【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造，具体涉及一种图像传感器的制作方法。
技术介绍
1、图像传感器可以通过光电转换将照射在自身感光面上的光信号转换为相应的电信号，并依据所转换的电信号输出相应的图像，其被广泛应用于各种光电设备中，比如数码相机、摄影机、录影机、传真机、影像扫描仪以及数字电视等。然而图像传感器的制作存在流程复杂、良率低等问题。
技术实现思路
1、本专利技术提出了一种图像传感器的制作方法，意想不到的效果是能有效减少键合界面的气泡，提高了键合的质量，从而提高图像传感器的良品率。
2、为解决上述技术问题，本专利技术是通过如下的技术方案实现的。
3、本专利技术提出一种图像传感器的制作方法，至少包括以下步骤：
4、提供一衬底，所述衬底包括器件区和非器件区；
5、在所述衬底上形成第一氧化层，所述第一氧化层覆盖所述器件区并延伸至部分所述非器件区上；
6、在所述非器件区的所述衬底上形成台阶；
7、在所述衬底上形成第二氧化材料层，所述第二氧化材料层覆盖所述第一氧化层、所述台阶的表面和侧壁；
8、在所述第二氧化材料层表面形成牺牲层；
9、对所述牺牲层进行至少两次平坦化处理，以去除所述牺牲层和部分厚度的所述第二氧化材料层，再进行抛光处理，形成第二氧化层；
10、在所述第二氧化层上形成高键合强度的键合接触层；以及
11、将所述键合接触层与承载基板进行键合，形成图像传感器。
1
13、进一步地，所述抛光处理施加的压力为所述平坦化处理施加的压力的一半。
14、进一步地，形成所述第二氧化层的步骤包括：
15、在所述第二氧化材料层表面形成第一牺牲层；
16、对所述第一牺牲层进行第一次平坦化处理，以去除部分厚度的所述第一牺牲层，形成第二牺牲层；
17、对所述第二牺牲层进行第二次平坦化处理，以去除所述第二牺牲层和部分厚度的所述第二氧化材料层，形成中间氧化材料层；以及
18、对所述中间氧化材料层进行第一次抛光处理，以去除部分厚度的所述中间氧化材料层，形成第二氧化层，所述第二氧化层的表面平滑。
19、进一步地，所述第一次抛光处理的厚度为70nm-90nm，处理的时间为57s-67s。
20、进一步地，所述第一次抛光处理后，所述第二氧化层的表面的粗糙度为0.1nm-0.3nm。
21、进一步地，形成所述键合接触层的步骤包括：
22、在所述第二氧化层表面形成键合材料层；
23、对所述键合材料层进行第二次抛光处理，以去除部分厚度的所述键合材料层，形成键合接触层。
24、进一步地，所述键合材料层的厚度为90nm-110nm。
25、进一步地，所述第二次抛光处理的厚度为50nm-70nm，处理的时间为57s-67s。
26、进一步地，所述第二次抛光处理后，所述键合接触层的表面的粗糙度为0.1nm-0.3nm。
27、进一步地，所述制作方法还包括：形成所述键合接触层后，对所述衬底进行粒子去除和清洗处理。
28、本专利技术提出了一种图像传感器的制作方法，通过在平坦化处理之后添加抛光处理，意想不到的效果是：简化工艺流程，大大降低工艺时长，提高生产效率；且形成的键合界面膜层均匀性高、致密性好、表面粗糙度高且键合强度高，减少了键合过程中气泡的产生，提高了图像传感器与承载基板的键合的质量，从而提高图像传感器的可靠性及良品率。
29、附图说明
30、图1为本专利技术中一种图像传感器的制作方法的流程图。
31、图2为本专利技术一实施例中第一氧化材料层的结构示意图。
32、图3为本专利技术一实施例中研磨单元的结构示意图。
33、图4为本专利技术一实施例中台阶的结构示意图。
34、图5为本专利技术一实施例中第二氧化材料层的结构示意图。
35、图6为本专利技术一实施例中第一牺牲层的结构示意图。
36、图7为本专利技术一实施例中第二牺牲层的结构示意图。
37、图8为本专利技术一实施例中中间氧化材料层的结构示意图。
38、图9为本专利技术一实施例中第二氧化层的结构示意图。
39、图10为本专利技术一实施例中键合材料层的结构示意图。
40、图11为本专利技术一实施例中键合接触层的结构示意图。
41、图12为本专利技术一实施例中cmos晶体管与承载基板键合的示意图。
42、图13为本专利技术另一实施例中制作的图像传感器的电镜图。
43、图14为本专利技术一实施例中制作的图像传感器的电镜图。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种图像传感器的制作方法，其特征在于，至少包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种图像传感器的制作方法，其特征在于，所述键合接触层采用高密度等离子体化学气相沉积工艺形成。
3.根据权利要求1所述的一种图像传感器的制作方法，其特征在于，所述抛光处理施加的压力为所述平坦化处理施加的压力的一半。
4.根据权利要求1所述的一种图像传感器的制作方法，其特征在于，形成所述第二氧化层的步骤包括：
5.根据权利要求4所述的一种图像传感器的制作方法，其特征在于，所述第一次抛光处理的厚度为70nm-90nm，处理的时间为57s-67s。
6.根据权利要求4所述的一种图像传感器的制作方法，其特征在于，所述第一次抛光处理后，所述第二氧化层的表面的粗糙度为0.1nm-0.3nm。
7.根据权利要求4所述的一种图像传感器的制作方法，其特征在于，形成所述键合接触层的步骤包括：
8.根据权利要求7所述的一种图像传感器的制作方法，其特征在于，所述键合材料层的厚度为90nm-110nm。
9.根据权利要求7所述的
10.根据权利要求7所述的一种图像传感器的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：形成所述键合接触层后，对所述衬底进行粒子去除和清洗处理。
...【技术特征摘要】
1.一种图像传感器的制作方法，其特征在于，至少包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种图像传感器的制作方法，其特征在于，所述键合接触层采用高密度等离子体化学气相沉积工艺形成。
3.根据权利要求1所述的一种图像传感器的制作方法，其特征在于，所述抛光处理施加的压力为所述平坦化处理施加的压力的一半。
4.根据权利要求1所述的一种图像传感器的制作方法，其特征在于，形成所述第二氧化层的步骤包括：
5.根据权利要求4所述的一种图像传感器的制作方法，其特征在于，所述第一次抛光处理的厚度为70nm-90nm，处理的时间为57s-67s。
6.根据权利要求4所述的一种图像传感器的...
【专利技术属性】
技术研发人员：陶磊，刘文彬，吴冠毅，周宗典，
申请(专利权)人：合肥晶合集成电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。