【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及谐振器，尤其涉及一种声表面波谐振器及其制备方法。
技术介绍
1、薄膜声表面波谐振器是声表面波谐振器的一种，其压电基板是由压电层、低声阻抗层、高声阻抗层和衬底组成，低声阻抗层和高声阻抗层形成的反射栅，可以减少能量向下泄露，将能量锁定在压电薄膜层，因此薄膜声表面波谐振器相较于常规的由压电单晶材料组成的声表面波谐振器具有更高的q值。
2、尽管薄膜声表面波谐振器已经对厚度方向上的能量泄露进行了很好的抑制，但在沿叉指换能器中电极指的延伸方向上传播的横向模态波对滤波性能仍会造成影响。横向模态波会对主模态波造成干扰，在通带内或通带外引起波动，从而降低声表面波谐振器的q值。
3、现在常规的改善方法是对声表面波谐振器中叉指换能器的末端进行加宽或者加厚，以此来减少波沿叉指换能器的横向传播。但是这两种方法对横向模态波的抑制有限。
技术实现思路
1、本专利技术提供了一种声表面波谐振器及其制备方法，以对声表面波谐振器的横向模态波进行有效的抑制。
2、第一方面，本专利技术实施例提供了一种声表面波谐振器，该声表面波谐振器包括压电基板和位于所述压电基板一侧的换能器；
3、所述压电基板包括压电层和基底；所述压电层位于所述基底的一侧，所述换能器位于所述压电层远离所述基底的一侧；
4、所述换能器包括第一汇流条、第二汇流条、与所述第一汇流条连接的第一电极指以及与所述第二汇流条连接的第二电极指，所述第一电极指和所述第二电极指沿第一方向交替排布且均沿第
5、所述换能器包括有源区域和间隙区域，所述有源区域包括所述第一电极指和所述第二电极指沿所述第二方向交叠的区域，所述间隙区域包括沿所述第一方向位于所述有源区域与所述第一汇流条之间的区域以及位于所述有源区域与所述第二汇流条之间的区域，且所述间隙区域与所述第一电极指和第二电极指的设置区域不交叠；
6、所述声表面波谐振器还包括凹槽，所述凹槽贯穿至少部分所述间隙区域的所述压电层，且所述凹槽中填充介质的介电常数小于所述压电层的介电常数。
7、可选的，所述凹槽贯穿部分所述间隙区域的所述压电层；
8、所述凹槽的深度为d1，所述压电层的厚度为h1；
9、其中，0.25＜d1/h1＜1。
10、可选的，所述凹槽贯穿所述间隙区域的所述压电层；
11、所述凹槽的深度为d1，所述压电层的厚度为h1；
12、其中，d1＝h1。
13、可选的，所述基底包括第一声阻抗层、第二声阻抗层和衬底；所述第一声阻抗层位于所述压电层远离所述换能器的一侧，所述第二声阻抗层位于所述第一声阻抗层远离所述压电层的一侧，所述衬底位于所述第二声阻抗层远离所述第一声阻抗层的一侧；所述第一声阻抗层的声阻抗小于所述第二声阻抗层的声阻抗；
14、所述凹槽贯穿所述压电层，且贯穿至少部分所述第一声阻抗层。
15、可选的，所述凹槽贯穿所述间隙区域的所述压电层，且贯穿部分所述间隙区域的所述第一声阻抗层；
16、所述凹槽的深度为d1，所述压电层的厚度为h1，所述第一声阻抗层的厚度为h2；
17、其中，h1＜d1＜h1+h2。
18、可选的，所述凹槽贯穿所述间隙区域的所述压电层，且贯穿所述间隙区域的所述第一声阻抗层；
19、所述凹槽的深度为d1，所述压电层的厚度为h1，所述第一声阻抗层的厚度为h2；
20、其中，d1＝h1+h2。
21、可选的，所述凹槽中填充介质包括空气、二氧化硅或者氮化硅。
22、可选的，所述声表面波谐振器还包括位于所述压电基板一侧的第一反射栅和第二反射栅；
23、沿所述第一方向，所述第一反射栅和所述第二反射栅分别设置于所述换能器相对设置的两侧。
24、第二方面，本专利技术实施例提供了一种声表面波谐振器的制备方法，用于制作如第一方面任一实施例所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述制备方法包括：
25、提供压电基板，其中，所述压电基板包括压电层和基底，所述压电层位于所述基底的一侧；
26、在所述压电层远离所述基底的一侧形成换能器，其中，所述换能器包括第一汇流条、第二汇流条、与所述第一汇流条连接的第一电极指以及与所述第二汇流条连接的第二电极指，所述第一电极指和所述第二电极指沿第一方向交替排布且均沿第二方向延伸；所述第一方向和所述第二方向相交；所述换能器包括有源区域和间隙区域，所述有源区域包括所述第一电极指和所述第二电极指沿所述第二方向交叠的区域，所述间隙区域包括沿所述第一方向位于所述有源区域与所述第一汇流条之间的区域以及位于所述有源区域与所述第二汇流条之间的区域，且所述间隙区域与所述第一电极指和第二电极指的设置区域不交叠。
27、对所述压电基板进行刻蚀，以形成凹槽，其中，所述凹槽贯穿至少部分所述间隙区域的所述压电层。
28、可选的，在所述间隙区域对应的压电基板形成凹槽之后，还包括：
29、在所述凹槽中填充介质，其中，所述凹槽中填充介质的介电常数小于所述压电层的介电常数。
30、本专利技术实施例的技术方案，本专利技术通过在换能器间隙区域的压电层设置凹槽，以及设置凹槽中填充介质的介电常数小于压电层的介电常数，可实现对声表面波谐振器横向模态波的有效抑制。
31、应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本专利技术的实施例的关键或重要特征，也不用于限制本专利技术的范围。本专利技术的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。
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1.一种声表面波谐振器，其特征在于，包括压电基板和位于所述压电基板一侧的换能器；
2.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述凹槽贯穿部分所述间隙区域的所述压电层；
3.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述凹槽贯穿所述间隙区域的所述压电层；
4.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述基底包括第一声阻抗层、第二声阻抗层和衬底；所述第一声阻抗层位于所述压电层远离所述换能器的一侧，所述第二声阻抗层位于所述第一声阻抗层远离所述压电层的一侧，所述衬底位于所述第二声阻抗层远离所述第一声阻抗层的一侧；所述第一声阻抗层的声阻抗小于所述第二声阻抗层的声阻抗；
5.根据权利要求4所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述凹槽贯穿所述间隙区域的所述压电层，且贯穿部分所述间隙区域的所述第一声阻抗层；
6.根据权利要求4所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述凹槽贯穿所述间隙区域的所述压电层，且贯穿所述间隙区域的所述第一声阻抗层；
7.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述凹槽中填充介
8.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述声表面波谐振器还包括位于所述压电基板一侧的第一反射栅和第二反射栅；
9.一种声表面波谐振器的制备方法，用于制作如权利要求1-8任一项所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述制备方法包括：
10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，在所述间隙区域对应的压电基板形成凹槽之后，还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种声表面波谐振器，其特征在于，包括压电基板和位于所述压电基板一侧的换能器；
2.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述凹槽贯穿部分所述间隙区域的所述压电层；
3.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述凹槽贯穿所述间隙区域的所述压电层；
4.根据权利要求1所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述基底包括第一声阻抗层、第二声阻抗层和衬底；所述第一声阻抗层位于所述压电层远离所述换能器的一侧，所述第二声阻抗层位于所述第一声阻抗层远离所述压电层的一侧，所述衬底位于所述第二声阻抗层远离所述第一声阻抗层的一侧；所述第一声阻抗层的声阻抗小于所述第二声阻抗层的声阻抗；
5.根据权利要求4所述的声表面波谐振器，其特征在于，所述凹槽贯穿...
【专利技术属性】
技术研发人员：张小耸，毕秀文，沃基·特梅斯根·贝利，张玲琴，
申请(专利权)人：天通瑞宏科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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