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本发明提供了一种高压ＭＯＳ器件浅沟槽区域的制程方法，其特征在于：步骤１：在硅衬底表面定义出需要进行浅沟槽隔绝蚀刻的区域；步骤２：对定义出来的区域采用高密度等离子体进行干法蚀刻；步骤３：高温湿润条件下，在浅沟槽表面生成牺牲氧化层；步骤４：采用...
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