一种能够抑制横向模式的声表面波器件及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种能够抑制横向模式的声表面波器件，包括设置在压电基板上的叉指电极，所述叉指电极的边缘区域设有与所述叉指电极主体部分材料密度不同的替换部。还公开了一种能够抑制横向模式的声表面波器件制作方法。本发明专利技术通过采用密度不同的材料替换叉指电极特定区域(如边缘区域)的电极材料来实现降低该区域的声速，无需改变指条的形状，解决了现有技术中piston结构光刻难度较大、高频下难以应用的技术问题。应用的技术问题。应用的技术问题。

【技术实现步骤摘要】
一种能够抑制横向模式的声表面波器件及其制作方法


[0001]本专利技术属于声表面波
，具体涉及一种能够抑制横向模式的声表面波器件及其制作方法。

技术介绍

[0002]传统以LiTaO3为基片的SAWF具有较大的温漂系数(约35ppm)，导致在不同温度下使用时，SAWF性能差异较大。为了降低温漂系数，采用附加SiO2温补层的方法来减小器件温漂系数(可减小至0
‑
15ppm)，而SiO2温补层不可避免的引入了瑞利波，瑞利波与漏波的耦合会产生较强的横向谐振(有害杂波)。进而在谐振器谐振频率和反谐振频率之间产生寄生横向模，导致SAWF通带波动严重恶化。
[0003]为了抑制横向寄生的产生，通常采用谐振器加权破坏横向谐振条件或Piston波导模式产生低声速区来抑制横向模的传播。相关技术中有通过在指条边缘制备占空比更大的指条边缘修改区，以更高的金属化比来降低该区域声速，抑制横向模式；但这种方法在指条边缘形成的更小的间隙，增大光刻难度，高频下难以应用；此外还在该区域破坏了指条连续性，易于引入其他的寄生模式。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种能够抑制横向模式的声表面波器件，包括设置在压电基板上的叉指电极，其特征在于，所述叉指电极的边缘区域设有与所述叉指电极主体部分材料密度不同的替换部。2.如权利要求1所述的一种能够抑制横向模式的声表面波器件，其特征在于：所述替换部的长度为0.3～1个声表面波波长。3.如权利要求1或2所述的一种能够抑制横向模式的声表面波器件，其特征在于：所述替换部包括沿所述指条纵向分布的多个替换子部。4.如权利要求3所述的一种能够抑制横向模式的声表面波器件，其特征在于：相邻两个所述替换子部的密度不同。5.如权利要求3或4所述的一种能够抑制横向模式的声表面波器件，其特征在于：相邻两个所述替换子部，其中两者的密度均大于所述叉指电极主体部分；或其中两者的密度均小于所述叉指电极主体部分；或其中一者的密度大于所述叉指电极主体部分，另一者的密度小于所述叉指电极主体部分。6.如权利要求3或4所述的一种能够抑制横向模式的声表面波器件，其特征在于：所述相邻两个所述替换子部之间有间隔。7.一种能够抑制横向模式的声表面波器件，包括设置在压电基板上的叉指电极，其特征在于，所述叉指电极的中心区域设有比...

【专利技术属性】
技术研发人员：张树民，
申请(专利权)人：杭州左蓝微电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：