本技术提供一种晶圆的槽式清洗装置及半导体机台，槽式清洗装置包括：箱体；多个挡板，设置于所述箱体内，以使所述箱体形成多个密封腔；多个支撑架，设置于所述密封腔内，以盛放晶圆；管道，与每个所述密封腔连接，以进行药液注入；水槽，以对所述箱体内药...

本技术公开了一种晶圆的储运系统，属于半导体技术领域。所述晶圆的储运系统包括：运输轨道；悬挂储位架，所述悬挂储位架设置在所述运输轨道两侧；以及储位桥架，悬挂设置在所述运输轨道下方，且所述储位桥架固定于所述运输轨道两侧的悬挂储位架，所述储位...

本申请提供一种静电卡盘边缘清洁装置，所述静电卡盘至少包括用于承载晶圆的载物台以及设置于所述载物台外侧的环状台阶结构，所述边缘清洁装置包括：载体，其被配置为在进行清洁时放置于所述载物台上；静电吸附组件，其设置于所述载体背离所述载物台的一侧...

本发明提供一种晶圆金属元素分析方法及分析系统，晶圆金属元素分析方法包括：刻蚀晶圆表面的硅化物；通过承接台承接所述晶圆；通过旋转轴驱动所述承接台转动；通过扫描管于所述晶圆表面牵引提取液运动，以收集金属离子溶液；改变所述旋转轴于所述承接台上...

本发明公开了一种半导体结构的制作方法，属于半导体技术领域，所述制作方法至少包括：提供一衬底，在所述衬底上依次形成垫氧化层和垫氮化层；蚀刻部分所述垫氧化层、所述垫氮化层和所述衬底，形成浅沟槽；在所述浅沟槽内沉积绝缘介质，所述浅沟槽内的所述...

本发明公开了一种半导体器件及其制作方法，属于半导体技术领域，所述制作方法包括：提供一衬底，衬底上依次形成垫氧化层、垫氮化层和氧化硬掩模层；在衬底内形成多个沟槽；在沟槽的侧壁和底部形成保护氧化层，在垫氧化层与衬底的界面，保护氧化层向垫氧化...

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种掩膜版结构及半导体晶圆的对位标记的摆放方法。掩膜版结构，包括：芯片图形区；内切割道区，设置于相邻芯片图形区之间；外切割道区，设置于多个芯片图形区四周；矩阵对位标记，呈矩形阵列布置于内切割道区或者外切...

本申请提供了一种半导体器件的制作方法以及半导体器件。该方法包括：首先，提供包括衬底以及栅极结构的基底，且栅极结构位于衬底的部分表面上；然后，在衬底的靠近栅极结构的裸露表面上形成层叠的金属硅化物层以及氧化层，得到预备结构；最后，对预备结构...

本技术提供了一种信号线及半导体工艺设备，所述信号线包括：双绞线组，所述双绞线组包括至少两根双绞线，每根所述双绞线外侧自内向外依次包裹有第一屏蔽层和第一隔离套，所述双绞线组外侧自内向外依次包裹有第二屏蔽层、第二隔离套、第三屏蔽层和第三隔离...

本发明提供了一种辅助图形的添加方法，通过从所有的主图形的边缘线条中筛选出线间距小于第一距离的边缘线条组，以获得第一区域；将第一区域与主图形组合，获得第二区域；从第二区域中筛选出线间距小于第一距离的边缘线条组，以获得第三区域；将第二区域和...

本申请涉及一种晶圆键合方法及晶圆键合结构，包括：提供第一晶圆和第二晶圆；分别于所述第一晶圆上和所述第二晶圆上对应形成第一氧化层、第二氧化层；分别对所述第一氧化层和所述第二氧化层进行脱水处理；分别于脱水处理后的所述第一氧化层上、所述第二氧...

本发明公开了一种图像传感器及其制作方法，属于半导体技术领域，所述图像传感器包括：衬底，具有相对的第一表面和第二表面；浅沟槽隔离结构，由所述第二表面延伸至所述衬底内；隔离层，设置在所述衬底内，所述隔离层与所述浅沟槽隔离结构在衬底内的一端接...

本公开涉及一种图像传感器的制作方法及图像传感器，图像传感器的制作方法，包括以下步骤：提供基底；在基底上形成第一氮化硅层，第一氮化硅层包括氢离子，第一氮化硅层中氢离子的质量含量低于1%，形成第一氮化硅层之后的结构具有第一应力；在第一氮化硅...

本申请涉及一种半导体结构的制作方法及其结构，包括：提供衬底，衬底内形成有多个间隔排列的浅沟槽隔离结构，且浅沟槽隔离结构的顶面与衬底的第一表面齐平；于衬底的第二表面上形成保护层；于衬底和保护层内形成多个与浅沟槽隔离结构相对应的隔离结构；隔...

本申请涉及一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构的制备方法包括：提供衬底，包括依次相邻的第一区域、第二区域及第三区域；于衬底表面同步形成第一台阶及第二台阶；于衬底表面同步形成第一沟槽、第二沟槽及第三沟槽，其中第一沟槽距离衬底表面的深度...

本申请涉及一种半导体结构及其制备方法。该方法包括：于衬底表面形成间隔分布的多个伪栅结构；伪栅结构包括：待置换栅电极、补偿层和隔离层，待置换栅电极和补偿层沿远离衬底的方向层叠，隔离层覆盖待置换栅电极侧壁及补偿层的侧壁和顶面；形成层间介质层...

本申请涉及一种套刻标记及测量方法，套刻标记位于切割道内，用于获取套刻精度，套刻标记包括前层套刻标记及当层套刻标记。前层套刻标记包括沿第一方向镜像对称的第一子标记、第二子标记，以及沿第二方向镜像对称的第三子标记、第四子标记；当层套刻标记包...

本公开涉及一种半导体结构的制作方法、电路及芯片，半导体结构的制作方法，包括：提供衬底；在衬底上形成下电极，在下电极的顶面上形成绝缘层；于绝缘层上形成第一光刻胶掩膜，在第一光刻胶掩膜中形成第一开口，第一开口至少暴露出绝缘层的部分顶面；形成...

本申请涉及一种半导体结构的制备方法，通过于初始半导体结构包括的氧化层的上表面形成抗反射层以及图形化光刻胶层；在第一预设刻蚀气氛下基于抗反射层以及图形化光刻胶层刻蚀氧化层以形成开口，开口暴露出部分介质层的表面；其中，第一预设刻蚀气氛包括第...

本申请涉及一种溅射刻蚀方法及半导体结构。该方法包括：于真空腔室的载台上放置待处理对象，并向真空腔室内通入待电离气体；真空腔室的腔壁内设有射频线圈，真空腔室的顶部设有靶材；于依序进行的第一阶段、第二阶段、第三阶段以及第四阶段分别对应启动施...