【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光伏，特别是涉及一种背接触太阳能电池和光伏组件。
技术介绍
1、背接触（back contact，bc）太阳能电池最大的特点是：发射极和金属接触都处于电池的背面，正面没有金属电极遮挡的影响，因此具有更高的短路电流jsc，同时背面可以容许较宽的金属栅线来降低串联电阻rs，从而提高填充因子ff。并且这种正面无遮挡的电池不仅转换效率高，而且看上去更美观，同时，全背电极的光伏组件更易于装配，因此，具有广阔的发展前景。例如，bc电池中的指状交叉背接触（interdigitated back contact，ibc）太阳能电池，是目前实现高效晶体硅电池的技术方向之一。
2、然而，目前的背接触太阳能电池中，未充分考虑p区、n区结构相互之间的配合优化，使得既能减少损耗，又能保证钝化效果，所以目前背接触太阳能电池的性能欠佳。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种背接触太阳能电池和光伏组件，旨在解决现有背接触太阳能电池的性能欠佳的问题。
2、本专利技术的第一方面，提供一种背接触太阳能电池，包括：
3、硅基底，所述硅基底具有相对的第一侧和第二侧；
4、p型掺杂多晶硅层；位于所述硅基底的第一侧的第一区域；
5、n型掺杂多晶硅层；位于所述硅基底的第一侧的第二区域；所述第一区域异于所述第二区域；
6、其中，所述p型掺杂多晶硅层的厚度，与所述n型掺杂多晶硅层的厚度的比值为：1至2。
7、本专利技术实施例中，p型掺杂
8、可选的，所述p型掺杂多晶硅层包括：若干p型集电区和若干p型汇流区；
9、所述n型掺杂多晶硅层包括：若干n型集电区和若干n型汇流区；
10、所述n型集电区和所述p型集电区，沿第一方向交替分布，且均沿第二方向延伸；所述n型汇流区和所述p型汇流区，沿所述第二方向交替分布，且均沿所述第一方向延伸；所述第一方向异于所述第二方向，且均与厚度所在的方向垂直；
11、位于一个所述n型汇流区和与其相邻的一个所述p型汇流区之间的，各个所述n型集电区，均与所述n型汇流区连通；
12、位于一个所述n型汇流区和与其相邻的一个所述p型汇流区之间的，各个所述p型集电区，均与所述p型汇流区连通；
13、一个集电区的长度，与一个汇流区的宽度的比值为：22至64；所述集电区为：所述p型集电区或所述n型集电区；所述汇流区为：所述p型汇流区或所述n型汇流区；所述集电区的长度所在的方向，与所述汇流区的宽度所在的方向，均与所述第二方向平行。
14、相邻的所述n型集电区和所述p型集电区之间具有第一间隙；
15、所述集电区和异型的汇流区之间，具有第二间隙；
16、一个所述第二间隙在所述第二方向上的尺寸，大于或等于一个所述第一间隙在所述第一方向上的尺寸。
17、可选的，一个所述第二间隙在所述第二方向上的尺寸，与一个所述第一间隙在所述第一方向上的尺寸的比值为：1至4。
18、可选的，一个所述p型汇流区的体积，大于或等于一个所述n型汇流区的体积。
19、可选的，一个所述p型汇流区的体积，与一个所述n型汇流区的体积的比值为：1至2。
20、可选的，所述硅基底具有n型掺杂；
21、一个所述n型集电区的宽度，与一个所述p型集电区的宽度的比值为：0.5至1.5；所述n型集电区的宽度所在的方向，与所述p型集电区的宽度所在的方向均与所述第一方向平行。
22、可选的，一个所述n型集电区的宽度，与一个所述p型集电区的宽度的比值为：0.85至1.2。
23、可选的，所述硅基底具有n型掺杂，一个所述p型集电区的体积，与一个所述n型集电区的体积的比值为：0.5至4。
24、可选的，一个所述p型集电区的体积，与一个所述n型集电区的体积的比值为：0.8至2.4。
25、可选的，所述硅基底具有p型掺杂，一个所述p型集电区的体积，小于一个所述n型集电区的体积。
26、可选的，一个所述p型集电区的体积，与一个所述n型集电区的体积的比值为：0.1至0.8。
27、可选的，所述硅基底具有p型掺杂，一个所述n型集电区的宽度，大于一个所述p型集电区的宽度；所述n型集电区的宽度所在的方向，与所述p型集电区的宽度所在的方向，均与所述第一方向平行。
28、可选的，一个所述n型集电区的宽度，与一个所述p型集电区的宽度的比值为：2.5至8。
29、可选的，一个所述p型汇流区的宽度，与一个所述n型汇流区的宽度的比值为：0.95至1.05；
30、或，一个所述p型集电区的长度，与一个所述n型集电区的长度的比值为：0.95至1.05。
31、可选的，所述背接触太阳能电池还包括:
32、p型集电栅线，位于所述p型集电区上；
33、p型汇流栅线，位于所述p型汇流区上；
34、n型集电栅线，位于所述n型集电区上；
35、n型汇流栅线，位于所述n型汇流区上；
36、位于一条所述n型汇流栅线和与其相邻的一条所述p型汇流栅线之间的：各条所述n型集电栅线，均与所述n型汇流栅线电连接，各个所述p型集电栅线，均与所述p型汇流栅线电连接。
37、可选的，一个集电栅线的长度，与一个汇流栅线的宽度的比值为：22至64；所述集电栅线为：所述p型集电栅线或所述n型集电栅线；所述汇流栅线为：所述p型汇流栅线或所述n型汇流栅线；所述集电栅线的长度所在的方向，与所述汇流栅线的宽度所在的方向，均与所述第二方向平行。
38、可选的，所述p型掺杂多晶硅层中，靠近所述硅基底的表面，比所述n型掺杂多晶硅层中，背离所述硅基底的表面，更远离所述硅基底的第二侧；所述p型掺杂多晶硅层中，靠近所述硅基底的表面，与所述n型掺杂多晶硅层中，背离所述硅基底的表面的高度差大于0，小于或等于4.85微米；
39、或，所述p型掺杂多晶硅层中，靠近所述硅基底的表面，与所述n型掺杂多晶硅层中，背离所述硅基底的表面，平齐分布；
40、或，所述p型掺杂多晶硅层中，靠近所述硅基底的表面，比所述n型掺杂多晶硅层中，背离所述硅基底的表面，更靠近所述硅基底的第二侧；所述p型掺杂多晶硅层中，靠近所述硅基底的表面，与所述n型掺杂多晶硅层中，背离所述硅基底的表面的高度差大于0，小于或等于0.3微米。
41、可选的，所述p型掺杂多晶硅层中，靠近所述硅基底的表面，比所述n型掺杂多晶硅层中，背离所述硅基底的表面，更远离所述硅基本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种背接触太阳能电池，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述P型掺杂多晶硅层包括：若干P型集电区和若干P型汇流区；
3.根据权利要求2所述的背接触太阳能电池，其特征在于，相邻的所述N型集电区和所述P型集电区之间具有第一间隙；
4.根据权利要求3所述的背接触太阳能电池，其特征在于，一个所述第二间隙在所述第二方向上的尺寸，与一个所述第一间隙在所述第一方向上的尺寸的比值为：1至4。
5.根据权利要求2所述的背接触太阳能电池，其特征在于，一个所述P型汇流区的体积，大于或等于一个所述N型汇流区的体积。
6.根据权利要求5所述的背接触太阳能电池，其特征在于，一个所述P型汇流区的体积，与一个所述N型汇流区的体积的比值为：1至2。
7.根据权利要求2至6中任一所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述硅基底具有N型掺杂；
8.根据权利要求7所述的背接触太阳能电池，其特征在于，一个所述N型集电区的宽度，与一个所述P型集电区的宽度的比值为：0.85至1.2。
9.
10.根据权利要求9所述的背接触太阳能电池，其特征在于，一个所述P型集电区的体积，与一个所述N型集电区的体积的比值为：0.8至2.4。
11.根据权利要求2至6中任一所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述硅基底具有P型掺杂，一个所述P型集电区的体积，小于一个所述N型集电区的体积。
12.根据权利要求11所述的背接触太阳能电池，其特征在于，一个所述P型集电区的体积，与一个所述N型集电区的体积的比值为：0.1至0.8。
13.根据权利要求2至6中任一所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述硅基底具有P型掺杂，一个所述N型集电区的宽度，大于一个所述P型集电区的宽度；所述N型集电区的宽度所在的方向，与所述P型集电区的宽度所在的方向，均与所述第一方向平行。
14.根据权利要求13所述的背接触太阳能电池，其特征在于，一个所述N型集电区的宽度，与一个所述P型集电区的宽度的比值为：2.5至8。
15.根据权利要求2至6中任一所述的背接触太阳能电池，其特征在于，一个所述P型汇流区的宽度，与一个所述N型汇流区的宽度的比值为：0.95至1.05；
16.根据权利要求2至6中任一所述的背接触太阳能电池，其特征在于，还包括:
17.根据权利要求16所述的背接触太阳能电池，其特征在于，一个集电栅线的长度，与一个汇流栅线的宽度的比值为：22至64；所述集电栅线为：所述P型集电栅线或所述N型集电栅线；所述汇流栅线为：所述P型汇流栅线或所述N型汇流栅线；所述集电栅线的长度所在的方向，与所述汇流栅线的宽度所在的方向，均与所述第二方向平行。
18.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述P型掺杂多晶硅层中，靠近所述硅基底的表面，比所述N型掺杂多晶硅层中，背离所述硅基底的表面，更远离所述硅基底的第二侧；所述P型掺杂多晶硅层中，靠近所述硅基底的表面，与所述N型掺杂多晶硅层中，背离所述硅基底的表面的高度差大于0，小于或等于4.85微米；
19.根据权利要求18所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述P型掺杂多晶硅层中，靠近所述硅基底的表面，比所述N型掺杂多晶硅层中，背离所述硅基底的表面，更远离所述硅基底的第二侧；所述P型掺杂多晶硅层中，靠近所述硅基底的表面，与所述N型掺杂多晶硅层中，背离所述硅基底的表面的高度差大于0，小于或等于1.6微米。
20.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述背接触太阳能电池还包括：
21.根据权利要求20所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述第一电介质层中，靠近所述硅基底的表面，比所述N型掺杂多晶硅层中，背离所述硅基底的表面，更远离所述硅基底的第二侧；所述第一电介质层中，靠近所述硅基底的表面，与所述N型掺杂多晶硅层中，背离所述硅基底的表面的高度差大于0，小于或等于4.85微米；
22.根据权利要求21所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述第一电介质层中，靠近所述硅基底的表面，比所述N型掺杂多晶硅层中，背离所述硅基底的表面，更远离所述硅基底的第二侧；所述第一电介质层中，靠近所述硅基底的表面，与所述N型掺杂多晶硅层中，背离所述硅基底的表面的高度差大于0，小于或等于1.6微米。
23.一种光伏组件，其特征在于，...
【技术特征摘要】
1.一种背接触太阳能电池，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述p型掺杂多晶硅层包括：若干p型集电区和若干p型汇流区；
3.根据权利要求2所述的背接触太阳能电池，其特征在于，相邻的所述n型集电区和所述p型集电区之间具有第一间隙；
4.根据权利要求3所述的背接触太阳能电池，其特征在于，一个所述第二间隙在所述第二方向上的尺寸，与一个所述第一间隙在所述第一方向上的尺寸的比值为：1至4。
5.根据权利要求2所述的背接触太阳能电池，其特征在于，一个所述p型汇流区的体积，大于或等于一个所述n型汇流区的体积。
6.根据权利要求5所述的背接触太阳能电池，其特征在于，一个所述p型汇流区的体积，与一个所述n型汇流区的体积的比值为：1至2。
7.根据权利要求2至6中任一所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述硅基底具有n型掺杂；
8.根据权利要求7所述的背接触太阳能电池，其特征在于，一个所述n型集电区的宽度，与一个所述p型集电区的宽度的比值为：0.85至1.2。
9.根据权利要求2至6中任一所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述硅基底具有n型掺杂，一个所述p型集电区的体积，与一个所述n型集电区的体积的比值为：0.5至4。
10.根据权利要求9所述的背接触太阳能电池，其特征在于，一个所述p型集电区的体积，与一个所述n型集电区的体积的比值为：0.8至2.4。
11.根据权利要求2至6中任一所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述硅基底具有p型掺杂，一个所述p型集电区的体积，小于一个所述n型集电区的体积。
12.根据权利要求11所述的背接触太阳能电池，其特征在于，一个所述p型集电区的体积，与一个所述n型集电区的体积的比值为：0.1至0.8。
13.根据权利要求2至6中任一所述的背接触太阳能电池，其特征在于，所述硅基底具有p型掺杂，一个所述n型集电区的宽度，大于一个所述p型集电区的宽度；所述n型集电区的宽度所在的方向，与所述p型集电区的宽度所在的方向，均与所述第一方向平行。
14.根据权利要求13所述的背接触太阳能电池，其特征在于，一个所述n型集电区的宽度，与一个所述p型集电区的宽度的比值为：2.5至8。
15.根...
【专利技术属性】
技术研发人员：李振国，童洪波，陈瑶，赵学亮，赵佳伟，
申请(专利权)人：隆基绿能科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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