一种高工作频率的多模分频器制造技术

技术编号:40182890 阅读:18 留言:0更新日期:2024-01-26 23:48
本发明专利技术属于无线通信领域,涉及锁相环设计,进一步涉及小数锁相环中的多模分频器设计,具体提供一种高工作频率的多模分频器,用以提高多模分频器的工作频率、同时改善输出毛刺问题。本发明专利技术由多级2/3分频器级联构成,第一级2/3分频器采用C<supgt;2</supgt;MOS‑2/3分频器;首先基于C<supgt;2</supgt;MOS构成的D锁存器设计得到高工作频率的C<supgt;2</supgt;MOS‑2/3分频器,然后将其应用于多模分频器中作为第一级2/3分频器,从而提高了多模分频器的工作频率;同时,相对于TSPC逻辑,C<supgt;2</supgt;MOS构成的D锁存器中C<supgt;2</supgt;MOS逻辑的时钟馈通引起的毛刺问题相对较小,即能够改善多模分频器的输出毛刺问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于无线通信领域,涉及锁相环设计,进一步涉及小数锁相环中的多模分频器设计,具体提供一种高工作频率的多模分频器


技术介绍

1、锁相环是通信和雷达系统的重要组成部分之一,其相位噪声会影响通信和雷达系统的信噪比,引起“虚警”或交互混频问题。量化噪声作为锁相环的重要噪声来源之一,限制了锁相环的相位噪声性能;减小量化噪声的简单方法是提高参考频率,但随着参考频率的提高,锁相环的分频链路的工作频率也需相应地提高,多模分频器作为小数锁相环分频链路的重要组成部分,随着工作频率的提高可能无法正常工作。

2、传统的多模分频器如图1所示,由多个2/3分频器组成,而2/3分频器由d锁存器和与门构成,通过改变各2/3分频器的控制位可以改变分频器的分频比;由于后级2/3分频器的输入为前级2/3分频器输出,第一级工作频率最高,而随后的分频器工作频率则会因为前级的分频降低;针对多种工作频率,2/3分频器可以有不同的实现方式,较低工作频率的2/3分频器通常由图2所示的静态锁存器实现,而对于更高工作频率的2/3分频器通常由图3所示的tspc逻辑实现。使用静态锁存器的2/本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高工作频率的多模分频器,由多级2/3分频器级联构成,其特征在于,第一级2/3分频器采用C2MOS-2/3分频器;C2MOS-2/3分频器包括:与门A1、A2、A3与C2MOS-D锁存器D1、D2、D3、D4;其中:

2.按权利要求1所述高工作频率的多模分频器,其特征在于,C2MOS-D锁存器包括:PMOS管P1、P2、P3、P4与NMOS管N1、N2、N3、N4,其中,PMOS管P1、P2与NMOS管N1、N2组成C2MOS-D锁存器的第一级,PMOS管P3与NMOS管N3组成C2MOS-D锁存器的第二级,PMOS管P4与NMOS管N4组成C2MOS-D锁存器的第三级...

【技术特征摘要】

1.一种高工作频率的多模分频器,由多级2/3分频器级联构成,其特征在于,第一级2/3分频器采用c2mos-2/3分频器;c2mos-2/3分频器包括:与门a1、a2、a3与c2mos-d锁存器d1、d2、d3、d4;其中:

2.按权利要求1所述高工作频率的多模分频器,其特征在于,c2mos-d锁存器包括:pmos管p1、p2、p3、p4与nmos管n1、n2、n3、n4,其中,pmos管p1、p2与nmos管n1、n2组成c2m...

【专利技术属性】
技术研发人员:康凯习峻峰刘辉华赵晨曦吴韵秋余益明
申请(专利权)人:电子科技大学
类型:发明
国别省市:

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