一种背接触电池及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种背接触电池及其制造方法，涉及光伏技术领域，以降低背接触电池中位于第一面一侧的载流子复合速率。所述背接触电池包括：半导体基底、第一掺杂半导体层和第二掺杂半导体层。沿第二面至第一面的方向，第二区域的表面低于第一区域的表面，以形成凹槽结构。沿第一区域和第二区域的排布方向，凹槽结构的侧面具有连续分布的第一子区域和第二子区域，且第二子区域靠近第一区域。第一子区域的表面相对于第一区域的表面倾斜，且凹槽结构的第一子区域的部分的横截面积沿背离第一面的方向逐渐增大。第二子区域的表面为平面。第一掺杂半导体层位于至少部分第一区域上。第二掺杂半导体层位于第二区域上、且延伸至部分第一区域的上方。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光伏，尤其涉及一种背接触电池及其制造方法。

技术介绍

1、太阳能电池正是一种能够将上述太阳的光能转化为电能的装置。具体的，在太阳能电池处于工作状态下，太阳光照在太阳能电池的半导体p-n结上，形成新的空穴-电子对，在p-n结内建电场的作用下，光生空穴流向p区，光生电子流向n区，接通电路后就能够产生电流。其中，正电极和负电极都处于电池的背面的太阳能电池为背接触电池。与双面接触太阳能电池相比，该背接触电池的正面没有金属电极的遮挡，使得背接触电池的向光面一侧具有更高的光线利用率，因此背接触电池具有更高的短路电流和光电转换效率，是目前实现高效晶体硅电池的技术方向之一。

2、而随着光伏行业的不断发展，降低发电成本是一个不得不面对的问题，而提高上述背接触电池的光电转换效率就是降低成本的关键措施。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种背接触电池及其制造方法，用于降低背接触电池中位于第一面一侧的载流子复合速率，利于提高背接触电池的光电转换效率。

2、为了实现上述目的，本专利技术提本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种背接触电池，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的背接触电池，其特征在于，沿所述第一区域和所述第二区域的排布方向，所述凹槽结构的槽底面的宽度与所述第二区域的总宽度之间的比值大于等于50％，且小于等于99.9％；和/或，

3.根据权利要求1所述的背接触电池，其特征在于，所述凹槽结构的槽底面上形成有纹理结构；和/或，

4.根据权利要求1所述的背接触电池，其特征在于，所述第一子区域的表面上形成有纹理结构；沿所述第一区域和所述第二区域的排布方向，所述第一子区域具有第一粗糙度区和第二粗糙度区，所述第二粗糙度区靠近所述第二子区域；所述第二粗糙度区的表...

【技术特征摘要】

1.一种背接触电池，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的背接触电池，其特征在于，沿所述第一区域和所述第二区域的排布方向，所述凹槽结构的槽底面的宽度与所述第二区域的总宽度之间的比值大于等于50％，且小于等于99.9％；和/或，

3.根据权利要求1所述的背接触电池，其特征在于，所述凹槽结构的槽底面上形成有纹理结构；和/或，

4.根据权利要求1所述的背接触电池，其特征在于，所述第一子区域的表面上形成有纹理结构；沿所述第一区域和所述第二区域的排布方向，所述第一子区域具有第一粗糙度区和第二粗糙度区，所述第二粗糙度区靠近所述第二子区域；所述第二粗糙度区的表面粗糙度小于所述第一粗糙度区的表面粗糙度。

5.根据权利要求4所述的背接触电池，其特征在于，所述第一粗糙度区上形成的纹理结构的形貌不同于所述第二粗糙度区上形成的纹理结构的形貌。

6.根据权利要求4所述的背接触电池，其特征在于，所述第二粗糙度区上形成的纹理结构为棱线结构；所述棱线结构的延伸方向平行于所述第一子区域的倾斜方向；

7.根据权利要求4所述的背接触电池，其特征在于，沿所述第一子区域的倾斜方向，所述第二粗糙度区的长度大于0、且小于等于3μm；和/或，

8.根据权利要求1所述的背接触电池，其特征在于，在所述第一子区域的表面以及凹槽结构的槽底面上均形成有纹理结构的情况下，所述第一子区域的表面上形成的纹理结构的形貌和所述凹槽结构的槽底面上形成的纹理结构的形貌不同。

9.根据权利要求8所述的背接触电池，其特征在于，所述第一子区域的至少部分表面的纵截面呈锯齿状；和/或，

10.根据权利要求1所述的背接触电池，其特征在于，所述背接触电池还包括第一钝化层，所述第一钝化层至少位于所述第一掺杂半导体层和所述第一区域之间；和/或，

11.根据权利要求1所述的背接触电池，其特征在于，所述背接触电池还包括本征半导体层；所述本征半导体层沿...

【专利技术属性】
技术研发人员：李云朋，罗飞，叶枫，方亮，徐希翔，
申请(专利权)人：隆基绿能科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：