一种集成组件及制备方法技术

本申请提供一种集成组件及制备方法，所述方法包括：提供一衬底，所述衬底具有相背设置的第一面和第二面；在所述衬底的第一面上制备滤波谐振器；在所述衬底的第二面上构成功率放大器；通过在同一个衬底的两个表面上分别设置滤波谐振器和功率放大器，这样既能实现对射频信号的放大和滤波功能，又解决了相关技术中的功率功率放大器和滤波谐振器是两个独立结构的问题，减小了射频模块的面积，增大了应用范围，尤其适用于对集成度要求较高的通信领域。尤其适用于对集成度要求较高的通信领域。尤其适用于对集成度要求较高的通信领域。

【技术实现步骤摘要】
一种集成组件及制备方法


[0001]本申请涉及通信滤波
，尤其是一种谐振式滤波
，具体涉及集成组件及制备方法。

技术介绍

[0002]随着无线通讯应用的发展，人们对于数据传输速度的要求越来越高。在移动通信领域，第一代通信技术是模拟技术，第二代通信技术实现了数字化语音通信，第三代通信技术以多媒体通信为特征，第四代通信技术将通信速率提高到1Gbps、时延减小到10ms，第五代通信技术是第四代通信技术之后的新一代移动通信技术，第五代通信技术拟解决人与人之外的人与物、物与物之间的沟通，实现“万物互联”的愿景。
[0003]数据率上升相对应的是频谱资源的高利用率以及通讯协议的复杂化。由于频谱有限，为了满足数据率的需求，必须充分利用频谱；同时为了满足数据率的需求，从第四代通信技术开始还使用了载波聚合技术，使得一台设备可以同时利用不同的载波频谱传输数据。另一方面，为了在有限的带宽内支持足够的数据传输率，通信协议变得越来越复杂，因此对射频系统的各种性能也提出了严格的需求。射频滤波器最主流的实现方式是声表面波滤波器和基于集成组件技术的滤波器。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成组件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供一衬底，所述衬底具有相背设置的第一面和第二面；在所述衬底的第一面上制备滤波谐振器；在所述衬底的第二面上构成功率放大器。2.如权利要求1所述的集成组件的制备方法，其特征在于，当所述谐振器为声表面波谐振器时，在所述衬底的第一面上制备滤波谐振器，包括：提供第一剥离基板，在所述第一剥离基板上形成压电材料层，所述压电材料层具有相背设置的第一面和第二面，所述第一面为远离所述第一剥离基板的一面；在所述压电材料层的第一面上形成反射层；所述衬底的第一面上形成键合层；通过键合工艺，将所述衬底上的键合层与所述第一剥离基板上的反射层相互贴合；剥离所述第一剥离基板，在所述压电材料层的第二面上形成叉指电极，使在所述衬底的第一面上形成所述声表面波谐振器。3.如权利要求2所述的集成组件的制备方法，其特征在于，在所述压电材料层的第二面上形成叉指电极，包括：在所述压电材料层的第二面上形成图形化的光阻层；在所述压电材料层的第二面上沉积金属材料层，使所述金属材料层覆盖所述光阻层的顶表面和未被所述光阻层覆盖的压电材料层；剥离所述光阻层，使保留在所述压电材料层上的金属材料形成所述叉指电极。4.如权利要求2所述的集成组件的制备方法，其特征在于，提供所述衬底，在所述衬底的第一面上形成键合层，包括：提供所述衬底，在所述衬底的第一面上形成第一空腔；在所述衬底的第一面上形成键合层，使所述键合层围绕在所述第一空腔的顶部开口的外周围。5.如权利要求1所述的集成组件的制备方法，其特征在于，在所述衬底的第二面上构成功率放大器，包括：提供第二剥离基板，在所述第二剥离基板上形成隔离层；在所述隔离层远离所述第二剥离基板的一面上制备CMOS单元；在所述CMOS单元上制备金属导电层；剥离所述第二剥离基板，将所述隔离层与所述衬底的第二面进行贴合，使在所述衬底的第二面上形成所述功率放大器。6.如权利要求5所述的集成组件的制备方法，其特征在于，在所述隔离层远离所述第二剥离基板的一面上制备CMOS单元，包括：在所述隔离层远离所述第二剥离基板的一面上制备栅电极；在所述隔离层和所述栅电极上沉积绝缘层；在所述绝缘层上制备沟道半导体层、源电极和漏电极，并在所述源电极和所述漏电极上形成源电极隔离层和漏电极隔离层，形成所述CMOS单元。7.如权利要求6所述的集成组件的制备方法，其特征在于，在所述CMOS单元上制备金属导电层，形成所述功率放大器，包括：
在所述绝缘层、所述源电极隔离层和所述漏电极隔离层上形成光电层；在所述光电层上生长一层金属材料，形成所述金属导电层；在所述金属导电层上沉积形成电极保护层；对所述电极保护层进行图形化蚀刻，得到所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑根林，张树民，
申请(专利权)人：杭州左蓝微电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：