温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本申请提供了一种半导体器件的制作方法以及半导体器件。该方法包括：首先，提供包括衬底以及栅极结构的基底，且栅极结构位于衬底的部分表面上；然后，在衬底的靠近栅极结构的裸露表面上形成层叠的金属硅化物层以及氧化层，得到预备结构；最后，对预备结构循环...
该专利属于合肥晶合集成电路股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥晶合集成电路股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。