体声波谐振装置及其形成方法、滤波装置及射频前端装置制造方法及图纸

一种体声波谐振装置及其形成方法、滤波装置及射频前端装置，其中体声波谐振装置包括：空腔；第一电极层，第一电极层的至少一端位于空腔上方或内部；压电层，空腔及第一电极层位于压电层的第一侧；第二电极层，位于第二侧；第一无源结构，位于第一侧，与第一电极层的至少一个边缘具有第一重合部；第二无源结构，位于第二侧，与第二电极层的至少一个边缘具有第二重合部；第一无源结构包括：第一抬起部，位于谐振区内侧；第一延伸部，位于谐振区外侧；第一介质层；第二无源结构包括：第二抬起部，位于谐振区内侧；第二延伸部，位于谐振区外侧；第二介质层。本发明专利技术抑制寄生边缘模态，提升Z<subgt;p</subgt;及相应Q值，以及提升电极层与无源结构的的隔离性和可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，具体而言，本专利技术涉及一种体声波谐振装置及其形成方法、滤波装置及射频前端装置。

技术介绍

1、无线通信设备的射频(radio frequency，rf)前端芯片包括：功率放大器(poweramplifier，pa)、天线开关、rf滤波器、包括双工器(duplexer)的多工器(multiplexer)，和低噪声放大器(low noise amplifier，lna)等。其中，rf滤波器包括压电声表面波(surfaceacoustic wave，saw)滤波器、压电体声波(bulk acoustic wave，baw)滤波器、微机电系统(micro-electro-mechanical system，mems)滤波器、集成无源装置(integrated passivedevices，ipd)滤波器等。

2、saw谐振器和baw谐振器的品质因数值(q值)较高，由saw谐振器和baw谐振器制作成低插入损耗(insertionloss)、高带外抑制(out-bandrejection)的rf滤波器，即saw滤波器和baw滤波器，本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种体声波谐振装置，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第一无源结构和所述第二无源结构包围所述谐振区。

3.如权利要求1所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第一无源结构的厚度等于或小于所述第一电极层的厚度，所述第二无源结构的厚度等于或小于所述第二电极层的厚度。

4.如权利要求1所述的体声波谐振装置，其特征在于，至少一个所述衰减区包括第一衰减区，所述第一衰减区的第一截止频率等于或小于所述谐振区的截止频率，所述第一衰减区对应所述第一延伸部、所述压电层与所述第二延伸部的重合区域。

5.如权利要求1所述的...

【技术特征摘要】

1.一种体声波谐振装置，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第一无源结构和所述第二无源结构包围所述谐振区。

3.如权利要求1所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第一无源结构的厚度等于或小于所述第一电极层的厚度，所述第二无源结构的厚度等于或小于所述第二电极层的厚度。

4.如权利要求1所述的体声波谐振装置，其特征在于，至少一个所述衰减区包括第一衰减区，所述第一衰减区的第一截止频率等于或小于所述谐振区的截止频率，所述第一衰减区对应所述第一延伸部、所述压电层与所述第二延伸部的重合区域。

5.如权利要求1所述的体声波谐振装置，其特征在于，还包括：第一电极延伸层，位于所述第一侧，与所述第一电极层连接；第二电极延伸层，位于所述第二侧，与所述第二电极层连接。

6.如权利要求5所述的体声波谐振装置，其特征在于，至少一个所述衰减区包括第二衰减区，所述第二衰减区的第二截止频率等于或小于所述谐振区的截止频率，所述第二衰减区对应所述第二电极延伸层、所述压电层与所述第一延伸部的重合区域。

7.如权利要求5所述的体声波谐振装置，其特征在于，至少一个所述衰减区包括第三衰减区，所述第三衰减区的第三截止频率等于或小于所述谐振区的截止频率，所述第三衰减区对应所述第二延伸部、所述压电层与所述第一电极延伸层的重合区域。

8.如权利要求1所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第一电极层的至少一个边缘呈下坡形，对应所述第一无源结构，所述第二电极层的至少一个边缘呈下坡形，对应所述第二无源结构。

9.如权利要求1所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第一抬起部的宽度为所述谐振区内产生的声波的二分之一波长的整数倍，所述第二抬起部的宽度为所述谐振区内产生的声波的二分之一波长的整数倍。

10.如权利要求1所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第一延伸部的厚度小于所述第一电极层的厚度，所述第二延伸部的厚度小于所述第二电极层的厚度。

11.如权利要求1所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第一延伸部包括第一子部及第二子部，所述第二子部与所述压电层位于所述第一子部的两侧，所述第一子部的材料与所述第二子部的材料不同。

12.如权利要求1所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第二延伸部包括第三子部及第四子部，所述压电层与所述第四子部位于所述第三子部的两侧，所述第三子部的材料与所述第四子部的材料不同。

13.如权利要求1所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第一延伸部接触所述压电层，所述第二延伸部接触所述压电层。

14.如权利要求1所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第一电介质部还位于所述压电层与所述第一延伸部之间，所述第二电介质部还位于所述压电层与所述第二延伸部之间。

15.如权利要求1所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第一延伸部与所述压电层之间包括第一空槽，所述压电层与所述第二延伸部之间包括第二空槽。

16.如权利要求1所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第一介质层还位于所述第一电介质部和所述第一延伸部之间，且所述第一介质层与所述第一延伸部接触。

17.如权利要求1所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第二介质层还位于所述第二电介质部和所述第二延伸部之间，且所述第二介质层与所述第二延伸部接触。

18.如权利要求1所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述第一介质层的材料与所述第一电介质部的材料不同；所述第一介质层的材料包括以下之一：二氧化硅、氮氧化硅、碳氧化硅、氮化硅、氧化钛、氧化铝、硅酸铪、硅酸锆、二氧化铪、二氧化锆；所述第二介质层的材料与所述第二电介质部的材料不同；所述第二介质层的材料包括以下之一：二氧化硅、氮氧化硅、碳氧化硅、氮化硅、氧化钛、氧化铝、硅酸铪、硅酸锆、二氧化铪、二氧化锆。

19.如权利要求1所述的体声波谐振装置，其特征在于，还包括：第三电介质部，位于所述第二侧，且与所述第二电极层接触；环绕型凹槽，位于所述第三电介质部内，位于所述谐振区内侧，位于所述第二抬起部内侧，且与所述第二抬起部邻接。

20.如权利要求19所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述环绕型凹槽的形状包括：圆形、椭圆形或多边形。

21.如权利要求1所述的体声波谐振装置，其特征在于，还包括：第三电介质部，位于所述第一侧，且与所述第一电极层接触；环绕型凹槽，位于所述第三电介质部内，位于所述谐振区内侧，位于所述第一抬起部内侧，且与所述第一抬起部邻接。

22.如权利要求21所述的体声波谐振装置，其特征在于，所述环绕型凹槽的形状包括：圆形、椭圆形或多边形。

23.一种滤波装置，其特征在于，包括：至少一个如权利要求1至22其中之一所述的体声波谐振装置。

24.一种射频前端装置，其特征在于，包括：功率放大装置与至少一个如权利要求23所述的滤波装置；所述功率放大装置与所述滤波装置连接。

25.一种射频前端装置，其特征在于，包括：低噪声放大装置与至少一个如权利要求23所述的滤波装置；所述低噪声放大装置与所述滤波装置连接。

26.一种射频前端装置，其特征在于，包括：多工装置，所述多工装置包括至少一个如权利要求23所述的滤波装置。

27.一种体声波谐振装置的形成方法，其特征在于，包括：

28.如权利要求27所述的体声波谐振装置的形成方法，其特征在于，所述第一无源结构和所述第二无源结构包围所述谐振区。

29.如权利要求27所述的体声波谐振装置的形...

【专利技术属性】
技术研发人员：邹雅丽，杨新宇，汤正杰，韩兴，
申请(专利权)人：常州承芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：