【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及滤波器，尤其涉及一种横向激励体声波谐振器及其制备方法。
技术介绍
1、声波谐振器是多种应用的重要组成部分，例如滤波器、振荡器以及传感器等。该领域的最新进展是横向激励体声波谐振器，其原理是在横向放置电极的矩形谐振板中激励产生剪切声波。与传统的体声波谐振器(即传统的带谐振腔体声波滤波器和薄膜体声波谐振器)相比，横向激励体声波谐振器功率处理能力更好，并且具有优异的品质因数的同时能够实现更宽的带宽。
2、现阶段，为了抑制体声波从谐振板(即压电膜)辐射到支撑基板，通常采用以下两种方法：独立谐振器或固定安装谐振器。独立式结构悬挂的压电膜提供了与空气或真空的声学隔离，并且于机电耦合角度也是最佳选择。然而，谐振板上的机械应力对实现机械稳定和高热效率的具有挑战性。另一方面，牢固安装的谐振器在压电层下采用声布拉格反射，提供了机械稳定和高热效率。布拉格反射栅由交替的高低声阻抗层组成，有效地反射压电膜中向下辐射的体声波。然而，可能会遇到与横向激励体声波谐振器的反谐振频率非常接近的水平谐振。虽然将谐振板设计为最小化杂散谐振，但仍然需要付出巨大的努力来减小这些非预期谐振模式的影响。
技术实现思路
1、本专利技术实施例提供了一种横向激励体声波谐振器及其制备方法，能够重塑电场线，进而抑制主模式的反谐振频率附近的水平谐波，提高谐振器的工作性能。
2、第一方面，本专利技术实施例提供了一种横向激励体声波谐振器，包括：
3、基底；
4、位于所述基底一侧的多个叉
5、沿所述第一方向位于所述叉指电极两侧的声阻抗结构，所述声阻抗结构与所述叉指电极接触，且所述声阻抗结构的声阻抗与所述叉指电极的声阻抗存在差异。
6、可选的，所述横向激励体声波谐振器还包括：汇流条；所述汇流条包括沿所述第二方向排列的第一汇流条以及第二汇流条；
7、所述叉指电极包括第一叉指电极以及第二叉指电极；所述第一叉指电极与所述第一汇流条电连接，所述第二叉指电极与所述第二汇流条电连接；
8、所述横向激励体声波谐振器还包括有效孔径区，所述第一叉指电极包括位于所述有效孔径区的第一电极分部，所述第二叉指电极包括位于所述有效孔径区的第二电极分部，所述第一电极分部与所述第二电极分部沿所述第一方向依次交替排列；
9、所述声阻抗结构位于所述有效孔径区。
10、可选的，所述横向激励体声波谐振器还包括汇流条；所述汇流条包括沿所述第二方向排列的第一汇流条以及第二汇流条；
11、所述叉指电极包括第一叉指电极以及第二叉指电极；所述第一叉指电极与所述第一汇流条电连接，所述第二叉指电极与所述第二汇流条电连接；
12、所述横向激励体声波谐振器还包括有效孔径区和间隔区；
13、所述第一叉指电极包括位于所述有效孔径区的第一电极分部，所述第二叉指电极包括位于所述有效孔径区的第二电极分部，所述第一电极分部与所述第二电极分部沿所述第一方向依次交替排列；
14、沿所述第二方向，所述间隔区位于所述有效孔径区和所述汇流条之间；
15、所述声阻抗结构位于所述有效孔径区和所述间隔区。
16、可选的，沿所述第二方向，所述声阻抗结构的长度等于所述叉指电极的长度。
17、可选的，沿所述第一方向，位于同一所述叉指电极两侧的所述声阻抗结构的宽度相等。
18、可选的，沿所述横向激励体声波谐振器的厚度方向，所述声阻抗结构的厚度等于所述叉指电极的厚度。
19、可选的，所述声阻抗结构的材料包括二氧化硅，所述叉指电极的材料包括铝，所述基底包括压电层，所述压电层的材料包括铌酸锂；所述声阻抗结构的声阻抗小于所述叉指电极的声阻抗，所述叉指电极的声阻抗小于所述压电层的声阻抗；
20、或者，所述声阻抗结构的材料包括二氧化铪，所述叉指电极的材料包括钨，所述基底包括压电层，所述压电层的材料包括铌酸锂；所述声阻抗结构的声阻抗大于所述叉指电极的声阻抗，所述叉指电极的声阻抗大于所述压电层的声阻抗。
21、第二方面，本专利技术实施例还提供了一种横向激励体声波谐振器的制备方法，包括：
22、提供基底；
23、在所述基底的一侧制备多个叉指电极和声阻抗结构；多个所述叉指电极沿第一方向排列且均沿第二方向延伸；所述第一方向与所述第二方向相交且均与所述基底所在平面平行；沿所述第一方向，所述声阻抗结构位于所述叉指电极的两侧，所述声阻抗结构与所述叉指电极接触；所述声阻抗结构的声阻抗与所述叉指电极的声阻抗存在差异。
24、可选的，在所述基底的一侧制备多个叉指电极和声阻抗结构，包括：
25、在所述基底的一侧制备多个叉指电极；
26、沿所述第一方向，在所述叉指电极的两侧制备声阻抗结构。
27、可选的，在所述基底的一侧制备多个叉指电极和声阻抗结构，包括：
28、在所述基底的一侧制备声阻抗结构；
29、沿第一方向，在相邻两个所述声阻抗结构之间制备所述叉指电极。
30、本专利技术实施例的技术方案，沿第一方向通过在叉指电极的两侧设置声阻抗结构，声阻抗结构与叉指电极接触，且声阻抗结构的声阻抗与叉指电极的声阻抗存在差异，如此通过声阻抗结构能够改变由于外加电场和叉指电极质量所产生的机械应力，进而能够重塑电场线，抑制主模式的反谐振频率附近的水平谐波，提高谐振器的工作性能。
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1.一种横向激励体声波谐振器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的横向激励体声波谐振器，其特征在于，所述横向激励体声波谐振器还包括：汇流条；所述汇流条包括沿所述第二方向排列的第一汇流条以及第二汇流条；
3.根据权利要求1所述的横向激励体声波谐振器，其特征在于，所述横向激励体声波谐振器还包括汇流条；所述汇流条包括沿所述第二方向排列的第一汇流条以及第二汇流条；
4.根据权利要求3所述的横向激励体声波谐振器，其特征在于，沿所述第二方向，所述声阻抗结构的长度等于所述叉指电极的长度。
5.根据权利要求1所述的横向激励体声波谐振器，其特征在于，沿所述第一方向，位于同一所述叉指电极两侧的所述声阻抗结构的宽度相等。
6.根据权利要求1所述的横向激励体声波谐振器，其特征在于，沿所述横向激励体声波谐振器的厚度方向，所述声阻抗结构的厚度等于所述叉指电极的厚度。
7.根据权利要求1所述的横向激励体声波谐振器，其特征在于，所述声阻抗结构的材料包括二氧化硅，所述叉指电极的材料包括铝，所述基底包括压电层，所述压电层的材料包括铌酸锂
8.一种横向激励体声波谐振器的制备方法，其特征在于，包括：
9.根据权利要求8所述的横向激励体声波谐振器的制备方法，其特征在于，在所述基底的一侧制备多个叉指电极和声阻抗结构，包括：
10.根据权利要求8所述的横向激励体声波谐振器的制备方法，在所述基底的一侧制备多个叉指电极和声阻抗结构，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种横向激励体声波谐振器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的横向激励体声波谐振器，其特征在于，所述横向激励体声波谐振器还包括：汇流条；所述汇流条包括沿所述第二方向排列的第一汇流条以及第二汇流条；
3.根据权利要求1所述的横向激励体声波谐振器，其特征在于，所述横向激励体声波谐振器还包括汇流条；所述汇流条包括沿所述第二方向排列的第一汇流条以及第二汇流条；
4.根据权利要求3所述的横向激励体声波谐振器，其特征在于，沿所述第二方向，所述声阻抗结构的长度等于所述叉指电极的长度。
5.根据权利要求1所述的横向激励体声波谐振器，其特征在于，沿所述第一方向，位于同一所述叉指电极两侧的所述声阻抗结构的宽度相等。
6.根据权利要求1所述的横向激励体...
【专利技术属性】
技术研发人员：沃基·特梅斯根·贝利，毕秀文，张玲琴，蓝伟亮，鲍景富，
申请(专利权)人：天通瑞宏科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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