声表面波谐振装置及其形成方法、滤波器制造方法及图纸

技术编号:45869894 阅读:11 留言:0更新日期:2025-07-19 11:26
一种声表面波谐振装置及其形成方法、滤波器,包括:位于压电层表面的第一叉指电极结构,第一叉指电极结构包括若干第一电极条和若干第二电极条,相邻的第一电极条和第二电极条之间在第一方向上的具有第一间隔;位于压电层表面的第一反射栅和第二反射栅,第一反射栅、第一叉指电极结构和第二反射栅沿第一方向排布,且第一反射栅和第二反射栅分别位于第一叉指电极结构的两侧;与第一叉指电极结构并联的第二叉指电极结构,第二叉指电极结构包括若干第三电极条和若干第四电极条,相邻的第三电极条和第四电极条之间在第一方向上具有第二间隔,第二间隔大于第一间隔,使机电耦合系数Kt<supgt;2</supgt;减小,进而达到提升滤波器通带外滚降的效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体,尤其涉及一种声表面波谐振装置及其形成方法、滤波器


技术介绍

1、无线通信设备的射频(radio frequency,简称rf)前端芯片包括功率放大器、天线开关、射频滤波器、多工器和低噪声放大器等。其中,射频滤波器包括压电声表面波(surface acoustic wave,简称saw)滤波器、压电体声波(bulk acoustic wave,简称baw)滤波器、微机电系统(micro-electro-mechanical system,简称mems)滤波器、集成无源装置(integrated passive devices,简称ipd)滤波器等。

2、声表面波谐振装置的品质因数值(q值)较高,由声表面波谐振装置制作成低插入损耗(insertion loss)、高带外抑制(out-of-band rejection)的射频滤波器,即声表面波滤波器,是目前手机、基站等无线通信设备使用的主流射频滤波器。

3、然而,现有的声表面波谐振装置性能还有待改善。


技术实现思路</b>

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种声表面波谐振装置,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的声表面波谐振装置,其特征在于,所述第一方向与所述第二方向相互垂直。

3.如权利要求1所述的声表面波谐振装置,其特征在于,还包括:与所述第二叉指电极结构相邻、且与所述第二叉指电极结构并联的第三叉指电极结构,所述第三叉指电极结构包括若干第五电极条和若干第六电极条,若干所述第五电极条和若干所述第六电极条均平行于第二方向且沿所述第一方向交错间隔排布,相邻的第五电极条和第六电极条之间在所述第一方向上具有第三间隔,所述第三间隔大于所述第一间隔,且所述第三间隔与所述第二间隔不相等。

<p>4.如权利要求1...

【技术特征摘要】

1.一种声表面波谐振装置,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的声表面波谐振装置,其特征在于,所述第一方向与所述第二方向相互垂直。

3.如权利要求1所述的声表面波谐振装置,其特征在于,还包括:与所述第二叉指电极结构相邻、且与所述第二叉指电极结构并联的第三叉指电极结构,所述第三叉指电极结构包括若干第五电极条和若干第六电极条,若干所述第五电极条和若干所述第六电极条均平行于第二方向且沿所述第一方向交错间隔排布,相邻的第五电极条和第六电极条之间在所述第一方向上具有第三间隔,所述第三间隔大于所述第一间隔,且所述第三间隔与所述第二间隔不相等。

4.如权利要求1所述的声表面波谐振装置,其特征在于,所述第二叉指电极结构位于所述压电层表面,且与所述第一叉指电极结构分别位于所述第一反射栅在所述第一方向上相对的两侧。

5.如权利要求4所述的声表面波谐振装置,其特征在于,所述第一叉指电极结构还包括沿所述第二方向平行排布的第一总线和第二总线,若干所述第一电极条与所述第一总线连接,若干所述第二电极条与所述第二总线连接,所述第二叉指电极结构还包括沿所述第二方向平行排布的第三总线和第四总线,若干所述第三电极条与所述第三总线连接,若干所述第四电极条与所述第四总线连接,所述第一总线与所述第三总线连接,所述第二总线与所述第四总线连接。

6.如权利要求5所述的声表面波谐振装置,其特征在于,还包括:位于所述第一反射栅在所述第二方向上两侧的第一连接线和第二连接线,所述第一总线与所述第三总线通过所述第一连接线电连接,所述第二总线与所述第四总线通过所述第二连接线电连接。

7.如权利要求1所述的声表面波谐振装置,其特征在于,还包括:与所述第一叉指电极结构并联的第四叉指电极结构,第四叉指电极结构包括若干第七电极条和若干第八电极条,若干所述第七电极条和若干所述第八电极条均平行于所述第二方向且沿所述第一方向交错间隔排布,相邻所述第七电极条和所述第八电极条之间在所述第一方向上具有第四间隔,所述第四间隔大于所述第一间隔。

8.如权利要求7所述的声表面波谐振装置,其特征在于,还包括:与所述第四叉指电极结构相邻、且与所述第四叉指电极结构并联的第五叉指电极结构,所述第五叉指电极结构包括若干第九电极条和若干第十电极条,若干所述第九电极条和若干所述第十电极条均平行于第二方向且沿所述第一方向交错间隔排布,相邻的第九电极条和第十电极条之间在所述第一方向上具有第五间隔,所述第五间隔大于所述第一间隔,且所述第五间隔与所述第四间隔不相等。

9.如权利要求7所述的声表面波谐振装置,其特征在于,所述第四叉指电极结构位于所述压电层表面,且与所述第一叉指电极结构分别位于所述第二反射栅在所述第一方向上相对的两侧。

10.如权利要求9所述的声表面波谐振装置,其特征在于,所述第一叉指电极结构还包括沿所述第二方向平行排布的第一总线和第二总线,若干所述第一电极条与所述第一总线连接,若干所述第二电极条与所述第二总线连接,所述第四叉指电极结构还包括沿所述第二方向平行排布的第五总线和第六总线,若干所述第七电极条与所述第五总线连接,若干所述第八电极条与所述第六总线连...

【专利技术属性】
技术研发人员:邹雅丽
申请(专利权)人:常州承芯半导体有限公司
类型:发明
国别省市:

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