【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种射频器件、通信设备及其制造方法，更具体而言，涉及一种包括不同压电材料的射频器件、通信设备及其制造方法。
技术介绍
1、压电材料可以应用于多种场景中。示例性的，压电材料可以应用于带阻滤波器、带阻滤波器、双工器、多工器、提取器、复用器、换能器等传感器器件。当同一器件中包括多个压电材料组成的元件时，通常其压电材料的种类和压电材料的厚度都保持一致。将压电材料的种类和厚度都保持一致的好处一方面在于器件的制备工艺相对简单且容易实现，另一方面在于可以确保压电材料晶体学质量。虽然在现有工艺中可以通过剥离工艺或刻蚀的方式来增加或减小压电材料的膜层厚度，但一般需要通过光刻胶来形成特定的图形，会造成一些界面的污染和缺陷，进而影响器件的良率。此外将压电材料的种类和厚度都保持一致也是基于现有工艺流程中在同一晶圆衬底上制备不同种类或不同厚度的压电材料而不破坏压电材料晶体学质量的情况相对比较困难，从而被迫作出的无奈之举。
2、随着无线通信系统的不断发展，通信设备需要集成的通信标准日趋增多，相应的频带数目增加，频带间隔变短，为满足多频率、多模式的应用需求，需要在通信设备中集成大量窄通带、小体积的高性能滤波器组合。压电材料可以在滤波器中形成压电谐振器。压电谐振器可分为声表面波谐振器、体声波谐振器、兰姆波谐振器、等多种类型。为了优化滤波器的滤波效果，通常会采用优化谐振器包括压电响应、机电耦合系数、品质因数、寄生参数等参数的方式来实现对谐振器的性能调控。也可以采用不同框架结构以形成各谐振器相应的边界结构的方式来实现对谐振器的性能调控。然而通
技术实现思路
1、本公开针对上述技术问题，提供了一种包括多种压电材料或多种压电材料厚度构成的射频器件及其制备工艺，以及包括该射频器件的通信设备。
2、在下文中将给出关于本公开内容的简要概述，以便提供关于本公开内容某些方面的基本理解。应当理解，此概述并不是关于本公开内容的穷举性概述。它并不是意图确定本公开内容的关键或重要部分，也不是意图限定本公开内容的范围。其目的仅仅是以简化的形式给出某些概念，以此作为稍后论述的更详细描述的前序。
3、本公开内容的一方面提供一种滤波器的制造方法，包括：提供第一衬底，在第一衬底的第二区域上形成第一键合层；在第一衬底的第一区域上形成第一类型谐振器的第一下电极层和第一压电层；提供第二衬底，在第二衬底上与第一衬底的第二区域相对应的区域形成第二类型谐振器的第二压电层、第二下电极层和第二键合层；其中第一压电层的材料不同于第二压电层的材料；将第一键合层和第二键合层进行键合，并去除第二衬底；在第一区域形成第一类型谐振器的第一上电极层，在第二区域形成第二类型谐振器的第二上电极层；在第一衬底的第一区域处形成第一类型谐振器的第一声波反射区域，在第一衬底的第二区域处形成第二类型谐振器的第二声波反射区域，第二声波反射区域的高度大于第一声波反射区域的高度。
4、进一步的，形成第一上电极层和第二上电极层之前，在第一衬底上沉积绝缘层以覆盖第一衬底，平坦化所述绝缘层，然后图案化所述绝缘层以暴露出第一压电层、第二压电层和部分的第一下电极层。
5、进一步的，所述第一声波反射区域通过在第一衬底的第一区域处蚀刻第一衬底形成。
6、进一步的，所述第二声波反射区域通过在第一衬底的第二区域处通过蚀刻第一衬底和部分的第一键合层和第二键合层形成。
7、进一步的，第二键合层在第二衬底的上表面与第一衬底的上表面相对时，至少部分与第一键合层接触。
8、进一步的，第一下电极层延伸或不延伸至第一键合层上。
9、进一步的，第二上电极层连接第一下电极层和/或第二上电极层连接第一上电极层。
10、本公开内容的另一方面提供一种射频器件，包括：第一衬底，所述第一衬底中包括第一区域和第二区域；第一区域中形成有第一类型谐振器，第二区域中形成有第二类型谐振器；第一类型谐振器包括第一声波反射区域、第一下电极层、第一压电层和第一上电极层；第二类型谐振器包括第二声波反射区域、第二下电极层、第二压电层和第二上电极层，以及对第二下电极层进行电性连接的第一键合层和第二键合层；其中第一压电层和第二压电层的材料不同，第二声波反射区域的高度大于第一声波反射区域的高度。
11、进一步的，所述第一声波反射区域贯穿第一衬底的上下表面。
12、进一步的，所述第二声波反射区域贯穿第一衬底的上下表面，第一键合层的上下表面和第二键合层的上下表面。
13、进一步的，第二键合层至少部分与第一键合层接触。
14、进一步的，第一下电极层延伸或不延伸至第一键合层上。
15、进一步的，第二上电极层连接第一下电极层和/或第二上电极层连接第一上电极层。
16、进一步的，第二类型谐振器具有比第一类型谐振器更高的品质因数和更高的功率承受能力。
17、本公开内容的另一方面提供一种通信设备，其包括前述的射频器件。
18、本公开内容的方案至少能有助于实现如下效果之一：具有灵活的工艺自由度、能有效提高产品良率、匹配多频率、多模式的应用需求以及适应器件小型化的发展。
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1.一种滤波器的制造方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于：形成第一上电极层和第二上电极层之前，在第一衬底上沉积绝缘层以覆盖第一衬底，平坦化所述绝缘层，然后图案化所述绝缘层以暴露出第一压电层、第二压电层和部分的第一下电极层。
3.如权利要求1或2所述的制造方法，其特征在于：所述第一声波反射区域通过在第一衬底的第一区域处蚀刻第一衬底形成。
4.如权利要求3所述的制造方法，其特征在于：所述第二声波反射区域通过在第一衬底的第二区域处通过蚀刻第一衬底和部分的第一键合层和第二键合层形成。
5.如权利要求4所述的制造方法，其特征在于：第二键合层在第二衬底的上表面与第一衬底的上表面相对时，至少部分与第一键合层接触。
6.如权利要求4所述的制造方法，其特征在于：第一下电极层延伸或不延伸至第一键合层上。
7.如权利要求6所述的制造方法，其特征在于：第二上电极层连接第一下电极层和/或第二上电极层连接第一上电极层。
8.一种射频器件，其特征在于，包括：
9.如权利要求8所述的射
10.如权利要求8或9所述的射频器件，其特征在于：所述第二声波反射区域贯穿第一衬底的上下表面，第一键合层的上下表面和第二键合层的上下表面。
11.如权利要求10所述的射频器件，其特征在于：第二键合层至少部分与第一键合层接触。
12.如权利要求11所述的射频器件，其特征在于：第一下电极层延伸或不延伸至第一键合层上。
13.如权利要求11所述的射频器件，其特征在于：第二上电极层连接第一下电极层和/或第二上电极层连接第一上电极层。
14.如权利要求11-13中任一项所述的射频器件，其特征在于：第二类型谐振器具有比第一类型谐振器更高的品质因数和更高的功率承受能力。
15.一种通信设备，其包括权利要求1-14中任一项所述的射频器件。
...【技术特征摘要】
1.一种滤波器的制造方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于：形成第一上电极层和第二上电极层之前，在第一衬底上沉积绝缘层以覆盖第一衬底，平坦化所述绝缘层，然后图案化所述绝缘层以暴露出第一压电层、第二压电层和部分的第一下电极层。
3.如权利要求1或2所述的制造方法，其特征在于：所述第一声波反射区域通过在第一衬底的第一区域处蚀刻第一衬底形成。
4.如权利要求3所述的制造方法，其特征在于：所述第二声波反射区域通过在第一衬底的第二区域处通过蚀刻第一衬底和部分的第一键合层和第二键合层形成。
5.如权利要求4所述的制造方法，其特征在于：第二键合层在第二衬底的上表面与第一衬底的上表面相对时，至少部分与第一键合层接触。
6.如权利要求4所述的制造方法，其特征在于：第一下电极层延伸或不延伸至第一键合层上。
7.如权利要求6所述的制造方法，其特征在于：第二上电极层连接第一下电极层和/或第二上...
【专利技术属性】
技术研发人员：唐滨，赖志国，杨清华，
申请(专利权)人：苏州汉天下电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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