【技术实现步骤摘要】
本公开涉及集成电路，特别是涉及一种半导体结构的制作方法、电路及芯片。
技术介绍
1、在一些半导体器件的制作过程中，会制作两个金属线直接相交的结构。通常采用的制作方法为：在衬底上形成第一金属线之后，在第一金属线的顶面上形成绝缘层。然后沉积形成金属材料层，刻蚀金属材料层形成第二金属线，第一金属线和第一金属线相交。
2、刻蚀金属材料层形成第二金属线，通常过刻蚀以确保将金属材料层切断，避免不同位置的金属材料层的厚度不同，局部区域刻蚀不足造成器件短接等问题。由于绝缘层的厚度很薄，对金属材料层执行过刻蚀可能将第一金属线和第二金属线的交叠区域以外的绝缘层刻蚀去除，可能去除交叠区域以外的第一金属线，造成第一金属线损伤甚至可能导致第一金属线断裂出现断线的问题。
技术实现思路
1、基于此，本公开提供了一种半导体结构的制作方法、电路及芯片。
2、第一方面，本公开提供了一种半导体结构的制作方法，包括：
3、提供衬底；
4、在所述衬底上形成下电极，在所述下电极的顶面上形成绝缘层；
5、于所述绝缘层上形成第一光刻胶掩膜，在所述第一光刻胶掩膜中形成第一开口，所述第一开口至少暴露出所述绝缘层的部分顶面；
6、形成顶层金属层，部分所述顶层金属层填充到所述第一开口中并叠置在所述绝缘层上，另一部分所述顶层金属层覆盖在所述第一光刻胶掩膜上；
7、去除所述第一光刻胶掩膜和所述第一光刻胶掩膜上的所述顶层金属层，所述第一开口中的所述顶层金属层形
8、在其中一个实施例中，填充到所述第一开口中的所述顶层金属层和覆盖在所述第一光刻胶掩膜上的所述顶层金属层独立设置，采用剥离工艺去除所述第一光刻胶掩膜和所述第一光刻胶掩膜上的所述顶层金属层。
9、在其中一个实施例中，于所述绝缘层上形成第一光刻胶掩膜，在所述第一光刻胶掩膜中形成第一开口，包括：
10、形成第一光刻胶层，所述第一光刻胶层覆盖所述绝缘层以及所述衬底；
11、形成第二光刻胶层，所述第二光刻胶层覆盖所述第一光刻胶层；
12、对所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层的叠层进行光照、显影处理，在所述第一光刻胶层中形成第一子开口，在所述第二光刻胶层中形成第二子开口，所述第一子开口和所述第二子开口连通形成所述第一开口，所述第一子开口的横向尺寸大于所述第二子开口的横向尺寸。
13、在其中一个实施例中，沿远离所述第一子开口的方向，所述第二子开口的横向尺寸逐渐增大，或者，沿远离所述第一子开口的方向，所述第二子开口的横向尺寸逐渐减小。
14、在其中一个实施例中，形成顶层金属层，包括：
15、沉积金属材料，部分所述金属材料通过所述第二子开口沉积到所述第一子开口中，部分所述金属材料附着在所述第二子开口的侧壁以及所述第二光刻胶层的顶面上，共同形成所述顶层金属层；
16、控制沉积到所述第一子开口中的所述顶层金属层的厚度小于所述第一光刻胶层的高度，以使所述第一开口中的所述顶层金属层和附着在所述第二子开口的侧壁的所述顶层金属层独立设置。
17、在其中一个实施例中，填充到所述第一开口中的所述顶层金属层和覆盖在所述第一光刻胶掩膜上的所述顶层金属层相连；去除所述第一光刻胶掩膜和所述第一光刻胶掩膜上的所述顶层金属层之前，还包括：
18、形成第二光刻胶掩膜，所述第二光刻胶掩膜覆盖所述第一开口中的所述顶层金属层。
19、在其中一个实施例中，去除所述第一光刻胶掩膜和所述第一光刻胶掩膜上的所述顶层金属层，包括：
20、刻蚀去除覆盖在所述第一光刻胶掩膜上的所述顶层金属层；
21、去除所述第一光刻胶掩膜和所述第二光刻胶掩膜。
22、在其中一个实施例中，在所述衬底上形成下电极，在所述下电极的顶面上形成绝缘层，包括：
23、形成底层金属层，所述底层金属层覆盖所述衬底的顶面；
24、刻蚀所述底层金属层形成所述下电极；
25、氧化处理所述下电极，所述下电极的顶部被氧化形成所述绝缘层。
26、第二方面，本公开提供了一种电路，包括如本公开的第一方面所述的半导体结构的制作方法制作的半导体结构。
27、第三方面，本公开提供了一种芯片，包括：
28、基底；
29、如本公开的第二方面所述的电路，所述电路位于所述基底上。
30、本公开的半导体结构的制作方法、电路及芯片，在形成顶层金属层之前，通过第一光刻胶掩膜保护位于上电极和下电极的交叠区域以外的绝缘层，避免刻蚀顶层金属层形成上电极的过程损伤位于交叠区域以外的绝缘层和下电极，保证形成的半导体结构的结构和性能完整，没有断线的问题。
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1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，填充到所述第一开口中的所述顶层金属层和覆盖在所述第一光刻胶掩膜上的所述顶层金属层独立设置，采用剥离工艺去除所述第一光刻胶掩膜和所述第一光刻胶掩膜上的所述顶层金属层。
3.根据权利要求2所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，于所述绝缘层上形成第一光刻胶掩膜，在所述第一光刻胶掩膜中形成第一开口，包括：
4.根据权利要求3所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，沿远离所述第一子开口的方向，所述第二子开口的横向尺寸逐渐增大，或者，沿远离所述第一子开口的方向，所述第二子开口的横向尺寸逐渐减小。
5.根据权利要求4所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，形成顶层金属层，包括：
6.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，填充到所述第一开口中的所述顶层金属层和覆盖在所述第一光刻胶掩膜上的所述顶层金属层相连；去除所述第一光刻胶掩膜和所述第一光刻胶掩膜上的所述顶层金属层之前，还包括：
7.根据权利要求6所
8.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，在所述衬底上形成下电极，在所述下电极的顶面上形成绝缘层，包括：
9.一种电路，其特征在于，包括如权利要求1-8中任一项所述的半导体结构的制作方法制作的半导体结构。
10.一种芯片，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，填充到所述第一开口中的所述顶层金属层和覆盖在所述第一光刻胶掩膜上的所述顶层金属层独立设置，采用剥离工艺去除所述第一光刻胶掩膜和所述第一光刻胶掩膜上的所述顶层金属层。
3.根据权利要求2所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，于所述绝缘层上形成第一光刻胶掩膜，在所述第一光刻胶掩膜中形成第一开口，包括：
4.根据权利要求3所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，沿远离所述第一子开口的方向，所述第二子开口的横向尺寸逐渐增大，或者，沿远离所述第一子开口的方向，所述第二子开口的横向尺寸逐渐减小。
5.根据权利要求4所述的半导体结构的制作方法，其特...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑威，徐华超，林子荏，杨智强，
申请(专利权)人：合肥晶合集成电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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