本发明提供了一种半导体结构及其制造方法，其中半导体结构包括：衬底；第一阻挡层，设置在衬底中，且第一阻挡层将衬底划分为逻辑区和像素区；深沟槽隔离结构，设置在像素区，深沟槽隔离结构连接于第一阻挡层；介质层，设置在像素区上，介质层覆盖衬底的表...

本发明公开了一种半导体器件的光学量测结构及其量测方法，其中半导体器件上设置切割道，光学量测结构至少包括：多个参照标记，设置在切割道中，且参照标记位于半导体器件的前层堆叠层中；辅助量测图案，设置在半导体器件的当层堆叠层中，辅助量测图案位于...

本发明涉及半导体领域，特别是涉及一种半导体掩膜版及其制作方法。半导体掩膜版包括多个曝光单元，每个曝光单元包括：多个器件框区，呈矩形阵列，器件框区包括芯片区和第一缓冲区，第一缓冲区包围芯片区；以及多个切割道区，位于相邻两个器件框区之间，部...

本发明提供一种晶圆键合的气泡分析方法及分析装置，分析方法包括：获取晶圆键合气泡图片；根据预设第一像素阈值，对所述晶圆键合气泡图片进行二值化处理，并统计破裂气泡的像素信息；根据预设第二像素阈值，对所述晶圆键合气泡图片进行反二值化处理，并统...

本申请提供了一种采集晶圆表面金属的方法。该方法包括：将待检测晶圆放入处理腔室中，去除待检测晶圆的预定部分，预定部分包括预定表面，预定表面为接受离子注入的表面；采用气相分解液滴对待检测晶圆的表面进行吹扫，并收集得到气相分解测试液。由于被离...

本发明公开了一种掩模版及其图形修正方法，掩模版用于半导体结构的曝光步骤，掩模版至少包括：多个图版，图版包括遮盖区域和光刻区域，遮盖区域和光刻区域连接，多个光刻区域的图案拼接并形成掩模版的光刻图案，其中本次曝光所使用的图版为二级图版，前一...

本申请涉及一种NMOS晶体管制备方法及NMOS晶体管，首先提供衬底，衬底内包括阵列排布的多个有源区及用于限定多个有源区的沟槽，沟槽的内侧壁上形成有衬垫氧化层，于沟槽内形成顶面低于衬垫氧化层的顶面的填充层，至少经由沟槽的内侧壁向有源区内依...

本申请涉及一种半导体结构减薄方法及结构，包括：提供承载晶圆及器件晶圆，器件晶圆包括掺杂衬底及位于掺杂衬底的正面的外延层及器件层，将器件层的顶面与承载晶圆的正面键合，然后沿垂直衬底方向去除器件晶圆中掺杂衬底的主体部分，得到残存掺杂衬底，其...

本发明提供了一种沟槽的制备方法，包括：提供衬底，衬底上依次形成有氧化铝层、氧化硅层和图形化的光刻胶层；执行第一刻蚀工艺，以图形化的光刻胶层为掩模依次刻蚀氧化硅层和氧化铝层，以形成贯穿氧化硅层和氧化铝层的开口，且开口的侧壁具有若干凸起，且...

本发明提供了一种掩膜版、光学临近修正方法、装置及电子设备，应用于半导体技术领域。具体的，先是对测试版图中的线条端点图形进行多次第一移动量的初始光学临近修正，直至线条端点图形的边缘位置误差小于第一阈值时停止，之后再通过引入一新的评价函数，...

本公开涉及一种套刻标记及其制备方法，涉及集成电路技术领域。所述套刻标记的制备方法包括以下步骤：提供衬底，衬底具有芯片区和沟槽区，沟槽区设置有前层标记图案；于衬底具有前层标记图案的一侧形成具有第一图形和第二图形的套刻标记。其中，第一图形对...

本发明涉及一种多次可编程器件及其制备方法。一种多次可编程器件包括：衬底，衬底包括第一阱区和第二阱区，第一阱区为第一导电类型，第二阱区为第二导电类型，第一阱区具有源极和漏极，第二阱区具有控制栅极，其中，源极、漏极和控制栅极均为第二导电类型...

本技术提供一种半导体的掩膜版图形，包括：主图形，包括：至少两个连接段；连接部，相邻两个所述连接段相互靠近的一端，通过所述连接部连接，或者一个所述连接段的中部与一个所述连接段的一端通过所述连接部连接；以及端部，位于多个相连所述连接段的一端...

本实用新型提供一种清洗槽及晶圆槽式清洗机，其中，所述清洗槽包括槽体和设于所述槽体内的多个扰流件，所述槽体具有用于放置晶圆的晶圆放置区域，多个所述扰流件围绕所述晶圆放置区域依次设置，且各所述扰流件沿所述槽体的高度方向延伸设置

本实用新型提供一种光刻胶输送装置，包括第一容器

本实用新型提供了一种

本申请涉及一种深沟槽的制备方法及图像传感器

本申请涉及半导体制造技术领域，特别是涉及一种半导体结构及其制备方法

本实用新型提供一种半导体掩膜版的图形结构，包括：主图形，包括：至少两个连接段；连接部，相邻两个所述连接段相互靠近的一端，通过所述连接部连接；以及端部，位于多个相连所述连接段的一端；以及多个辅助图形，每一所述辅助图形包括多个条形部，多个条...

本实用新型提供一种半导体机台灯源的温度调节系统及半导体机台，包括：温度传感器组，位于光源灯室内，所述温度传感器组包括阳极温度传感器