双扩散漏极区域以外区域的掺杂的...

本发明涉及一种新型的金属蚀刻方法，该方法包含如下步骤：提供一个基板，并在该基板上沉积一层金属层，再沉积一层硬式掩膜层，在该硬式掩膜层上方再沉积一层光阻物质；先用曝光蚀刻部分光阻物质，得到线宽；对上述硬式掩膜层进行蚀刻，将未蚀刻的部分光阻...

本发明揭示一种栅极结构的制造方法。首先，提供一衬底，衬底上已形成栅极介电层，且栅极介电层上形成有至少一介电柱。然后，在衬底上方顺应性形成多晶硅层，覆盖住介电柱与栅极介电层。之后，进行一刻蚀工艺，移除部分的多晶硅层，以于介电柱的侧壁形成二...

本发明涉及一种制造改善寄生漏电流的ＳＴＩ结构的方法，该方法包含如下步骤：提供一个具有浅沟渠绝缘结构的基底，该基底上表面涂覆有ＳｉＮ罩幕层；在该基底的上部及浅沟渠绝缘结构中沉积氧化物；对上述氧化物进行第一次研磨；在研磨至ＳｉＮ罩幕层后停止...

本发明涉及一种测试ＮＭＯＳ热载流子注入寿命的方法，包括以下步骤：步骤１、测试系统将测试电压应力加到被测器件的漏极，该测试电压的值为穿通电压的６０％～７０％之间；步骤２、漏极所加电压应力时的最大基底电流所对应的栅压为栅极电压应力，通入此栅...