【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体领域，具体而言，涉及一种半导体器件的制作方法以及半导体器件。
技术介绍
1、目前的金属硅化物工艺，通常采用两步退火工艺，而且在两步退火工艺之间会进行覆盖层tin和未反应的金属层中镍ni的去除，目前，通常用高温的酸性溶液来进行湿法刻蚀，以清除覆盖层tin和未反应的金属层中的nipt。
2、但是，高温酸性溶液在去除覆盖层tin以及金属层中镍时，会对金属层nipt表面进行氧化，形成一层氧化层，而在第二步退火过程中，形成的氧化层中的氧会在金属层与si衬底的界面层形成氧化物，界面层的氧化物会提高器件的电阻，从而影响器件的性能，导致器件的良率较差。
3、因此，亟需一种方法，来解决氧化层存在的问题，从而提高器件的性能。
技术实现思路
1、本申请的主要目的在于提供一种半导体器件的制作方法以及半导体器件，通过提供所述基底，并且在所述衬底的靠近所述栅极结构的裸露表面上形成层叠的所述金属硅化物层以及所述氧化层，得到包括所述基底、所述金属硅化物层以及所述氧化层的所述预备结构...
【技术保护点】
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述预备结构循环进行等离子元素处理以及自由基元素处理，以去除所述氧化层，使得所述金属硅化物层裸露，得到目标结构的步骤，包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，对剩余的所述预备结构进行所述自由基元素处理，以去除部分剩余的所述氧化层的步骤，包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，对所述预备结构进行所述等离子元素处理，以去除部分所述氧化层的步骤，包括：
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一范围...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述预备结构循环进行等离子元素处理以及自由基元素处理，以去除所述氧化层，使得所述金属硅化物层裸露，得到目标结构的步骤，包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，对剩余的所述预备结构进行所述自由基元素处理，以去除部分剩余的所述氧化层的步骤，包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，对所述预备结构进行所述等离子元素处理，以去除部分所述氧化层的步骤，包括：
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一范围为30℃-150℃，所述第二范围为50w-300w...
【专利技术属性】
技术研发人员：李渊，游咏晞，
申请(专利权)人：合肥晶合集成电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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