一种封装结构及封装结构的形成方法，结构包括：第一基板，包括第一面和第二面；位于第一基板第一面的器件，器件包括第三面和第四面，第三面朝向第一基板第一面；位于第一基板第一面的第一连接部，所述器件第三面与第一基板第一面通过第一连接部电连接；位...

一种滤波装置，包括：衬底；位于衬底上的输入端、输出端和接地端，所述输入端、输出端和接地端呈三角形设置，所述输入端、输出端和接地端分别位于三角形的三个顶角处；位于输入端和输出端之间的若干串联谐振器，所述串联谐振器的两端分别与所述输入端和输...

一种异质结双极型晶体管的形成方法，包括：提供衬底；在衬底上形成集电层、基层材料层、基层保护材料层、发射材料层；在发射材料层上形成第一保护材料层；基于发射材料层和第一保护材料层，在第一区的基层保护材料层上形成发射层和第一保护层；在第二区和...

一种体声波滤波装置及其形成方法、体声波滤波装置，谐振装置包括：压电层，包括第一区和第二区；位于压电层第一侧的第一电极结构和第二电极结构，第二电极结构的厚度大于所述第一电极结构的厚度；位于压电层第二侧的第三电极结构和第四电极结构；第一电极...

一种半导体器件及其形成方法，结构包括：第一基底，所述第一基底具有相对的第一面与第二面；接合于所述第一面的晶体管，所述晶体管包括：阻挡层、集电层、基层以及发射层，所述集电层具有相对的第一侧与第二侧，所述基层与发射层位于所述第一侧，所述阻挡...

一种半导体器件及其形成方法，方法包括：提供第一基底，包括若干有源区；提供第二基底，具有相对的第一面与第二面；在第一面上形成晶体管，晶体管包括：位于第一面上的集电层、位于集电层上的基层以及位于基层上的发射层，集电层、基层以及发射层的材料与...

一种异质结双极晶体管结构，包括：基底；位于基底上的集电层、基层及发射层，集电层包括边缘部、侧壁部和主体部；位于发射层上的发射电极；位于边缘部和侧壁部内的隔离区；基电极，包括所述端部、若干指部和若干所述连接部，所述连接部位于侧壁部内的所述...

一种半导体器件及其形成方法，其中结构包括：第一衬底，所述第一衬底包括有源区；接合于所述有源区表面的晶体管器件，所述晶体管器件包括：发射层、基层和集电层，所述发射层包括相对的第一侧和第二侧，所述基层位于所述第一侧，所述集电层位于所述第一侧...

本发明提供一种半导体结构及其形成方法，其中半导体结构包括：压电层；位于所述压电层上的两个叉指换能器；位于两个所述叉指换能器之间的多个反射结构，其中，所述反射结构的形状、所述反射结构的尺寸及多个所述反射结构的排布三项中至少有两项是不规则的...

一种声表面波谐振装置及声表面波谐振装置的形成方法，声表面波谐振装置包括：压电层，所述压电层包括相对的第一侧和第二侧；位于压电层第一侧的叉指换能器；位于压电层第二侧的金属层。所述声表面波谐振装置的性能得到提升。

一种声表面波谐振装置及其形成方法、声表面波滤波装置，装置包括：衬底；位于所述衬底表面的若干分立的叉指电极结构，所述叉指电极结构包括：位于衬底表面的种子层，所述种子层的晶格常数大于所述衬底的晶格常数；位于所述种子层表面的电极层，所述电极层...

一种声表面波谐振装置及声表面波谐振装置的形成方法，声表面波谐振装置包括：压电层；位于压电层上的叉指换能器，所述叉指换能器包括沿平行于压电层表面方向交替放置的多个叉指电极，所述叉指电极包括多个叉指单元，多个叉指单元沿垂直于压电层表面的方向...

一种垂直腔面激光发射器的测试结构及其形成方法、工作方法，测试结构包括：外延层结构，所述外延层结构包括两层导电类型不同的反射镜结构以及位于两层反射镜结构之间的有源层；位于反射镜结构表面的若干个绝缘槽，若干所述绝缘槽的宽度呈梯度变化，所述绝...

一种赝配高电子迁移率晶体管及其形成方法，其中晶体管包括：外延结构，外延结构包括衬底、沟道层、势垒层和帽层，沟道层具有相对的第一侧和第二侧；位于帽层上的第一源漏金属层，第一源漏金属层位于第二侧；位于帽层内的栅极开口，栅极开口暴露出势垒层的...

一种衬底及其形成方法、弹性波滤波装置及其形成方法，衬底包括：包括第一部和位于第一部上的第二部，所述第二部内具有金属粒子，所述第二部的电阻率大于所述第一部的电阻率。所述衬底阻值高且阻值稳定，易于获得，能够适用于在弹性波滤波装置中不同阻值的...

一种异质结双极型晶体管及其形成方法，结构包括：衬底；位于衬底上的第一集电层；位于第一集电层上的第一基层；位于第一基层上的发射层；位于发射层上的第二基层；位于第二基层上的第二集电层。第一集电层、第一基层和发射层构成一个三极管，第二集电层、...

一种声表面波谐振装置及其形成方法、声表面波滤波装置，声表面波谐振装置包括：衬底；位于衬底上的反射结构，所述反射结构包括若干沿第一方向分立排列的反射部，所述第一方向平行于衬底表面，所述反射部的侧壁表面与衬底表面之间的夹角为锐角；位于衬底上...

一种体声波谐振装置及其形成方法、滤波装置及射频前端装置，其中体声波谐振装置包括：空腔；第一电极层，第一电极层的至少一端位于空腔上方或内部；压电层，空腔及第一电极层位于压电层的第一侧；第二电极层，位于第二侧；第一无源结构，位于第一侧，与第...

一种体声波谐振装置及其形成方法、滤波装置及射频前端装置，其中体声波谐振装置包括：空腔；第一电极层，第一电极层的至少一端位于空腔上方或内部；压电层，空腔及第一电极层位于压电层的第一侧；第二电极层，位于第二侧；第一无源结构，位于第一侧，与第...

一种赝配高电子迁移率晶体管及其形成方法，其中晶体管包括：外延结构，外延结构包括衬底、静电保护层和外延层；静电保护层内具有至少一组沿第一方向排布的掺杂区组，掺杂区组包括沿第一方向排布且连接的第一掺杂区和第二掺杂区，第一掺杂区内具有第一离子...