【技术实现步骤摘要】
本技术涉及跨阻放大器，具体涉及一种高共模抑制跨阻放大器和光耦芯片。
技术介绍
1、跨阻放大器（transimpedance amplifier, tia）是光耦芯片中极其重要的组成部分，通常作为前置放大器来将微弱电流放大并转化为电压信号以方便后级电路进行处理。
2、现有光耦芯片中使用的跨阻放大器为共源极（common source, cs）跨阻放大器，其电路如图1所示。在图1中，mos（metal-oxide-semiconductor field-effecttransistor, mosfet）管m1作为输入级，mos管m2作为初级源极跟随器，用来驱动mos管m3，mos管m3用作第二级源极跟随器；另外mos管 m1、mos管m2和电阻rf构成输入端并联负反馈环路，等效输入阻抗ri≈rf/(1+gm1*r1)，其中gm1为mos管 m1的跨导。在实际使用时，当电流信号输入到输入级后，经过反馈电阻rf流入恒流源，并在反馈电阻rf上形成输入压降；输入电压经过mos管m1放大，通过mos管m2的跨导作用对自身漏源电流大小进行调...
【技术保护点】
1.一种高共模抑制跨阻放大器，其特征在于，包括第一共射极放大单元、反馈单元和第二共射极放大单元；所述第一共射极放大单元对称设置，包括两个第一差分输入端，被配置于对输入的电流信号进行放大，并输出两路第一电压信号；所述反馈单元包括两路对称设置的反馈支路，两路反馈支路与所述第一共射极放大单元电连接，用于将两路第一电压信号反馈至两个第一差分输入端；所述第二共射极放大单元对称设置，包括两个第二差分输入端，两个第二差分输入端输入两路第一电压信号，所述第二共射极放大单元用于对两路第一电压信号进行放大，并输出两路第二电压信号；
2.根据权利要求1所述的一种高共模抑制跨阻放...
【技术特征摘要】
1.一种高共模抑制跨阻放大器，其特征在于，包括第一共射极放大单元、反馈单元和第二共射极放大单元；所述第一共射极放大单元对称设置，包括两个第一差分输入端，被配置于对输入的电流信号进行放大，并输出两路第一电压信号；所述反馈单元包括两路对称设置的反馈支路，两路反馈支路与所述第一共射极放大单元电连接，用于将两路第一电压信号反馈至两个第一差分输入端；所述第二共射极放大单元对称设置，包括两个第二差分输入端，两个第二差分输入端输入两路第一电压信号，所述第二共射极放大单元用于对两路第一电压信号进行放大，并输出两路第二电压信号；
2.根据权利要求1所述的一种高共模抑制跨阻放大器，其特征在于，所述第一共射极放大单元包括第一电阻r1、第二电阻r2、第一三极管q1、第二三极管q2、第三三极管q3、第四三极管q4、第一电流源i1、第二电流源i2和第三电流源i3；
3.根据权利要求2所述的一种高共模抑制跨阻放大器，其特征在于，还包括第一光敏二极管d1和第二光敏二极管d2；所述第一三极管q1的基极与第一光敏二极管d1的正极电连接，所述第二三极管q2的基极与第二光敏二极管d2的正极电连接；所述第一光敏二极管d1的负极和第二光敏二极管d2的负极被配置于输入工作电源。
4.根据权利要求2所述的一种高共模抑制跨阻放大器...
【专利技术属性】
技术研发人员：谭在超，罗寅，丁国华，
申请(专利权)人：苏州锴威特半导体股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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