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在剥离包含选自半导体材料的材料的有用层之后重复利用施主晶片（１０）的一种方法，所述施主晶片（１０）依次包含衬底（１）和多层结构（Ｉ），所述多层结构（Ｉ）在剥离之前包含待剥离的有用层，所述过程包括在发生剥离的一侧除去物质，其特征在于，在除去物...
该专利属于S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司所有，仅供学习研究参考，未经过S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司授权不得商用。

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