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本发明公开了一种背接触电池及其制造方法，涉及光伏技术领域，以降低背接触电池中位于第一面一侧的载流子复合速率。所述背接触电池包括：半导体基底、第一掺杂半导体层和第二掺杂半导体层。沿第二面至第一面的方向，第二区域的表面低于第一区域的表面，以形成...
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