本发明专利技术涉及一种制造特别打算应用于电子、光电、光学或光电子领域的异质结构体的方法，所述方法包括以下步骤：将原子物质注入至第一所谓的“施主”衬底（１）内部，以在其中形成脆弱区（１１）；在施主衬底（１）上组装第二所谓的“受主”衬底（３）；沿脆弱区（１１）分离出所述施主衬底（１）的后部以在该受主衬底上赋予需要的薄层（１２），其中，所述受主衬底（３）的热膨胀系数大于施主衬底（１）的热膨胀系数，而且为便于分离，在所述组装后且所述分离前施加所谓的“分离”退火，其特征在于以下事实：所述分离退火包括以下同步施加：对施主衬底（１）施加第一温度；对受主衬底（３）施加不同于第一温度的第二温度；对所述第一温度和第二温度进行选择，以减少施主衬底（１）的拉伸应力状态。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】本专利技术涉及一种制造特别打算应用于电子、光学、光电或光电子领域中的异质结构体的方法。该方法更为具体地是下述方法，所述方法包括以下步骤-将原子物质注入至第一所谓的“施主”衬底内部，以在其中形成脆弱区；-在施主衬底上组装第二所谓的“受主”衬底；-沿脆弱区分离出所述施主衬底的后部，以在受主衬底上赋予需要的薄层。这种类型的方法通常以商标“Smart Cut”著称。利用这种技术，可以结合薄层材料和支撑体材料的特有优势。通过转移层，可以在同一叠层(stack)中使据推理具有不相容性(如热膨胀系数的差异较大)的部分相结合。对于此类结构体，在其制造过程中遇到的问题之一归因于在热处理，如其间进行薄层分离的热处理中相接触的多个层中存在极强的应力场。这些应力归因于相接触的材料之间的不同的热膨胀。在这种情况下，有必要在低于异质结构体因上述应力而将劣化的临界温度的温度下进行分离。由于起作用的应力值与组装衬底的厚度相关，要注意的是在层分离后，该结构体随后可以进行更为重要的热处理。在最终结构体的制造中可能发生的劣化通常是相互接触的两个衬底破裂和/或其在结合界面处分离。因此，在蓝宝石(Al2O3)上硅型异质结构体的情况中，硅和蓝宝石的热膨胀系数 (TEC)分别是3.6X10_6/°C和是5.0X10_6/°C。膨胀不同的现象首先发生在旨在引起薄层与硅施主衬底分离的热处理步骤时。在此类TEC不同的情况下，薄层的转移变得精细，因为在粘性结合后且转移前进行的热处理步骤(例如分离退火)进行了必要的限制。实际上，两个组装衬底的膨胀不同可导致组装体(assembly)的分离或衬底的破裂。本专利技术旨在改进此技术的这种状况。更具体而言，本专利技术基于以下观察在层转移方法，特别是通过Smart Cut技术进行层转移方法的范围内，在组装施主硅衬底与蓝宝石受主衬底的过程中(且更一般而言当施主衬底的热膨胀系数(TEC)小于受主衬底的TEC时)，施主衬底在组装后的热处理过程中拉伸并导致断裂。目前，施主衬底材料、特别是注入区处的拉伸状态，似乎是“薄片”(platelet)和其他微观缺陷、断裂现象的前体传播和/或发展的障碍。更特别地，在这种有应力的材料中缺陷的取向似乎并非沿着有利方向，即在板平面中产生。这种障碍会导致劣质、延迟断裂或甚至完全阻止断裂。因此，本专利技术提供一种制造特别打算应用于电子、光学、光电或光电子领域的异质结构体的方法，所述方法包括以下步骤-将原子物质注入至第一所谓的“施主”衬底的内部，以在其中形成脆弱区，-在施主衬底上组装第二所谓的“受主”衬底，-沿脆弱区分离出所述施主衬底的后部，以在所述受主衬底上赋予需要的薄层，其中，所述受主衬底的热膨胀系数大于施主衬底的热膨胀系数，而且为便于分离， 所述方法在所述组装后且所述分离前施加所谓的“分离”退火。本方法由于以下事实而是显著的，所述分离退火包括以下同步施加-对施主衬底施加第一温度；-对受主衬底施加不同于第一温度的第二温度；对上述第一温度和第二温度进行选择以减少施主衬底的拉伸应力状态。本专利技术的其他有利特征和非限制特征为-该方法包括预备步骤，其在于在施主衬底上形成或沉积绝缘层，使得在其间存在所谓的“粘合”界面，并且在所述绝缘体的自由表面上进行受主衬底在施主衬底上的组装；-通过分子结合(molecularbonding)来进行受主衬底在施主衬底上的组装；-所述分离退火伴随和/或跟随有机械力的施加；-进行施加第一温度和第二温度的方式使得各衬底的全部体积具有均一温度；-通过将所述结构体放置于两个加热电极之间来施加所述第一温度和第二温度；-通过将各衬底放置在可带来相应温度的关联支撑体上来进行第一和第二温度的施加；-使用了与各衬底相关联的支撑体，该支撑体是粘性结合机的组成部分；-所述施主衬底由硅形成，而所述受主衬底由蓝宝石形成，所述第一温度高于所述第二温度；-所述第一温度为300°C的数量级，所述第二温度为80°C的数量级。本专利技术的其他特征和优点将通过阅读特定实施方式后的详细描述而变得显而易见。该描述将参考附图做出，其中附图说明图1 3示出了本专利技术用于制造异质结构体的方法的主要步骤。如本申请的引言中诉述，本专利技术的方法重复了“Smart Cut”(注册商标)式方法的常规步骤。然而，引起薄层与支撑衬底分离的分离退火以特定方式进行。该分离退火包括以下同步施加-对施主衬底施加第一温度；-对受主衬底施加不同于第一温度的第二温度；对上述第一温度和第二温度进行选择以减少所述施主材料的拉伸应力状态。因此，在制造蓝宝石上硅(SoQ衬底的情况下，可将施加在硅衬底上的温度选择为高于施加在蓝宝石衬底上的温度。由此，相比于现有技术，施加在结构体中的拉伸应力得以减少，并因而促进或允许断裂。另外，使用本专利技术的方法，可以在注入区处施加高于现有技术中的温度(现有技术对两个衬底施加了同样的温度)，因为源于组装衬底的TEC差异的形变将更小，且破裂风险得到进一步限制。因此，利用这一点可以促进该制造方法的工业应用。另外，采用该较高的温度，可以在两个衬底之间获得较大的结合能。而且，增强的结合也有助于改善转移层的品质，尤其在衬底通过分子结合进行组装的情况下。因此，相比于使用现有技术获得的情况，通过应用本专利技术的方法可以获得更大的总转移表面和更为规则的该表面的轮廓。在此基础上，可应用以下示例性实施方式。使用由硅形成的施主衬底1 (见图1)，其直径为300mm且厚度为725微米。还使用了直径相同且厚度为675微米的蓝宝石受主衬底3。鉴于衬底1在衬底3上的结合，衬底1在表面10处进行氧化(形成50纳米的氧化物)，并进行清洁和准备(如通过等离子体激活)。在氧化后且结合前，进行氢和氦离子的共同注入(图1的箭头2、。后者可以通过使用以下剂量进行=H+ 3 6. 1016at/cm2, He+ :2. 1016at/cm2的数量级。优选地，首先注入気。根据要转移的层12的厚度，可将注入能选择为几keV 200keV。这会导致存在脆弱区11。在例如通过分子结合进行了结合后，对由此产生的组装体(如图2所示)即刻进行退火来分离薄层12，这一步骤在下述条件下进行-将结构体放置于两个加热电极之间，处于硅衬底侧的电极的温度高于处于蓝宝石衬底侧的电极的温度；-对上述温度进行选择，使得硅衬底的全部体积达到300°C，并使得蓝宝石衬底的全部体积达到80°C。为了使来自蓝宝石的应力最小化，并且为了促进“薄片”在分离平面中的发展，后一温度是有利的。在一个特定的实例中，可对温度进行选择以使施主衬底处于弱压缩应力状态中。 这特别有利于促进缺陷和断裂前体的形成。上述技术的另一种选择在于将各衬底放置在可带来适当温度的支撑体上，例如通过在此支撑体中循环液体实现。该适当温度可低于室温或等于室温。例如，可将支撑衬底放置在因液体循环而温度受控的支撑体上，该液体的温度低于或等于室温。作为另一选择，施主衬底上的第一温度和受主衬底上的第二温度的施加，可对应于简单地对施主衬底施加温度，而只对受主衬底施加室温。通过重复前述选择，其可对应于只使其上放置有施主衬底的支撑体达到适当温度的情况。在任何情况下，所述第一温度和第二温度将引起施主材料的拉伸应力状态减少。此类设备可以是具有两个工具架的结合机，所述工具架用来支撑衬底，本文档来自技高网...
【技术保护点】
１．一种制造特别打算应用于电子、光电、光学或光电子领域的异质结构体的方法，所述方法包括以下步骤：－将原子物质注入至第一所谓的“施主”衬底（１）内部，以在其中形成脆弱区（１１），－在所述施主衬底（１）上组装第二所谓的“受主”衬底（３），－沿所述脆弱区（１１）分离出所述施主衬底（１）的后部，以在所述受主衬底上赋予需要的薄层（１２），其中，所述受主衬底（３）的热膨胀系数大于所述施主衬底（１）的热膨胀系数，而且为便于分离，在所述组装后且所述分离前施加所谓的“分离”退火，其特征在于以下事实：所述分离退火包括以下同步施加：－对所述施主衬底（１）施加第一温度；－对所述受主衬底（３）施加不同于所述第一温度的第二温度；对所述第一温度和第二温度进行选择，以减少所述施主衬底（１）的拉伸应力状态。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：马克·凯纳德，
申请(专利权)人：硅绝缘体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：FR
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。