一种声表面波谐振器及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种声表面波谐振器及其制备方法。该声表面波谐振器包括压电基板和位于压电基板一侧的换能器；压电基板包括依次叠层设置的压电层和基底；换能器位于压电层远离基底的一侧；换能器包括第一汇流条、第二汇流条、第一电极指和第二电极指；换能器包括有源区域和间隙区域，有源区域包括第一电极指和第二电极指沿第二方向交叠的区域，间隙区域包括沿第一方向位于有源区域与汇流条之间的区域；声表面波谐振器还包括凹槽，凹槽贯穿至少部分间隙区域的压电层，且凹槽中填充介质的介电常数小于压电层的介电常数。本发明专利技术通过设置凹槽，以及设置凹槽中填充介质的介电常数小于压电层的介电常数，可实现对声表面波谐振器横向模态波的有效抑制。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及谐振器，尤其涉及一种声表面波谐振器及其制备方法。

技术介绍

1、薄膜声表面波谐振器是声表面波谐振器的一种，其压电基板是由压电层、低声阻抗层、高声阻抗层和衬底组成，低声阻抗层和高声阻抗层形成的反射栅，可以减少能量向下泄露，将能量锁定在压电薄膜层，因此薄膜声表面波谐振器相较于常规的由压电单晶材料组成的声表面波谐振器具有更高的q值。

2、尽管薄膜声表面波谐振器已经对厚度方向上的能量泄露进行了很好的抑制，但在沿叉指换能器中电极指的延伸方向上传播的横向模态波对滤波性能仍会造成影响。横向模态波会对主模态波造成干扰，在通带内或通带外引起波动，从而降低声表面波谐振器的q值。

3、现在常规的改善方法是对声表面波谐振器中叉指换能器的末端进行加宽或者加厚，以此来减少波沿叉指换能器的横向传播。但是这两种方法对横向模态波的抑制有限。

技术实现思路

1、本专利技术提供了一种声表面波谐振器及其制备方法，以对声表面波谐振器的横向模态波进行有效的抑制。

2、第一方面，本专利技术实施例提供了一种本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种声表面波谐振器，其特征在于，包括压电基板和位于所述压电基板一侧的换能器；

2.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述凹槽贯穿部分所述间隙区域的所述压电层；

3.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述凹槽贯穿所述间隙区域的所述压电层；

4.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述基底包括第一声阻抗层、第二声阻抗层和衬底；所述第一声阻抗层位于所述压电层远离所述换能器的一侧，所述第二声阻抗层位于所述第一声阻抗层远离所述压电层的一侧，所述衬底位于所述第二声阻抗层远离所述第一声阻抗层的一侧；所述第一声阻抗层的声阻抗...

【技术特征摘要】

1.一种声表面波谐振器，其特征在于，包括压电基板和位于所述压电基板一侧的换能器；

2.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述凹槽贯穿部分所述间隙区域的所述压电层；

3.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述凹槽贯穿所述间隙区域的所述压电层；

4.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述基底包括第一声阻抗层、第二声阻抗层和衬底；所述第一声阻抗层位于所述压电层远离所述换能器的一侧，所述第二声阻抗层位于所述第一声阻抗层远离所述压电层的一侧，所述衬底位于所述第二声阻抗层远离所述第一声阻抗层的一侧；所述第一声阻抗层的声阻抗小于所述第二声阻抗层的声阻抗；

5.根据权利要求4所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述凹槽贯穿...

【专利技术属性】
技术研发人员：张小耸，毕秀文，沃基·特梅斯根·贝利，张玲琴，
申请(专利权)人：天通瑞宏科技有限公司，
类型：发明
国别省市：