本发明提出一种避免产生掉落性微粒的晶片清洗方法，所述方法至少包括以下步骤：步骤１：在清洗槽中对待清洗晶片进行晶背刷洗；步骤２：将上述经过刷洗后的晶片放入湿法清洗机台进行湿法清洗。本发明能够在晶片进行湿法清洗前将晶背附着的微粒刷洗掉，从而...

本发明涉及一种为Ｌｏｔｕｓ数据库备份数据的方法，首先在需要做备份的数据库中建立设定档，设定相关路径；其次选中需要做备份的数据库中所有需要做备份的文档，通过运行事先写好的代理程式将这些文档搬移到设定档中设定的路径下，则整个备份过程结束。本...

本发明涉及一种改善ＭＯＳＦＥＴ?ＳＴＩ差排的方法，提供一具有浅沟槽绝缘结构的基底，该基底上表面涂覆有ＳｉＮ层；在ＳｉＮ层上生长牺牲氧化物层，生长的同时在一段预定时间内通入预定温度的氮气进行回火处理。采用本发明方法可以显著降低差排现象，提...

本发明涉及一种通过改善浅沟槽绝缘结构的边缘形成晶片的方法，包括以下步骤：步骤１，提供一具有半导体衬底的晶片，该半导体衬底上方至少具有依次沉积的阻挡氧化层和氮化物层；步骤２，蚀刻形成浅沟槽绝缘结构，并对该浅沟槽绝缘结构进行填充，形成填充氧...

本发明涉及一种控制刀圈以防止显影液残留的方法，在该方法中该刀圈以可活动方式设置在晶片背面，与晶片背面之间留有预定的间隙；清洗晶片背面前上述刀圈与上述晶片背面之间的间隙是第一间隙；清洗晶片背面时上述刀圈与上述晶片背面之间的间隙是第二间隙；...

一种降低钨缺失效应的方法及半导体结构，该方法包括提供一半导体基板，该半导体基板中具有通孔结构，该通孔结构贯通该半导体基板，该通孔结构中填充钨Ｗ，而后在通孔结构中掺杂活性比钨强的金属或者在该通孔结构上方沉积一层活性比钨强的金属，而后再沉积...

本发明提出了一种降低接触孔蚀刻后簇状缺陷的方法，包括：在接触孔蚀刻后，使用氢氧化铵ＮＨ４ＯＨ与过氧化氢Ｈ２Ｏ２的混合物对基底进行清洗；沿与基底基本垂直的方向，利用原子化清洗的方法对基底再次进行清洗。其中步骤１中使用氢氧化铵ＮＨ４ＯＨ与过...

本发明提出了一种去除光阻的方法，其特征在于包括以下步骤：步骤１，提供一层衬底；步骤２，在不需要植入离子的部位涂覆光阻并进行光照处理；步骤３，在步骤２所得到的结构中植入离子，此时，未被光阻覆盖的部分中具有被植入的离子，同时光阻表面也因为植...

本发明提出一种实现浅沟槽结构的方法，其特征在于，至少包括以下步骤：提供半导体衬底，该半导体衬底中具有芯片所需的结构；蚀刻形成浅沟槽结构；沉积氧化物层；进行化学机械研磨，在半导体衬底上沉积氧化物；将进行了化学机械研磨的半导体衬底在高温下放...

本发明提出一种ＰＥＣＶＤ薄膜沉积的自动化制程控制方法，其特征在于，包括：测机流程，生产流程；上述测机流程包括：步骤１：确定沉积厚度与沉积秒数的关系式；步骤２：用ＰＥＣＶＤ机台根据指定厚度在测机控片上进行沉积；步骤３：沉积完成后，对测机控...

本发明涉及一种检测正光阻曝光门槛能量的方法，该方法包括以下步骤：步骤１，在晶片上涂覆光阻层；步骤２，用无图形的光罩对该晶片进行能量递进式曝光，以从晶片的一端向另一端曝光能量逐渐减小或增大的方式曝光该晶片，分区化该晶片形成曝光区；步骤３，...

本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种防止异丙醇洗涤器（ＩＰＡｓｃｒｕｂｂｅｒ）堵塞的系统。该系统包括：与异丙醇洗涤器连通的用于流入待洗涤流体入口以及与异丙醇洗涤器连通的用于流出待洗涤流体的出口；与异丙醇洗涤器中的联喷头连通的、用于稀释...

本发明公开了一种晶圆级电迁移性能测试的改善方法，以解决原先因机台测试程式不合理而造成的设备硬件损伤及晶片状态下器件的烧损。做法是：使用机台型号为“Ａｇｉｌｅｎｔ　４０７０”的测试系统，并使用量测探针两端分别相连于电流电压源及待测对象的端...

本发明提供了一种高压ＭＯＳ器件浅沟槽区域的制程方法，其特征在于：步骤１：在硅衬底表面定义出需要进行浅沟槽隔绝蚀刻的区域；步骤２：对定义出来的区域采用高密度等离子体进行干法蚀刻；步骤３：高温湿润条件下，在浅沟槽表面生成牺牲氧化层；步骤４：...

本发明公开了一种转碟式空气阀的调控装置改良，所述调控装置包括驱动控制盒及驱动电机，驱动电机的转轴连接有差速齿轮，然后差速齿轮的转轴连接一个运动杠杆，其改良在于：所述的差速齿轮上的转轴与控制驱动盒内壁之间固设一针对转轴进行支撑的轴承。差速...

本发明公开了一种ＵＶ光阻硬化机台异常的侦测方法：利用预检光阻薄膜作为侦测媒介，量测并比对该预检光阻薄膜在ＵＶ硬化处理前后的收缩量差值以及光学特性的变化程度，从而实现对ＵＶ光阻硬化机台工作情况的掌控。其中，所述的预检光阻薄膜为无ＩＣ图像晶...

本发明公开了一种静电吸合器供电装置的继电单元改良，其特征在于：在原有继电器（Ｋ１）的焊装位置采用ＩＣ底座插接的方式，将原有继电器（Ｋ１）替换为模块化设计且具有继电器功能的单一ＰＣＢ板，其中所述的ＰＣＢ板上焊装了排状针座、ＲＣ滤波电路及电...

本发明提出了一种晶片背面定位系统，包括至少两组光学显微系统，上述至少两组光学显微系统分别置于待观测目标的正面和背面，位于晶片正面和背面的光学显微系统互相对准，随相对应的光学显微系统移动而移动。本发明的有益效果在于，由于可以在晶片正面和背...

本发明提供了一种集成电路晶片结构及其制造方法，该制造方法包括以下 步骤：步骤1，在基底上沉积第一多晶硅层和第二多晶硅层；步骤2，在第二多 晶硅层和/或第一多晶硅层上涂覆光阻并对光阻进行蚀刻；步骤3，对第一多晶 硅层和第二多晶硅层进行蚀刻...

本发明提供了一种半导体炉管的温度设置方法，该炉管分为内管和外管，外管的外部具有加热装置，内管内部装设有用于装载晶片的晶舟和用于监控内管内部情况的监控器，内管的上、下端和外管的下端均设置有进气口和排气口；炉管沿轴向分为至少３个区域，利用加...