【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及硅棒加工，尤其涉及一种硅棒的加工方法及装置、电子设备。
技术介绍
1、随着现代经济的不断发展，单晶硅作为一种清洁能源，正广泛运用在各行各业，光伏发电作为清洁能源的主导，日益受到大家的重视。单晶硅棒即为硅棒，作为光伏发电的一种原材料，有着广泛的市场需求。
2、目前，硅棒的常用加工处理方式，是使用抛光机，对硅棒进行加工处理，从而得到符合尺寸要求的硅棒。在具体加工处理过程中，通常需要先对抛光机进行调试，即对待加工硅棒进行多次尝试加工，然后基于每次加工出的硅棒尺寸对抛光机进行调试。最终，使得调试后的抛光机可以直接加工出符合尺寸要求的硅棒。
3、然而，上述调试过程需要人工进行，并且通常需要多次不断的调试，效率低下；同时，若加工出的硅棒尺寸低于正常范围的下限值，势必会造成硅棒的极大浪费。
技术实现思路
1、本专利技术实施例提供一种硅棒的加工方法及装置、电子设备，以解决现有技术中人工调试抛光机效率低下，且容易造成材料浪费的问题。
2、第一方面，本专利技术实施例提供了一种硅棒的加工方法，应用于抛光机，所述方法包括：
3、在接收到用户输入的目标参数的情况下，将所述抛光机的进给轴偏置设置为所述目标参数；其中，所述目标参数的参数值大于所述抛光机中触发修磨操作的硅棒尺寸修正值；
4、基于当前所述进给轴偏置中的所述目标参数，对待加工硅棒中的第一硅棒进行加工，得到大于目标上限值的所述第一硅棒；其中，所述目标上限值等于针对所述待加工硅棒设
5、计算第一尺寸值和所述加工目标值之间的差值，得到第一修磨量，其中，所述第一尺寸值为所述大于目标上限值的所述第一硅棒的尺寸值；
6、在基于所述第一修磨量对所述第一尺寸值的所述第一硅棒执行修磨操作的情况下，采用所述第一修磨量对所述进给轴偏置进行补偿。
7、可选地，在所述采用所述第一修磨量对所述进给轴偏置进行补偿之后，所述方法还包括：
8、在对任一第二硅棒进行加工的过程中，基于所述抛光机中最新补偿后的所述进给轴偏置，对所述第二硅棒进行加工；其中，所述第二硅棒包括所述待加工硅棒中的除所述第一硅棒之外的硅棒；
9、在第二尺寸值大于所述目标上限值的情况下，计算所述第二尺寸值和所述加工目标值之间的差值，得到第二修磨量，其中，所述第二尺寸值为加工后的所述第二硅棒的尺寸值；
10、在基于所述第二修磨量对所述第二尺寸值的所述第二硅棒执行修磨操作的情况下，采用所述第二修磨量重新对所述进给轴偏置进行补偿。
11、可选地，在基于所述抛光机中最新补偿后的所述进给轴偏置，对所述第二硅棒进行加工之后，所述方法还包括：
12、在所述第二尺寸值小于或等于所述目标上限值的情况下，计算所述第二尺寸值和所述加工目标值之间的差值，得到增加补偿值；
13、采用所述增加补偿值重新对所述进给轴偏置进行补偿。
14、可选地，所述待加工硅棒的加工过程包括粗磨加工阶段和精磨加工阶段，所述加工目标值为所述精磨加工阶段的精磨目标值，且所述粗磨加工阶段设置有粗磨目标值；
15、所述基于当前所述进给轴偏置中的所述目标参数，对待加工硅棒中的第一硅棒进行加工，得到大于目标上限值的所述第一硅棒，包括：
16、基于当前所述进给轴偏置中的所述目标参数，对待加工硅棒中的第一硅棒进行粗磨加工，得到大于所述粗磨目标值的所述第一硅棒；
17、计算第三尺寸值和所述粗磨目标值之间的差值，得到粗磨补偿值，其中，所述第三尺寸为粗磨加工后的所述第一硅棒的尺寸值；
18、基于所述第三尺寸，对所述粗磨加工后的所述第一硅棒进行精磨加工，得到大于目标上限值的所述第一硅棒；
19、所述方法还包括：
20、采用所述粗磨补偿值在所述粗磨加工阶段对所述进给轴偏置进行补偿；
21、相应的，所述采用所述第一修磨量对所述进给轴偏置进行补偿，包括：
22、采用所述第一修磨量在所述精磨加工阶段对所述进给轴偏置进行补偿。
23、可选地，所述对所述进给轴偏置进行补偿，包括：
24、调整所述抛光机的砂轮进给轴的零点位置。
25、第二方面，本专利技术实施例还提供一种硅棒的加工装置，应用于抛光机，所述装置包括：
26、偏置模块，用于在接收到用户输入的目标参数的情况下，将所述抛光机的进给轴偏置设置为所述目标参数；其中，所述目标参数的参数值大于所述抛光机中触发修磨操作的硅棒尺寸修正值；
27、第一加工模块，用于基于当前所述进给轴偏置中的所述目标参数，对待加工硅棒中的第一硅棒进行加工，得到大于目标上限值的所述第一硅棒；其中，所述目标上限值等于针对所述待加工硅棒设置的加工目标值加上所述硅棒尺寸修正值的和；
28、第一计算模块，用于计算第一尺寸值和所述加工目标值之间的差值，得到第一修磨量，其中，所述第一尺寸值为所述大于目标上限值的所述第一硅棒的尺寸值；
29、第一补偿模块，用于在基于所述第一修磨量对所述第一尺寸值的所述第一硅棒执行修磨操作的情况下，采用所述第一修磨量对所述进给轴偏置进行补偿。
30、可选地，所述装置还包括：
31、第二加工模块，用于在对任一第二硅棒进行加工的过程中，基于所述抛光机中最新补偿后的所述进给轴偏置，对所述第二硅棒进行加工；其中，所述第二硅棒包括所述待加工硅棒中的除所述第一硅棒之外的硅棒；
32、第二计算模块，用于在第二尺寸值大于所述目标上限值的情况下，计算所述第二尺寸值和所述加工目标值之间的差值，得到第二修磨量，其中，所述第二尺寸值为加工后的所述第二硅棒的尺寸值；
33、第二补偿模块，用于在基于所述第二修磨量对所述第二尺寸值的所述第二硅棒执行修磨操作的情况下，采用所述第二修磨量重新对所述进给轴偏置进行补偿。
34、可选地，所述装置还包括：
35、第三计算模块，用于在所述第二尺寸值小于或等于所述目标上限值的情况下，计算所述第二尺寸值和所述加工目标值之间的差值，得到增加补偿值；
36、第三补偿模块，用于采用所述增加补偿值重新对所述进给轴偏置进行补偿。
37、第三方面，本专利技术实施例还提供一种电子设备，该电子设备包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现如上所述的硅棒的加工方法的步骤。
38、第四方面，本专利技术实施例还提供一种计算机可读存储介质，该计算机可读存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如上所述的硅棒的加工方法的步骤。
39、在本专利技术实施例中，在接收到用户输入的目标参数的情况下，将抛光机的进给轴偏置设置为目标参数，由于目标参数的参数值大于抛光机中触发修磨操作的硅棒尺寸修正值，因此基于当前进给轴偏置中的目标参数对待加工硅棒中的本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种硅棒的加工方法，应用于抛光机，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述采用所述第一修磨量对所述进给轴偏置进行补偿之后，所述方法还包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在基于所述抛光机中最新补偿后的所述进给轴偏置，对所述第二硅棒进行加工之后，所述方法还包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述待加工硅棒的加工过程包括粗磨加工阶段和精磨加工阶段，所述加工目标值为所述精磨加工阶段的精磨目标值，且所述粗磨加工阶段设置有粗磨目标值；
5.根据权利要求1或2或3或4所述的方法，其特征在于，所述对所述进给轴偏置进行补偿，包括：
6.一种硅棒的加工装置，应用于抛光机，其特征在于，所述装置包括：
7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述装置还包括：
8.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述装置还包括：
9.一种电子设备，包括处理器、存储器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被所述
10.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质上存储计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1至5中任一项所述的硅棒的加工方法的步骤。
...【技术特征摘要】
1.一种硅棒的加工方法，应用于抛光机，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述采用所述第一修磨量对所述进给轴偏置进行补偿之后，所述方法还包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在基于所述抛光机中最新补偿后的所述进给轴偏置，对所述第二硅棒进行加工之后，所述方法还包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述待加工硅棒的加工过程包括粗磨加工阶段和精磨加工阶段，所述加工目标值为所述精磨加工阶段的精磨目标值，且所述粗磨加工阶段设置有粗磨目标值；
5.根据权利要求1或2或3或4所述的方法，其特征在于，所述对所述进给轴偏置进行...
【专利技术属性】
技术研发人员：相鹏飞，李成博，成路，郭瑞波，尚小端，王猛，郗磊，常康康，马松海，何慧斌，
申请(专利权)人：隆基绿能科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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