施主晶片以及重复利用晶片的方法和剥离有用层的方法技术

在剥离包含选自半导体材料的材料的有用层之后重复利用施主晶片（１０）的一种方法，所述施主晶片（１０）依次包含衬底（１）和多层结构（Ｉ），所述多层结构（Ｉ）在剥离之前包含待剥离的有用层，所述过程包括在发生剥离的一侧除去物质，其特征在于，在除去物质之后，所述多层结构的至少一部分（Ｉ′）仍保留，所述缓冲结构的至少一部分（Ｉ′）包含至少一层可剥离的其它有用层，而不需要重新形成有用层的辅助步骤。本文献还涉及：根据本发明专利技术从至少一片可重复利用的施主晶片（１０）剥离薄层的方法，根据本发明专利技术可重复利用的施主晶片（１０）。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及在剥离半导体材料层之后重复利用施主晶片(recyclingofa donor wafer)，重复利用包括在发生剥离的一侧从施主晶片的一部分除去物质。
技术介绍
在剥离之前，这种类型的施主晶片包含衬底和在衬底上待剥离的外延层(an epitaxied layer to be taken-off)。在剥离之后，将剥离层集成到通常用来制备电子学、光学和光电学领域的组件的结构中。因此，待剥离层必须具有根据一个或多个标准而确定的高质量水平。待剥离层的质量主要取决于生长支撑(growth support)，也就是说，取决于它被外延于其上的衬底的质量。形成这种类型的高质量衬底常常是复杂的并需要特别的注意，涉及技术难点和较高的经济成本。这一点尤为正确，如果考虑到由诸如合金的复合半导体材料所构成的待剥离层，在它前面的外延衬底也具有常常较难制备和较贵的结构。因而，包含缓冲层(buffer layer)的衬底在制备期间尤其会产生这种类型的困难。所谓“缓冲层”，通常是指在诸如支撑衬底的第一晶体结构与第二晶体结构之间的过渡层；其第一功能是改变材料的性能，诸如结构、化学计量性能或表面处的原子复本文档来自技高网...

【技术保护点】
在剥离包含选自半导体材料的材料的有用层之后重复利用施主晶片（１０）的一种方法，所述施主晶片（１０）依次包含衬底（１）和多层结构（Ｉ），多层结构（Ｉ）在剥离之前包含待剥离的有用层，所述过程包括在发生剥离的一侧除去物质，其特征在于，在除去物质之后，多层结构的至少一部分（Ｉ′）仍保留，所述缓冲结构的至少一部分（Ｉ′）包含至少一层可剥离的其它有用层，而不需要重新形成有用层的辅助步骤。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：B吉斯兰，C奥内特，B奥特诺，T赤津，YM勒瓦扬，
申请(专利权)人：SOITEC绝缘体上硅技术公司，
类型：发明
国别省市：FR[法国]