【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种体声波滤波装置及其形成方法。
技术介绍
1、无线通信设备的射频(radio frequency，简称rf)前端芯片包括功率放大器、天线开关、射频滤波器、多工器和低噪声放大器等。其中，射频滤波器包括压电声表面波(surface acoustic wave，简称saw)滤波器、压电体声波(bulk acoustic wave，简称baw)滤波器、微机电系统(micro-electro-mechanical system，简称mems)滤波器、集成无源装置(integrated passive devices，简称ipd)滤波器等。
2、baw滤波器由baw谐振器组成。薄膜体声波谐振器(film bulk acoustic waveresonator，简称fbar)是一种可以把声波能量局限在器件内的baw谐振器，该谐振器的谐振区上方为真空或空气，下方存在一个空腔，因为真空或空气的声阻抗与金属电极声阻抗差别较大，声波可以在上金属电极的上表面和下金属电极的下表面反射，形成驻波。
3、baw...
【技术保护点】
1.一种体声波滤波装置，包括至少一个第一谐振装置与至少一个第二谐振装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的体声波滤波装置，其特征在于，所述第一间距的范围为大于4微米；所述第二间距的范围为大于4微米。
3.如权利要求1所述的体声波滤波装置，其特征在于，所述阻挡层在压电层上的投影位于所述第二电极层在压电层上的投影内；所述负载层在压电层上的投影位于所述阻挡层在压电层上的投影内。
4.如权利要求1所述的体声波滤波装置，其特征在于，所述负载层的厚度小于第二电极层的厚度。
5.如权利要求1所述的体声波滤波装置，其特征在于，所...
【技术特征摘要】
1.一种体声波滤波装置，包括至少一个第一谐振装置与至少一个第二谐振装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的体声波滤波装置，其特征在于，所述第一间距的范围为大于4微米；所述第二间距的范围为大于4微米。
3.如权利要求1所述的体声波滤波装置，其特征在于，所述阻挡层在压电层上的投影位于所述第二电极层在压电层上的投影内；所述负载层在压电层上的投影位于所述阻挡层在压电层上的投影内。
4.如权利要求1所述的体声波滤波装置，其特征在于，所述负载层的厚度小于第二电极层的厚度。
5.如权利要求1所述的体声波滤波装置，其特征在于，所述阻挡层的厚度小于100埃。
6.如权利要求1所述的体声波滤波装置，其特征在于，所述第二电极层和第一电极层的材料和结构相同。
7.如权利要求6所述的体声波滤波装置，其特征在于，所述第二电极层的侧壁表面与第二电极层的底部表面的夹角为锐角；所述夹角范围为30度至70度。
8.如权利要求1所述的体声波滤波装置，其特征在于，所述负载层的材料与所述第二电极层的材料相同。
9.如权利要求1所述的体声波滤波装置，其特征在于，所述负载层的材料与所述第二电极层的材料不相同。
10.如权利要求1所述的体声波滤波装置，其特征在于，所述阻挡层的材料与所述压电层的材料相同。
11.如权利要求1所述的体声波滤波装置，其特征在于，所述阻挡层的材料与所述第二电极层的材料不同，所述阻挡层的材料与所述负载层的材料不同。
12.如权利要求1所述的体声波滤波装置，其特征在于，所述阻挡层的材料包括：氧化锌、氮化镓、钽酸锂、铌酸锂、锆钛酸铅、氮化铝或氮化铝合金。
13.如权利要求1所述的体声波滤波装置，其特征在于，所述压电层的材料包括：氧化锌、氮化镓、钽酸锂、铌酸锂、锆钛酸铅、氮化铝或氮化铝合金。
14.如权利要求1所述的体声波滤波装置，其特征在于，还包括：位于压电层第一侧上的中间结构以及嵌入所述中间结构内的第一空腔和第二空腔，至少部分所述第一电极结构位于第一空腔内，至少部分所述第二电极结构位于第二空腔内；承载基底，所述中间结构位于所述承载基底与所述压电层之间，所述中间结构与所述承载基底接触。
1...
【专利技术属性】
技术研发人员：金建，黄烜，刘广纯，周琦，
申请(专利权)人：常州承芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。