体声波谐振装置、滤波装置及射频前端装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供一种体声波谐振装置、一种滤波装置及一种射频前端装置，其中，体声波谐振装置包括：第一层，第一层包括空腔；第一电极层，第一电极层的至少一端位于空腔内；压电层，位于第一电极层上，覆盖空腔，压电层包括第一侧及与第一侧垂直方向上相对的第二侧，第一电极层位于第一侧；第二电极层，位于第二侧，位于压电层上；以及至少一个边缘结构，位于第一电极层和第二电极层的重合部水平方向上的边缘，至少一个边缘结构关于压电层在垂直方向上呈非对称结构。至少一个边缘结构所在的边缘部的声阻抗与至少一个边缘结构之间的中间部的声阻抗不匹配(即，声阻抗不同)，可以阻隔横向模态下的漏波，提高Q值。提高Q值。提高Q值。

【技术实现步骤摘要】
体声波谐振装置、滤波装置及射频前端装置


本专利技术涉及半导体
，具体而言，本专利技术涉及一种体声波谐振装置、滤 波装置及射频前端装置。

技术介绍

[0001]无线通信设备的射频(Radio Frequency，RF)前端芯片包括功率放大器、天线 开关、射频滤波器、多工器和低噪声放大器等。其中，射频滤波器包括压电声表面波 (Surface Acoustic Wave，SAW)滤波器、压电体声波(Bulk Acoustic Wave，BAW) 滤波器、微机电系统(Micro
‑
Electro
‑
Mechanical System，MEMS)滤波器、集成无源装 置(Integrated Passive Devices，IPD)滤波器等。
[0002]SAW谐振器和BAW谐振器的品质因数值(Q值)较高，由SAW谐振器和BAW 谐振器制作成低插入损耗、高带外抑制的射频滤波器，即SAW滤波器和BAW滤波 器，是目前手机、基站等无线通信设备使用的主流射频滤波器。其中，Q值是谐振器 的品质因数值，定义为中心频率本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种体声波谐振装置，其特征在于，包括：第一层，所述第一层包括空腔；第一电极层，所述第一电极层的至少一端位于所述空腔内；压电层，位于所述第一电极层上，覆盖所述空腔，所述压电层包括第一侧及与所述第一侧垂直方向上相对的第二侧，所述第一电极层位于所述第一侧；第二电极层，位于所述第二侧，位于所述压电层上；以及至少一个边缘结构，位于所述第一电极层和所述第二电极层的重合部水平方向上的边缘，所述至少一个边缘结构关于所述压电层在垂直方向上呈非对称结构。2.如权利要求1所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述至少一个边缘结构包括第一边缘结构，位于所述第二侧，位于所述第二电极层上，其中，所述第一边缘结构包括第一围边部及第一延伸部，所述第一围边部位于所述第二电极层上与所述第一电极层重合部水平方向上的边缘上，所述第一延伸部与所述第一围边部连接，位于所述第二电极层上与所述第一电极层重合部水平方向上外侧，所述第一延伸部与所述第一电极层无重合部，用于降低电传输中的电阻率。3.如权利要求2所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第一围边部呈环状。4.如权利要求2所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第一边缘结构的材料包括金属。5.如权利要求1所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述至少一个边缘结构包括第二边缘结构，所述第一电极层位于所述第二边缘结构上，其中，所述第二边缘结构包括第二围边部及第二延伸部，所述第二围边部位于所述空腔内，位于所述第一电极层上与所述第二电极层重合部水平方向上的边缘，所述第二延伸部与所述第二围边部连接，位于所述第一电极层上与所述第二电极层重合部水平方向上外侧，所述第二延伸部与所述第二电极层无重合部，用于降低电传输中的电阻率。6.如权利要求5所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第二围边部呈环状。7.如权利要求5所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第二边缘结构的材料包括金属。8.如权利要求1所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述至少一个边缘结构包括第三边缘结构，位于所述第二侧，位于所述第二电极层上，其中，所述第三边缘结构包括第三围边部，所述第三围边部位于所述第二电极层上与所述第一电极层重合部水平方向上的部分边缘上。9.如权利要求8所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述至少一个边缘结构还包括第四边缘结构，所述第一电极层位于所述第四边缘结构上，其中，所述第四边缘结构包括第四围边部，所述第四围边部位于所述空腔内，位于所述第一电极层上与所述第二电极层重合部水平方向上的部分边缘。10.如权利要求9所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第三围边部和所述第四围边部位于所述压电层两侧，在垂直方向上呈非对称结构，所述第三围边部和所述第四围边部部分重合，形成环状围边。11.如权利要求9所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第三边缘结构的材料包括金属，所述第四边缘结构的材料包括金属。
12.如权利要求1所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述至少一个边缘结构包括第五边缘结构，位于所述第二侧，位于所述压电层上，所述第五边缘结构包括第五围边部及第五延伸部，所述第五围边部垂直方向上与所述第一电极层具有重合部，所述第二电极层位于所述第五围边部与所述第一电极层的重合部水平方向上的内侧，所述第二电极层上与所述第一电极层的重合部即所述第二电极层，所述第五延伸部与所述第五围边部连接，位于所述第五围边部与所述第一电极层的重合部水平方向上的外侧，所述第五延伸部与所述第一电极层无重合部，用于降低电传输中的电阻率。13.如权利要求12所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第五围边部呈环状。14.如权利要求12所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第五边缘结构的材料包括金属。15...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩兴，周建，
申请(专利权)人：常州承芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：