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本发明公开了一种半导体结构的制作方法，属于半导体技术领域，所述制作方法至少包括：提供一衬底，在所述衬底上依次形成垫氧化层和垫氮化层；蚀刻部分所述垫氧化层、所述垫氮化层和所述衬底，形成浅沟槽；在所述浅沟槽内沉积绝缘介质，所述浅沟槽内的所述绝缘...
该专利属于合肥晶合集成电路股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥晶合集成电路股份有限公司授权不得商用。

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