杭州左蓝微电子技术有限公司专利技术

杭州左蓝微电子技术有限公司共有103项专利

  • 本实用新型公开了一种谐振器结构及具有该结构的声表面波滤波器,该谐振器包括压电基底、叉指电极、反射栅及汇流排,还包括与汇流排连接的循环周期排布的电极周期,同一周期内包括叉指电极和与叉指电极对应设置的假指,假指与叉指电极末端之间留有空隙,所...
  • 本发明公开了一种薄膜体声波谐振器及其制备工艺,制备工艺包括:制作衬底,在衬底上刻蚀凹槽并在凹槽内填充释放材料;在衬底上连续依次形成下电极、压电层和上电极,构建覆盖释放材料的压电薄膜堆叠结构;图形化上电极和压电层,以使上电极和压电层在垂直...
  • 本发明公开了一种谐振器结构及具有该谐振器结构的滤波器,包括压电基底、叉指电极、反射栅和汇流排,还包括与汇流排连接的循环周期排布的电极周期,同一电极周期内包括叉指电极和与叉指电极对应设置的假指,所述假指与叉指电极末端之间留有空隙,其中,同...
  • 本发明公开了可用于声表面波滤波器的厚度集成结构,包括本体,所述本体包括封装基板以及在所述封装基板上沿厚度方向依次通过键合层堆叠的至少两个芯片;每个所述芯片的焊盘均通过导电通道结构与所述封装基板的焊盘电连接。本发明还公开了可用于声表面波滤...
  • 本发明公开了大带宽声表面波滤波器,包括连接成梯形结构的第一谐振器组和第二谐振器组,所述第一谐振器组包括串联的多个声表面波谐振器,所述第二谐振器组包括并联的多个声表面波谐振器;所述第一谐振器组中的声表面波谐振器的金属化比与所述第二谐振器组...
  • 本申请提供一种集成组件及制备方法,所述方法包括:提供一衬底,所述衬底具有相背设置的第一面和第二面;在所述衬底的第一面上制备滤波谐振器;在所述衬底的第二面上构成功率放大器;通过在同一个衬底的两个表面上分别设置滤波谐振器和功率放大器,这样既...
  • 本申请提供一种薄膜体声波谐振器及其制备方法,所述谐振器包括:带空腔的基底、压电薄膜堆叠结构和至少一个支撑连接件;所述压电薄膜堆叠结构设置在所述基底的空腔上,且所述压电薄膜堆叠结构通过所述至少一个支撑连接件与所述基底表面固定连接;本申请中...
  • 本申请提供一种薄膜体声波谐振器及其制备方法,所述方法包括:提供剥离基板,在所述剥离基板上制备带至少一个弹性连接结构的压电薄膜堆叠结构;提供一带空腔的基底;将所述压电薄膜堆叠结构置于所述基底的空腔中,并使所述压电薄膜堆叠的至少一个弹性连接...
  • 本发明公开了薄膜体声波谐振器的制备方法,属于微电子制造技术领域,制备方法具体包括以下步骤:S100提供基板,在基板的加工面上刻蚀出凹腔;S200在基板的加工面上依次覆盖保护层和牺牲层;S300在保护层和牺牲层上刻蚀出凹槽,并在凹槽中沉积...
  • 本实用新型公开了一种剪切体声波谐振器,包括衬底和背面附接在所述衬底上的压电基板,所述衬底朝向所述压电基板一侧设有空腔;所述压电基板背面设有位于所述空腔内的下叉指换能器,所述压电基板正面设有上叉指换能器;所述上叉指换能器与所述下叉指换能器...
  • 本申请提供一种滤波器,所述滤波器包括:至少一个抑制谐振器和包括至少一个主谐振器的带通滤波组件;所述带通滤波组件包括用于接收被滤波信号/发送滤波信号的第一端口和用于接收所述被滤波信号/发送所述滤波信号的第二端口,通过至少一个所述主谐振器对...
  • 本实用新型公开了一种分集射频前端模组,包括射频开关、匹配电路以及多路滤波器,所述多路滤波器分为较高频段组和较低频段组,所述匹配电路包括设置在所述较高频段组的滤波器与所述射频开关之间的高通滤波器,以及设置在所述较低频段组的滤波器与所述射频...
  • 本发明提供一种适用于压电谐振器的数据处理方法及装置,包括:对用户主动配置的标准设计数据进行存储,为所述标准设计数据添加相对应的设计属性信息;基于所接收到的横向模抑制系数,对所述标准设计数据进行调整生成相对应的调整设计数据;将所述调整设计...
  • 本发明公开一种表面贴装器件测试装置,所述表面贴装器件测试装置包括基座、限位板、测试电路板、SMA接头、压紧组件和施压机构,沿所述基座的上表面的外周缘至少部分设有限位凸台,所述限位板可拆卸地安装在所述基座上且由所述限位凸台限位,所述限位板...
  • 本发明提出一种声表面波器件,所述声表面波器件包括基底、第一压电薄膜、第二压电薄膜、第一叉指电极、第二叉指电极、多个第一反射器和多个第二反射器,所述基底具有上表面和下表面,所述第一压电薄膜设在所述上表面上,所述第二压电薄膜设在所述下表面上...
  • 本发明公开了一种剪切体声波谐振器,包括衬底和背面附接在所述衬底上的压电基板,所述衬底朝向所述压电基板一侧设有空腔;所述压电基板背面设有位于所述空腔内的下叉指换能器,所述压电基板正面与所述下叉指换能器对称的位置设有上叉指换能器,所述下叉指...
  • 本发明公开了一种能够抑制横向模式的声表面波器件,包括设置在压电基板上的叉指电极,所述叉指电极的边缘区域设有与所述叉指电极主体部分材料密度不同的替换部。还公开了一种能够抑制横向模式的声表面波器件制作方法。本发明通过采用密度不同的材料替换叉...
  • 本发明公开了一种声表面波器件,包括:压电基板;叉指换能器,设置在所述压电基板上;桥结构,设置在所述压电基板上且其内侧在所述叉指换能器上方形成空腔;电感,其设置在所述桥结构梁部之中、外侧或内侧;所述电感位于所述叉指换能器的上方。本发明还公...
  • 本实用新型公开了基于改进的温度补偿层的声表面波谐振器,包括:压电基板1、设置在所述压电基板1上的叉指换能器2以及至少覆盖所述叉指换能器2区域的温度补偿层3,所述温度补偿层3上设有对应于所述叉指换能器2区域的二维阵列排布的多个盲孔4。本实...
  • 本发明公开了声表面波器件,包括:压电基板;叉指换能器,设置在所述压电基板上;介质层,其设置在所述压电基板上且不覆盖或至少部分覆盖所述叉指换能器;电感,其设置在所述介质层之上或之中;所述电感位于所述叉指换能器的上方并避开所述叉指换能器的工...