本发明提供一种LDMOS结构以及制备方法，LDMOS结构包括位于衬底中且间隔设置的漂移区和体区，位于漂移区中的漏极、位于体区中的源极，还包括凹槽、氧化层、栅氧层和多晶硅层，氧化层位于漂移区上方，凹槽位于体区，凹槽和氧化层相邻设置，凹槽的...

本发明提供一种半导体器件及其形成方法，半导体器件的形成方法包括：在半导体衬底上形成有功函数调节层、保护层、伪栅极层、氮化硅层、氧化硅层；依次刻蚀氧化硅层、氮化硅层、伪栅极层、保护层和功函数调节层；填充层间介质层；平坦化层间介质层直至暴露...

本发明公开了一种图像传感器及其制作方法，属于半导体制造领域。针对现有技术中存在的背照式图像传感器暗电流高、有串扰效应的问题，本发明提供了一种图像传感器及其制作方法，包括衬底；隔离层，设置在衬底一侧；浅沟槽隔离结构，由衬底另一侧表面向内延...

本发明提供一种半导体结构及其制作方法。该半导体结构的制作方法包括：提供基底，基底的顶面上形成有垫氧化层和位于垫氧化层上的第一硬掩模层，垫氧化层和第一硬掩模层中形成有第一开口，第一开口露出基底的顶面；在第一开口的位置形成场氧化层，场氧化层...

本发明提供一种半导体器件的形成方法，包括以下步骤：提供一半导体衬底，半导体衬底上形成有多个间隔设置的伪栅极，伪栅极上依次形成有氮化硅层和氧化物层，相邻伪栅极之间填充有层间介质层；对层间介质层进行平坦化直至暴露出氮化硅层；在层间介质层上依...

本技术公开了一种槽式清洗机的自动槽盖和槽式清洗机，涉及半导体技术领域。所述槽式清洗机的自动槽盖至少包括，盖板，所述盖板的一侧设置有盖板连接轴，且所述盖板连接轴与槽式清洗机的侧边连接；动力单元，与所述盖板连接轴的一端连接，且通过所述盖板连...

本发明提供了一种半导体器件的制备方法，包括：提供衬底，衬底上形成有栅极，以及栅极上形成有掩膜层；形成第一侧墙覆盖栅极及掩膜层的侧面；形成第一氧化层填充覆盖至栅极的上方，且第一氧化层的表面与掩膜层的表面齐平以显露出第一侧墙；执行刻蚀工艺刻...

本发明提供了一种光阻图形的形成方法，包括：提供若干片晶圆和两枚光罩，依次将每片晶圆载入一曝光机中，曝光机中存储有两枚光罩的设定曝光能量以及每片晶圆对应的两枚光罩的曝光顺序；将先曝光的光罩载入曝光机中，执行第一曝光进程，根据先曝光的光罩的...

本申请提供了一种半导体器件以及半导体器件的制作方法。该半导体器件包括基底、晶体管结构以及静电释放结构，其中，基底包括层叠的衬底以及外延层，外延层包括第一区域以及位于第一区域周围的第二区域，且第一区域包括多个间隔设置的第一沟槽，第二区域包...

本申请公开了一种半导体器件的制备方法，包括：在半导体层中形成掺杂区；在半导体层的第一表面形成绝缘层，并且形成从绝缘层远离半导体层的表面延伸至半导体层内部的沟槽，沟槽包括上部、下部以及上部和下部之间的顶角，掺杂区与沟槽邻接；形成第一氧化层...

本发明公开了一种浅沟槽隔离结构、半导体结构及制备方法，本发明利用现有技术中制备阱区时的离子注入设备，在制备浅沟槽隔离结构过程中的台阶调整之后，注入一定浓度的B离子到AA corner，之后移除垫氮化层，在半导体衬底上得到若干浅沟槽隔离结...

本发明提供了一种探针台的晶圆测试方法、装置、设备及介质，方法包括：获取晶圆传送盒中的第一片晶圆的中心区域的目标针压及对应的目标针痕范围；根据所述目标针压对所述第一片晶圆的其他区域进行电性能测试，以获得对应的针痕；调整所述第一片晶圆的其他...

本发明提供了一种半导体结构及其制备方法。而在本发明所提供的制备方法中，其可以先对凹槽进行修复处理可以将凹槽的凹凸不平的内侧表面平整化，以避免由于凹槽的凹凸不平缺陷而导致的后续进行优化后的HCL抛光工艺时发生不同区域的凹槽侧壁表面刻蚀速率...

本发明公开了一种半导体器件及其制作方法，属于半导体技术领域，所述半导体器件包括：衬底，包括并列设置的第一区域和第二区域；浅沟槽，设置在第一区域和第二区域之间；扩散抑制层，设置在浅沟槽的侧壁和底部，且侧壁上的扩散抑制层距离衬底的表面具有预...

本发明提出了一种图像传感器的制作方法，属于半导体制造技术领域，包括以下步骤：提供一衬底，包括器件区和非器件区；在衬底上形成第一氧化层，第一氧化层覆盖器件区并延伸至部分非器件区上；在非器件区的衬底上形成台阶；在衬底上形成第二氧化材料层，第...

本申请提供了一种半导体器件、半导体器件的制作方法以及三维存储器。该器件包括衬底、栅极结构以及两个外延部，其中，栅极结构位于衬底的部分表面上；两个外延部分别位于栅极结构的两侧的衬底中，外延部的预定截面的形状在靠近栅极结构的一侧具有至少两个...

本申请涉及一种半导体结构及其制备方法，半导体结构包括中压晶体管以及低压晶体管，中压晶体管包括位于衬底上的中压有源层，以及位于中压有源层两侧的中压侧墙结构；中压侧墙结构包括沿远离中压有源层依次层叠的第一子中压侧墙、第二子中压侧墙、第三子中...

本发明涉及一种晶圆接受测试方法。晶圆接受测试方法包括：提供探针卡和测试机；探针卡包括多个探针组，探针组包括两个以上探针，测试机和各探针组电连接；对待检测晶圆对准，确定待检测晶圆的各测试点位置；将各探针组与各测试点相对并扎针，使各探针组与...

本申请提供了一种半导体器件的制作方法以及半导体器件。该方法包括：首先，提供基底，基底包括衬底以及衬底表面上间隔设置的多个栅极结构；然后，在栅极结构的远离衬底的部分表面上形成牺牲层，且在衬底的靠近栅极结构的部分表面上形成牺牲层；最后，在栅...

本公开涉及一种光刻图形量测检测方法及其系统。光刻图形量测检测方法包括：获取光刻图形的量测图片；获取光刻图形对应母版的标准图片；将量测图片与标准图片进行比对，获取量测图片的辅助检测结果；辅助检测结果包括：图形是否异常、工艺是否异常及量测是...