【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及声学器件领域，具体涉及一种弹性波谐振器和滤波器装置。
技术介绍
1、目前，在声表面波器件上，电信号施加在换能器电极上激发主声波模式，激励的声波信号向换能器电极两侧传播，在换能器电极两侧设置的反射器能够抑制声波泄露，进而可以防止我们所需的声波模式被衰减；其次，除了激发主声波模式外，在主声波模式谐振频率更高的频域内，还存在一些高次声波模式的谐振寄生，这些高阶寄生模式主要存在于层状结构的压电性衬底中，如tfsaw、tcsaw等。
2、然而高阶模态的寄生导致滤波器的通带外高频频带外衰减特性恶化及谐波失真变得更加严重，使得滤波器器件在对这些性能指标有要求的射频系统中无法正常使用。
3、基于上述问题，jp特开2020-161899a公开了一种声波器件，在孔径区域的支撑基板上表面布置有规则的凸部和/或凹部，或者在直接或间接地接合在压电基板与支撑基板之间的绝缘层上布置凸部和/或所述凹部，可以实现高阶寄生模式抑制，但制造工艺复杂，凸部和凹部结构不易控制。
4、又如wo2018164211a1和de102019119097a1分别公开了在saw谐振器或滤波器、双工器装置中，通过改变层状结构中支撑基板材料单晶硅的晶体取向，来实现高阶杂散模式抑制。
5、但是利用此种抑制高阶模态的方式，不能够很好地将高频处的杂散波抑制掉，进而导致滤波器的使用性能显著恶化。
技术实现思路
1、鉴于现有技术中存在的问题，本专利技术的目的在于提供一种弹性波谐振器和滤波
2、为达此目的，本专利技术采用以下技术方案：
3、第一方面，本专利技术提供了一种弹性波谐振器，所述弹性波谐振器包括依次设置于支撑基材上的调制膜层、压电层和电极层；
4、所述调制膜层包括非晶态材料和/或高缺陷密度材料；
5、所述调制膜层的厚度≤0.5λ。
6、本专利技术提供的弹性波谐振器由于在器件中引入调制膜层，可实现高阶杂散模态的抑制，减弱滤波器的谐波特性影响和增加滤波器通带外高频域的衰减度，进而提供具有优异特性的滤波器装置。
7、作为本专利技术优选的技术方案，所述支撑基材包括硅、金刚石、蓝宝石、石英、碳化硅、钽酸锂或铌酸锂中的任意1种或至少2种的组合。
8、作为本专利技术优选的技术方案，所述压电层包括钽酸锂层或铌酸锂层；
9、优选地，所述钽酸锂层的欧拉角为：φ为-15°～15°，θ，ψ为-15°～15°。
10、优选地，所述铌酸锂层的欧拉角为：φ为-15°～15°，θ，ψ为-15°～15°。
11、作为本专利技术优选的技术方案，所述压电层的厚度为≤10λ。
12、作为本专利技术优选的技术方案，所述电极层包括al、ti、cu、pt、ag、cr或au中的任意1种或至少2种的组合。
13、优选地，所述电极层的厚度为0.05λ-0.13λ。
14、作为本专利技术优选的技术方案，所述压电层和支撑基材之间还设置有低声速膜层和高声速膜层的组合或低声速膜层。
15、作为本专利技术优选的技术方案，所述高声速膜层包括多晶硅、氮化硅、氧化铝或氮化铝中的任意1种。
16、优选地，所述高声速膜层的厚度为0.05λ-5λ。
17、作为本专利技术优选的技术方案，所述低声速膜层包括氧化硅或掺杂氧化硅。
18、优选地，所述低声速膜层的厚度为0.1λ～1λ。
19、第二方面，本专利技术提供了一种滤波器装置，所述滤波器装置包括如第一方面所述弹性波谐振器。
20、与现有技术方案相比，本专利技术具有以下有益效果：
21、根据本专利技术，在弹性波谐振器及滤波器装置中引入调制膜层，使得所述器件的高频处的高阶杂散模态的抑制，从而实现减弱滤波器的谐波特性影响和增加滤波器通带外高频域的衰减度。
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1.一种弹性波谐振器，其特征在于，所述弹性波谐振器包括依次设置于支撑基材上的调制膜层、压电层和电极层；
2.如权利要求1所述弹性波谐振器，其特征在于，所述支撑基材包括硅、金刚石、蓝宝石、石英、碳化硅、钽酸锂或铌酸锂中的任意1种或至少2种的组合。
3.如权利要求1或2所述弹性波谐振器，其特征在于，所述压电层包括钽酸锂层或铌酸锂层；
4.如权利要求1-3任一项所述弹性波谐振器，其特征在于，所述压电层的厚度为≤10λ。
5.如权利要求1-4任一项所述弹性波谐振器，其特征在于，所述电极层包括Al、Ti、Cu、Pt、Ag、Cr或Au中的任意1种或至少2种的组合。
6.如权利要求1-5任一项所述弹性波谐振器，其特征在于，所述电极层的厚度为0.05λ-0.13λ。
7.如权利要求1-6任一项所述弹性波谐振器，其特征在于，所述压电层和支撑基材之间还设置有低声速膜层和高声速膜层的组合或低声速膜层。
8.如权利要求7所述弹性波谐振器，其特征在于，所述高声速膜层包括多晶硅、氮化硅、氧化铝或氮化铝中的任意1种；
<...【技术特征摘要】
1.一种弹性波谐振器，其特征在于，所述弹性波谐振器包括依次设置于支撑基材上的调制膜层、压电层和电极层；
2.如权利要求1所述弹性波谐振器，其特征在于，所述支撑基材包括硅、金刚石、蓝宝石、石英、碳化硅、钽酸锂或铌酸锂中的任意1种或至少2种的组合。
3.如权利要求1或2所述弹性波谐振器，其特征在于，所述压电层包括钽酸锂层或铌酸锂层；
4.如权利要求1-3任一项所述弹性波谐振器，其特征在于，所述压电层的厚度为≤10λ。
5.如权利要求1-4任一项所述弹性波谐振器，其特征在于，所述电极层包括al、ti、cu、pt、ag、cr或au中的任意1种或至少2...
【专利技术属性】
技术研发人员：姜建利，马阳阳，梁丹，廖庆嵩，
申请(专利权)人：天通瑞宏科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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