【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体，特别涉及一种半导体结构的制作方法。
技术介绍
1、浅沟槽隔离结构（shallow trench isolation，sti）是集成电路中重要的结构，设置在半导体器件之间，可防止相邻的半导体器件之间的电流泄漏，缩减隔离区域的面积。在形成浅沟槽隔离结构的过程中，很容易会在sti与衬底的界面处的角边缘过度腐蚀填充的氧化层而形成一凹陷区（divot）。这种“divot”现象导致在半导体器件在跨越sti与有源区时，组成栅极的多晶硅会填入divot的区域，从而在该处产生一个寄生器件，导致正常半导体器件在操作时会产生额外的漏电。这种“divot”现象也会造成栅极腐蚀时更容易出现残留物缺陷等，影响半导体器件的性能。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种半导体结构的制作方法，通过本专利技术提供的半导体结构的制作方法，避免浅沟槽隔离结构的角边缘出现凹陷现象，能够避免半导体结构出现漏电现象，半导体结构具有良好的隔离效果，提高半导体结构的性能。
2、为解决上述技术问题，本专利技术提供一种半导体结构的制作方法，至少包括以下步骤：
3、提供一衬底，在所述衬底上依次形成垫氧化层和垫氮化层；
4、蚀刻部分所述垫氧化层、所述垫氮化层和所述衬底，形成浅沟槽；
5、在所述浅沟槽内沉积绝缘介质，所述浅沟槽内的所述绝缘介质与两侧的所述垫氮化层齐平；
6、回刻所述绝缘介质，形成第一凹部；
7、在所述第一凹部和所述垫氮化层上
8、氧化所述补偿层，形成氧化层；
9、平坦化所述氧化层，暴露所述垫氮化层；
10、去除所述垫氮化层；以及
11、去除所述垫氧化层和部分所述氧化层。
12、在本专利技术一实施例中，在所述第一凹部内，所述绝缘介质的表面与所述衬底的表面齐平。
13、在本专利技术一实施例中，所述补偿层在所述第一凹部内的所述绝缘介质上的厚度，大于或等于所述垫氧化层的厚度。
14、在本专利技术一实施例中，所述补偿层在所述第一凹部内的高度，低于所述垫氮化层的高度。
15、在本专利技术一实施例中，在平坦化所述氧化层后，在所述氧化层和所述垫氮化层的界面处形成凸起。
16、在本专利技术一实施例中，所述补偿层包括多晶硅层或非晶硅层中的至少一种。
17、在本专利技术一实施例中，所述垫氧化层通过热氧化法或原位水汽生长法获得。
18、在本专利技术一实施例中，所述垫氧化层和所述氧化层通过相同的氧化方法获得。
19、在本专利技术一实施例中，所述垫氧化层和所述氧化层通过湿法刻蚀去除，且所述垫氧化层和所述氧化层的刻蚀速率的差值在±5%内。
20、在本专利技术一实施例中，所述湿法刻蚀的刻蚀液为氢氟酸或缓冲氧化物刻蚀液。
21、综上所述，本专利技术提供一种半导体结构的制作方法，本申请意想不到的技术效果是能够从多个方面避免浅沟槽隔离结构的角边缘出现凹陷现象，能够避免半导体结构出现漏电现象，半导体结构具有良好的隔离效果，提高半导体结构的性能。能够控制浅沟槽隔离结构与衬底之间的台阶高度，且可控性高。能够确保浅沟槽隔离结构的形貌，确保浅沟槽隔离结构之间有源区的形貌和尺寸，提高包括半导体结构的半导体器件的性能。
22、当然，实施本专利技术的任一产品并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。
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1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，至少包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种半导体结构的制作方法，其特征在于，在所述第一凹部内，所述绝缘介质的表面与所述衬底的表面齐平。
3.根据权利要求1所述的一种半导体结构的制作方法，其特征在于，所述补偿层在所述第一凹部内的所述绝缘介质上的厚度，大于或等于所述垫氧化层的厚度。
4.根据权利要求3所述的一种半导体结构的制作方法，其特征在于，所述补偿层在所述第一凹部内的高度，低于所述垫氮化层的高度。
5.根据权利要求4所述的一种半导体结构的制作方法，其特征在于，在平坦化所述氧化层后，在所述氧化层和所述垫氮化层的界面处形成凸起。
6.根据权利要求1所述的一种半导体结构的制作方法，其特征在于，所述补偿层包括多晶硅层或非晶硅层中的至少一种。
7.根据权利要求1所述的一种半导体结构的制作方法，其特征在于，所述垫氧化层通过热氧化法或原位水汽生长法获得。
8.根据权利要求1所述的一种半导体结构的制作方法，其特征在于，所述垫氧化层和所述氧化层通过相同的氧化方法获得。
9.根据权利要求1所述的一种半导体结构的制作方法，其特征在于，所述垫氧化层和所述氧化层通过湿法刻蚀去除，且所述垫氧化层和所述氧化层的刻蚀速率的差值在±5%内。
10.根据权利要求9所述的一种半导体结构的制作方法，其特征在于，所述湿法刻蚀的刻蚀液为氢氟酸或缓冲氧化物刻蚀液。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，至少包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种半导体结构的制作方法，其特征在于，在所述第一凹部内，所述绝缘介质的表面与所述衬底的表面齐平。
3.根据权利要求1所述的一种半导体结构的制作方法，其特征在于，所述补偿层在所述第一凹部内的所述绝缘介质上的厚度，大于或等于所述垫氧化层的厚度。
4.根据权利要求3所述的一种半导体结构的制作方法，其特征在于，所述补偿层在所述第一凹部内的高度，低于所述垫氮化层的高度。
5.根据权利要求4所述的一种半导体结构的制作方法，其特征在于，在平坦化所述氧化层后，在所述氧化层和所述垫氮化层的界面处形成凸起。
6.根...
【专利技术属性】
技术研发人员：周跃跃，张正杰，林宏益，陈嘉勇，
申请(专利权)人：合肥晶合集成电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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