【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体，特别涉及一种ldmos结构以及制备方法。
技术介绍
1、ldmos（laterally-diffused metal-oxide semiconductor，横向扩散金属氧化物半导体）是一种高压大功率的半导体器件，被广泛应用于功率集成电路。ldmos结构追求的目标是获得较高的击穿电压和较低的导通电阻，然而，击穿电压与导通电阻均强烈受制于漂移区长度和掺杂浓度，因而存在固有的矛盾关系，不利于ldmos结构的尺寸进一步缩小。
2、为了改善ldmos结构的击穿电压及导通电阻特性，目前通常采用埋层区技术、横向变掺杂（vld）技术和场板技术来实现击穿电压与导通电阻的良好折中。其中，在掺杂浓度达到适当的条件下，ldmos结构的击穿电压常受制于漂移区的长度。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于，提供一种ldmos结构以及制备方法，可以缩短漂移区的长度，并有效提高击穿电压。
2、为了解决上述问题，本专利技术提供一种ldmos结构，包括位于衬底中且间隔设置的漂移区和体区，位于所述漂移区中的漏极、位于所述体区中的源极，还包括凹槽、氧化层、栅氧层和多晶硅层，所述氧化层位于所述漂移区上方，所述凹槽位于所述体区，所述凹槽和氧化层相邻设置，所述凹槽的部分延伸至所述漂移区和体区之间的间隙中，所述漏极和源极分别位于所述凹槽和氧化层的外侧，所述栅氧层覆盖所述凹槽的底壁和侧壁，所述多晶硅层覆盖所述栅氧层并填充所述凹槽，同时还覆盖所述氧化层靠近所述栅氧层一侧的部分表面
3、可选的，所述凹槽的侧壁和底壁光滑过渡。
4、进一步的，所述凹槽的横截面呈u型。
5、可选的，所述凹槽的深度小于或等于所述体区的深度。
6、进一步的，在所述源极向漏极方向上，所述凹槽的长度小于或等于所述源极与所述氧化层之间的间距。
7、另一方面，本专利技术还提供一种ldmos结构的制备方法，包括以下步骤：
8、提供衬底，所述衬底中形成有间隔设置的体区和漂移区，所述漂移区的衬底上形成有氧化层；
9、在所述体区的衬底中形成凹槽，所述凹槽和氧化层相邻设置，且所述凹槽的部分延伸至所述漂移区和体区之间的间隙中；
10、形成栅氧层和多晶硅层，所述栅氧层覆盖所述凹槽的底壁和侧壁，所述多晶硅层覆盖所述栅氧层并填充所述凹槽，同时还覆盖所述氧化层靠近所述栅氧层一侧的部分表面；
11、形成源极和漏极，所述源极位于所述体区，所述漏极位于所述漂移区，且所述漏极和源极分别位于所述凹槽和氧化层的外侧。
12、可选的，所述凹槽的侧壁和底壁光滑过渡。
13、进一步的，所述凹槽的横截面呈u型。
14、可选的，所述凹槽的深度小于或等于所述体区的深度。
15、进一步的，在所述源极向漏极方向上，所述凹槽的长度小于或等于沿所述源极与所述氧化层之间的间距。
16、与现有技术相比，本专利技术具有以下意想不到的技术效果：
17、本专利技术提供一种ldmos结构以及制备方法，ldmos结构包括位于衬底中且间隔设置的漂移区和体区，位于所述漂移区中的漏极、位于所述体区中的源极，还包括凹槽、氧化层、栅氧层和多晶硅层，所述氧化层位于所述漂移区上方，所述凹槽位于所述体区，所述凹槽和氧化层相邻设置，所述凹槽的部分延伸至所述漂移区和体区之间的间隙中，所述漏极和源极分别位于所述凹槽和氧化层的外侧，所述栅氧层覆盖所述凹槽的底壁和侧壁，所述多晶硅层覆盖所述栅氧层并填充所述凹槽，同时还覆盖所述氧化层靠近所述栅氧层一侧的部分表面。本专利技术的方案起到预想不到的技术效果是：凹槽能够合理的分散多晶硅栅极两侧的电场，使得反型沟道合理的沿多晶硅栅极分布；所述多晶硅层覆盖所述栅氧层并填充所述凹槽，同时还覆盖所述氧化层靠近所述栅氧层一侧的部分表面，可以提高击穿电压，并缩短所述ldmos结构的尺寸。
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1.一种LDMOS结构，包括位于衬底中且间隔设置的漂移区和体区，位于所述漂移区中的漏极、位于所述体区中的源极，其特征在于，还包括凹槽、氧化层、栅氧层和多晶硅层，所述氧化层位于所述漂移区上方，所述凹槽位于所述体区，所述凹槽和氧化层相邻设置，所述凹槽的部分延伸至所述漂移区和体区之间的间隙中，所述漏极和源极分别位于所述凹槽和氧化层的外侧，所述栅氧层覆盖所述凹槽的底壁和侧壁，所述多晶硅层覆盖所述栅氧层并填充所述凹槽，同时还覆盖所述氧化层靠近所述栅氧层一侧的部分表面。
2.如权利要求1所述的LDMOS结构，其特征在于，所述凹槽的侧壁和底壁光滑过渡。
3.如权利要求2所述的LDMOS结构，其特征在于，所述凹槽的横截面呈U型。
4.如权利要求1所述的LDMOS结构，其特征在于，所述凹槽的深度小于或等于所述体区的深度。
5.如权利要求4所述的LDMOS结构，其特征在于，在所述源极向漏极方向上，所述凹槽的长度小于或等于所述源极与所述氧化层之间的间距。
6.一种LDMOS结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
7.如权利要求
8.如权利要求7所述的LDMOS结构的制备方法，其特征在于，所述凹槽的横截面呈U型。
9.如权利要求6所述的LDMOS结构的制备方法，其特征在于，所述凹槽的深度小于或等于所述体区的深度。
10.如权利要求9所述的LDMOS结构的制备方法，其特征在于，在所述源极向漏极方向上，所述凹槽的长度小于或等于沿所述源极与所述氧化层之间的间距。
...【技术特征摘要】
1.一种ldmos结构，包括位于衬底中且间隔设置的漂移区和体区，位于所述漂移区中的漏极、位于所述体区中的源极，其特征在于，还包括凹槽、氧化层、栅氧层和多晶硅层，所述氧化层位于所述漂移区上方，所述凹槽位于所述体区，所述凹槽和氧化层相邻设置，所述凹槽的部分延伸至所述漂移区和体区之间的间隙中，所述漏极和源极分别位于所述凹槽和氧化层的外侧，所述栅氧层覆盖所述凹槽的底壁和侧壁，所述多晶硅层覆盖所述栅氧层并填充所述凹槽，同时还覆盖所述氧化层靠近所述栅氧层一侧的部分表面。
2.如权利要求1所述的ldmos结构，其特征在于，所述凹槽的侧壁和底壁光滑过渡。
3.如权利要求2所述的ldmos结构，其特征在于，所述凹槽的横截面呈u型。
4.如权利要求1所述的ldmos结构，其特征在于，所述凹槽的深...
【专利技术属性】
技术研发人员：胡少年，谢荣源，
申请(专利权)人：合肥晶合集成电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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