一种控制刀圈以防止显影液残留的方法技术

本发明专利技术涉及一种控制刀圈以防止显影液残留的方法，在该方法中该刀圈以可活动方式设置在晶片背面，与晶片背面之间留有预定的间隙；清洗晶片背面前上述刀圈与上述晶片背面之间的间隙是第一间隙；清洗晶片背面时上述刀圈与上述晶片背面之间的间隙是第二间隙；且上述第二间隙大于上述第一间隙。本发明专利技术的方法既可防止显影液流入晶背中心又可以彻底清洗晶背，解决了晶背显影液残留问题，从而能够提高产品合格率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及。
技术介绍
在黄光制程中，被定义的图形必须通过显影液与光阻充分反应后才可溶解，再利 用DI水冲洗，将溶解的图形部分冲洗掉；显影液与光阻的反应必须经过一段时间的静置才 足以反应，在静置过程中，显影液会有流动，流动性与晶片表面的亲水性有关，若亲水性好， 显影液将由晶片上面沿着晶边流入晶片背面(以下简称晶背)。造成晶背显影液残留；这 种残留可能会造成后续制程中机台传送滑片、黏片或传送不良，直接导致产品报废。在目前显影机、例如是ACT-8的设计中，是在晶背距离晶边10mm处设置一个刀圈。 为防止显影液流入刀圈的圈内，在静置后冲洗中，采用背面冲洗将晶背清洗干净。这种刀圈 为固定式，所谓固定式是指刀圈与晶背的间隙是固定的，一般是1.0+/-0. 2mm。这种固定式 刀圈在一般控片的结果中，可以得到好的结果。但是在实际量产中，仍会有0. 1 %的机会会造成晶背显影液残留。因为量产晶片经 过了各种不同的前制程，这些不同的前制程造成晶背的亲水性不同；另外不同制作方法的 静置时间不同，亲水性好或静置时间愈长，都愈可能让显影液流到更靠晶背圆心；但是如果 将刀圈的间隙调小，反而又造成晶背冲洗无法清除圈外的残留显影液。试验结果表明刀圈与晶背之间的间隙大小和显影液残留的关系为(1)间隙设定变小，显影液残留在刀圈的圈外；这代表显影液在静置过程中，留入 晶背的显影液会被刀圈挡住，虽然不会流入晶背圆心，但后续晶背冲洗却无法将刀圈圈外 的晶背上的显影液冲洗干净，因为间隙过小，造成冲洗溶液无法通过该间隙。(2)反之间隙变大，显影液残留位置将变成在Chuck盘的一圈，这一圈比晶背冲洗 可清洗的范围还要更靠近圆心；这表示显影液在静置过程中，不仅通过了刀圈，甚至可以流 入比晶背冲洗可清除范围的更里面了，造成冲洗一点作用也没有。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服上述问题，提供。在本专利技术所述的中，该刀圈以可活动方式 设置在晶片背面，与晶片背面之间留有预定的间隙；清洗晶片背面前上述刀圈与上述晶片 背面之间的间隙是第一间隙；清洗晶片背面时上述刀圈与上述晶片背面之间的间隙是第二 间隙；且上述第二间隙大于上述第一间隙。上述第一间隙是0. 2 1mm。上述第二间隙是1 10謹。上述刀圈与上述晶片背面之间的间隙的调节通过改变刀圈的高度来实现。上述刀圈由电动装置来带动以调节其高度。上述电动装置是滚筒或马达中的一种。上述刀圈距离晶边有预定距离。上述预定距离是8 12_。上述方法用于在黄光制程中清洗晶片背面的残留显影液。本专利技术还提供了一种用于上述方法中的刀圈装置，该刀圈装置包括刀圈，置于刀 圈下方的电动装置；该电动装置可以控制刀圈在垂直于晶片的方向上移动，使刀圈与晶片 背面之间的间隙在不同进程中改变。本专利技术的防止晶背显影液残留的方法既可防止显影液流入晶背中心又可以彻底 清洗晶背，解决了以往固定式刀圈带来的晶背显影液残留问题，从而提高了产品合格率。附图说明图1 (a)表示本专利技术的方法在晶背冲洗前的状态；图1 (b)表示本专利技术的方法在晶背冲洗时的状态。具体实施例方式下面结合具体实施例，对本专利技术所述的作 进一步的详细说明。在
技术介绍
部分已经说明，因现有技术中的刀圈是固定式的，刀圈和晶背之间的 间隙只能是一个固定值，该间隙偏大或偏小都将造成无法将晶背上的残留显影液冲洗干净 的结果。本专利技术的，是将刀圈的间隙高度设计成在 制作进程中可以依不同步骤调整间隙大小在显影液覆盖在晶片后的静置阶段中，显影液将因晶片表面的亲水性缘故而沿着 晶边流入晶背，此时刀圈和晶片之间的间隙越小越好，因为此时小间隙可以阻止显影液流 入刀圈圈内；而在进行晶背冲洗时，因清洗范围有限，所以此时刀圈和晶片之间的间隙越大 越好，因为此时大间隙可以使得晶背冲洗所用的溶液能够流出刀圈外将圈外的显影液冲洗 干净。下面结合附图对本专利技术的一个实施例进行说明，其中图1(a)表示本专利技术的方法 在晶背冲洗前的状态，图1(b)表示本专利技术的方法在晶背冲洗时的状态。首先参考图1(a)，在显影机、例如是ACT-8的设计中，在晶片1的晶背2下方距离 晶边8的8 12mm处、例如可以是10mm处设置一个刀圈3，刀圈3下方是一个电动装置7， 用以托起刀圈，以使其稳定在某个位置，该电动装置7可以是滚筒或马达等等，当然还可以 是其他电动装置。由图可见，此时刀圈3的高度处于最高处，使得刀圈3与晶背2之间的间 隙变得很小，达到0. 2 1mm、例如是0. 5mm，这样可以有效避免显影液流入刀圈圈内、流至 chuck盘4周围。图1(b)中，刀圈3随着电动装置7的下降而下降，刀圈3与晶背2之间的间隙随 之增大，达到1 10mm、例如是5mm，此时喷液装置6开始喷清洗溶液5，清洗范围是由晶边 8往里50mm，如图1 (b)中的尺寸标注。其中带动刀圈升降的电动装置是通过计算机程序控制的，在上述步骤中，刀圈的 高度只有两个高度，即一个最高点和一个最低点，但在其他实施例中也可以有多个高度，由4电动装置、特别是马达带动进行逐步升降，从而形成多个高度。本专利技术的防止晶背显影液残留的方法既可防止显影液流入晶背中心又可以彻底 清洗晶背，解决了以往固定式刀圈带来的晶背显影液残留问题，从而提高了产品合格率。以上所述仅为本专利技术的较佳实施例，并非用来限定本专利技术的实施范围；如果不脱 离本专利技术的精神和范围，对本专利技术进行修改或者等同替换的，均应涵盖在本专利技术的权利要 求的保护范围当中。权利要求，其特征在于该刀圈以可活动方式设置在晶片背面，与晶片背面之间留有预定的间隙；清洗晶片背面前上述刀圈与上述晶片背面之间的间隙是第一间隙；清洗晶片背面时上述刀圈与上述晶片背面之间的间隙是第二间隙；且上述第二间隙大于上述第一间隙。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于上述第一间隙是0.2 1mm。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于上述第二间隙是1 10mm。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于上述刀圈与上述晶片背面之间的间隙的调 节通过改变刀圈的高度来实现。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于上述刀圈由电动装置来带动以调节其高度。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于上述电动装置是滚筒或马达中的一种。7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于上述刀圈距离晶边有预定距离。8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于上述预定距离是8 12mm。9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于上述方法用于在黄光制程中清洗晶片背面 的残留显影液。10.一种用于权利要求1的方法中的刀圈装置，其特征在于该刀圈装置包括刀圈，置于刀圈下方的电动装置；该电动装置可以控制刀圈在垂直于 晶片的方向上移动，使刀圈与晶片背面之间的间隙在不同进程中改变。全文摘要本专利技术涉及，在该方法中该刀圈以可活动方式设置在晶片背面，与晶片背面之间留有预定的间隙；清洗晶片背面前上述刀圈与上述晶片背面之间的间隙是第一间隙；清洗晶片背面时上述刀圈与上述晶片背面之间的间隙是第二间隙；且上述第二间隙大于上述第一间隙。本专利技术的方法既可防止显影液流入晶背中心又可以彻底清洗晶背，解决了晶背显影液残留问题，从而能够提高产品合格率。文档编号G03F7/30GK101859073SQ200910133660公开日2本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种控制刀圈以防止显影液残留的方法，其特征在于该刀圈以可活动方式设置在晶片背面，与晶片背面之间留有预定的间隙；清洗晶片背面前上述刀圈与上述晶片背面之间的间隙是第一间隙；清洗晶片背面时上述刀圈与上述晶片背面之间的间隙是第二间隙；且上述第二间隙大于上述第一间隙。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈俊秀，
申请(专利权)人：和舰科技苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]