【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件，尤其涉及高压MOS器件浅沟槽区域的制程方 法，属于半导体制造领域。
技术介绍
在0.25 以下的成熟制程中，通常使用蚀刻形成浅沟槽的方式来达到 元器件相隔绝的目的。为防止尖端放电的产生，在浅沟槽蚀刻后进行介电材 料的绝缘填充前，往往都会在浅沟槽内生长一层薄薄的氧化层，使得浅沟槽 的折角处能够较为平滑。 一般情况下，高压MOS器件会应用在电压较高的 环境下(电压大于12伏)，所以栅氧化层的厚度比较高(通常大于 200A)。由于制程能力的限制，浅沟槽折角处的硅衬底与一般平坦的硅衬底的氧 化速率存在差异，由此带来的一个困扰是当栅氧化层越厚时，整个MOS器件的浅沟槽折角处的厚度及平滑度就会比较难控制，直接影响栅氧化层的可靠性。如果当浅沟槽折角处的厚度及平滑度不均匀，整个高压MOS器件 栅氧化层的可靠性将会更糟糕，突出表现在TDDB (Time Dependent Dielectric Breakdown)测试不易得到较好的结果。故而，为了解决这个问题，改善高压MOS器件浅沟槽折角处的厚度及 平滑度的均匀性，便成为该行业技术人员钻研的一个重要课题...
【技术保护点】
高压ＭＯＳ器件浅沟槽区域的制程方法，其特征在于： 步骤１：在衬底表面定义出需要进行浅沟槽隔绝蚀刻的区域；步骤２：对定义出来的区域进行干法蚀刻；步骤３：高温Ⅰ、湿润条件下，在浅沟槽内表面生成牺牲氧化层；步骤４：采用蚀刻剂将牺牲氧化层全部 蚀刻掉；步骤５：蚀刻后的浅沟槽表面进行干法氧化，生长一定厚度的氧化层，并以高温Ⅱ进行退火处理。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张瑜劼，
申请(专利权)人：和舰科技苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]
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