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本发明提供了一种半导体器件的制备方法，包括：提供衬底，衬底上形成有栅极，以及栅极上形成有掩膜层；形成第一侧墙覆盖栅极及掩膜层的侧面；形成第一氧化层填充覆盖至栅极的上方，且第一氧化层的表面与掩膜层的表面齐平以显露出第一侧墙；执行刻蚀工艺刻蚀去...
该专利属于合肥晶合集成电路股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥晶合集成电路股份有限公司授权不得商用。

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