【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造，特别涉及一种半导体结构及其制造方法。
技术介绍
1、在半导体制造技术中，半导体集成电路的信号通路形成交互网络。当其中一个信号通路出现问题，其他的信号通路会立刻出现信号增强。在图像传感器中，相邻的像素信号通路之间会相互影响，过近的像素信号通路会导致成像出现数字噪点。在形成像素结构的绝缘层时，辉光放电损伤会影响绝缘层和信号通路结构的成型，导致这种集成电路交互网络的信号通路效应（cross talk）不能达到理想效果，并且半导体器件的制造良率降低。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种半导体结构及其制造方法，能够形成稳定可靠的像素结构，降低暗电流，并提升半导体制程良率。
2、为解决上述技术问题，本专利技术是通过以下技术方案实现的：
3、本专利技术提供了一种半导体结构，包括：
4、衬底；
5、第一阻挡层，设置在所述衬底中，且所述第一阻挡层将所述衬底划分为逻辑区和像素区；
6、深沟槽隔离结构，设置在所述像素区，所述深沟槽隔离结构连接于所述第一阻挡层；
7、介质层，设置在所述像素区上，所述介质层覆盖所述衬底的表面；
8、隔离结构，设置在所述介质层中，所述隔离结构设置在所述深沟槽隔离结构上，且所述隔离结构在所述介质层中划分出多个透光通道；以及
9、组合掺杂区，设置在所述像素区中，所述组合掺杂区设置在所述透光通道的覆盖区域。
10、在本专利技术一实施例中，
11、在本专利技术一实施例中，所述组合掺杂区包括多个掺杂区，多个所述掺杂区沿着垂直于所述衬底表面的方向依次连接，且多个所述掺杂区的厚度相等。
12、在本专利技术一实施例中，所述半导体结构包括第二阻挡层，所述第二阻挡层设置在所述隔离结构与所述介质层之间，且所述第二阻挡层包裹所述隔离结构的侧壁和底壁。
13、本专利技术提供了一种半导体结构的制造方法，包括以下步骤：
14、提供一衬底，对所述衬底注入氧离子，形成第一阻挡层，其中所述第一阻挡层将所述衬底划分为逻辑区和像素区；
15、形成深沟槽隔离结构于所述像素区中，且所述深沟槽隔离结构连接于所述第一阻挡层；
16、形成介质层于所述像素区上，所述介质层覆盖所述衬底的表面；
17、形成组合掺杂区于所述像素区中；以及
18、形成隔离结构于所述介质层中，所述隔离结构设置在所述深沟槽隔离结构上，且所述隔离结构在所述介质层中划分出多个透光通道，其中所述透光通道覆盖所述组合掺杂区。
19、在本专利技术一实施例中，形成所述组合掺杂区的步骤包括：形成多个掺杂区于所述介质层中，并通过退火处理所述介质层，将位于所述衬底上的所述掺杂区转移至所述像素区中，形成所述组合掺杂区。
20、在本专利技术一实施例中，在形成所述介质层前，形成蚀刻停止层于所述衬底上和所述深沟槽隔离结构上。
21、在本专利技术一实施例中，形成所述隔离结构后，移除所述介质层和部分所述蚀刻停止层。
22、在本专利技术一实施例中，形成所述隔离结构的步骤包括：在形成所述组合掺杂区后，移除位于所述深沟槽隔离结构上的所述介质层，形成隔离沟槽。
23、在本专利技术一实施例中，在形成所述透光隔离结构后，形成第二阻挡层于所述隔离沟槽的槽壁上，并填充所述隔离沟槽，形成所述透光隔离结构。
24、如上所述，本专利技术提供了一种半导体结构及其制造方法，本专利技术意想不到的技术效果在于：避免通过离子注入在像素区内形成光电二极管结构，从而降低了辉光放电损伤对像素区造成的损伤，提升了光电二极管的电学性能，并提升了半导体制程良率。并且，根据本专利技术提供的半导体结构，能够明确将像素区和逻辑区分离，避免像素区的制程影响到逻辑区的结构，并且根据本专利技术提供的半导体结构的制造方法，在形成组合掺杂区的同时，也明确了形成隔离结构的位置，制程效率更高。并且根据本专利技术提供的半导体结构，能够明确地区分开不同的光电反应区域，避免产生信号串扰，并且本专利技术的制程对衬底的损伤低，根据本专利技术提供的半导体结构形成的图像传感器，具有更低的暗电流。
25、当然，实施本专利技术的任一产品并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。
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1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括蚀刻停止层，所述蚀刻停止层设置在所述衬底和所述介质层之间，且所述蚀刻停止层覆盖所述组合掺杂区。
3.根据权利要求1所述的一种半导体结构，其特征在于，所述组合掺杂区包括多个掺杂区，多个所述掺杂区沿着垂直于所述衬底表面的方向依次连接，且多个所述掺杂区的厚度相等。
4.根据权利要求1所述的一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括第二阻挡层，所述第二阻挡层设置在所述透光隔离结构与所述介质层之间，且所述第二阻挡层包裹所述透光隔离结构的侧壁和底壁。
5.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
6.根据权利要求5所述的一种半导体结构的制造方法，其特征在于，形成所述组合掺杂区的步骤包括：形成多个掺杂区于所述介质层中，并通过退火处理所述介质层，将位于所述衬底上的所述掺杂区转移至所述像素区中，形成所述组合掺杂区。
7.根据权利要求5所述的一种半导体结构的制造方法，其特征在于，在形成所述介质层前，形成蚀
8.根据权利要求7所述的一种半导体结构的制造方法，其特征在于，形成所述透光隔离结构后，移除所述介质层和部分所述蚀刻停止层。
9.根据权利要求5所述的一种半导体结构的制造方法，其特征在于，形成所述透光隔离结构的步骤包括：在形成所述组合掺杂区后，移除位于所述深沟槽隔离结构上的所述介质层，形成隔离沟槽。
10.根据权利要求9所述的一种半导体结构的制造方法，其特征在于，在形成所述透光隔离结构后，形成第二阻挡层于所述隔离沟槽的槽壁上，并填充所述隔离沟槽，形成所述透光隔离结构。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括蚀刻停止层，所述蚀刻停止层设置在所述衬底和所述介质层之间，且所述蚀刻停止层覆盖所述组合掺杂区。
3.根据权利要求1所述的一种半导体结构，其特征在于，所述组合掺杂区包括多个掺杂区，多个所述掺杂区沿着垂直于所述衬底表面的方向依次连接，且多个所述掺杂区的厚度相等。
4.根据权利要求1所述的一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括第二阻挡层，所述第二阻挡层设置在所述透光隔离结构与所述介质层之间，且所述第二阻挡层包裹所述透光隔离结构的侧壁和底壁。
5.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
6.根据权利要求5所述的一种半导体结构的制造方法，其特征在于，形成所述组合掺杂区的步骤包括：形成多...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈维邦，
申请(专利权)人：合肥晶合集成电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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