【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种半导体器件的制备方法。
技术介绍
1、在半导体器件的制备工艺中，随着器件的沟道尺寸的缩小，沟道横向电场不断增大，特别漏端电场强度相对更大，漏端附近的热载流子效应（hci）将会更为严重。当前的改善方式为采用轻掺杂（ldd）工艺技术形成轻掺杂区，可以降低漏端电场强度，有效改善漏端附近的热载流子效应；但轻掺杂区的宽度较小，电势差较大，对于改善漏端附近的热载流子效应的能力有限，因此需要进一步降低漏端电场强度，改善漏端附近的热载流子效应。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种半导体器件的制备方法，改善热载流子效应。
2、为了达到上述目的，本专利技术提供了一种半导体器件的制备方法，包括：
3、提供衬底，所述衬底上形成有栅极，以及所述栅极上形成有掩膜层；
4、形成第一侧墙覆盖所述栅极及所述掩膜层的侧面；
5、形成第一氧化层填充覆盖至所述栅极的上方，且所述第一氧化层的表面与所述掩膜层的表面齐平以显露出所述第一侧墙；
6、执本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述掩膜层包括依次位于所述栅极上的氮化层和第三氧化层，在去除所述第一氧化层时，同步去除所述第三氧化层。
3.如权利要求2所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述氮化层的厚度为1nm~20nm，所述第三氧化层的厚度大于20nm，所述第一氧化层的厚度为100nm~800nm。
4.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，形成所述第一氧化层的步骤包括：
5.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述掩膜层包括依次位于所述栅极上的氮化层和第三氧化层，在去除所述第一氧化层时，同步去除所述第三氧化层。
3.如权利要求2所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述氮化层的厚度为1nm~20nm，所述第三氧化层的厚度大于20nm，所述第一氧化层的厚度为100nm~800nm。
4.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，形成所述第一氧化层的步骤包括：
5.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述刻蚀工艺包括依次执行的湿法刻蚀工艺和干法刻蚀工艺，执行刻蚀工艺刻蚀去除所述第一侧墙及所述第一侧墙正下方的部分所述衬底的步骤包括：
6.如权利要求5所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：林智伟，胡迎宾，
申请(专利权)人：合肥晶合集成电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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